概述
ADMV1530是一款通用型雙平衡混頻器，采用無鉛RoHS兼容型表貼技術(SMT)封裝，可用作5 GHz至30 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。中頻(IF)端口具有0 GHz至10 GHz的寬帶寬，可進行靈活的頻率規劃以免出現雜散產物。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。

ADMV1530采用經過優化的巴倫結構，提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至IF抑制性能。該混頻器采用19 dBm（典型值）的LO幅度運行。符合RoHS標準的ADMV1530無需線焊，可使用表貼制造技術。

ADMV1530采用緊湊型4 mm × 4 mm、18引腳基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
數據表：*附件：ADMV1530 5GHz至30GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術手冊.pdf

應用

• 微波和小型衛星地面站(VSAT)無線電
• 測試設備
• 軍事電子戰(EW)
• 電子對抗(ECM)
• 指揮、控制、通信和情報(C3I)

特性

• 轉換損耗（下變頻器）：7 dB（典型值，15 GHz至30 GHz時）
• 輸入IP3（下變頻器）：27 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz時）
• 輸入IP2（上變頻器）：50 dBm（典型值，15 GHz至30 GHz時）
• 輸入1 dB壓縮點（下變頻器）：17 dBm（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：50 dB（典型值，15 GHz至30 GHz時）
• RF至IF隔離：25 dB（典型值，15 GHz至30 GHz時）
• 符合RoHS標準的18引腳、4 mm × 4 mm LGA封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息
圖133顯示了ADMV1530的典型應用電路。ADMV1530是一款無源器件，不需要任何外部元件。LO和RF引腳內部交流耦合。IF引腳內部DC耦合。對于不要求DC操作的應用，DC使用一個串聯電容從外部阻塞該端口，該電容的值被選擇為通過必要的IF頻率范圍。如果需要DC操作，請勿超過“絕對最大額定值”部分中規定的IF源電流和吸電流額定值。

應用中使用的電路板必須使用RF電路設計技術。信號線必須具有50歐姆阻抗，封裝接地引腳和裸露焊盤必須直接連接到接地層，如圖134所示。使用足夠數量的過孔連接頂部和底部接地層。ADI公司可索取圖134所示的評估電路板。