概述

HMC560A 芯片是砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、雙平衡混頻器，可以在較小的芯片面積內用作 24 GHz至38 GHz 的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。

HMC560采用經過優化的巴倫結構，提供出色的本振(LO)至RF及 LO至中頻(IF)抑制性能，分別為40 dB和44 dB?；祛l器的LO幅度為9 dBm至15 dBm。
數據表：*附件：HMC560A 22GHz至38GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術手冊.pdf

特性
下變頻器

• 轉換損耗
  • 24 GHz 至 29 GHz 時為 9 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 時為 11 dB（典型值）
• LO 到 RF 隔離
  • 24 GHz 至 29 GHz 時為 40 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 時為 38 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔離
  • 24 GHz 至 29 GHz 時為 27 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 時為 44 dB（典型值）
• RF 到 IF 隔離
  • 24 GHz 至 29 GHz 時為 20 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 時為 28 dB（典型值）
• 輸入 IP3
  • 24 GHz 至 29 GHz 時為 18 dBm（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 時為 19 dBm（典型值）
• IF 帶寬：直流至 18 GHz
• 無源，不需要直流偏置

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和小型衛星地面站(VSAT)無線電
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

框圖

電氣規格

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息
圖102顯示了HMC560A的典型應用電路。HMC560A是無源器件，不需要任何外部元件。LO和RF焊盤內部交流耦合。在直流之前不需要中頻操作時，如果不需要直流操作，建議在中頻端口使用交流耦合電容

將芯片以共晶方式或使用導電環氧樹脂直接連接到接地層。為了將RF引入和引出芯片，建議在0.127 mm (0.005”)厚的氧化鋁薄膜基板上安裝50ω微帶傳輸線(見圖103)。

使用(0.254毫米(0.010英寸)厚的氧化鋁薄膜襯底，將模具抬高0.150毫米(0.006英寸)，使模具表面與襯底表面共面。一種方法是將0.102毫米(0.004英寸)厚的芯片貼在0.150毫米(0.006英寸)厚的鉬散熱器(鉬片)上，然后貼在接地層上(見圖104)。為了最大限度地縮短焊線長度，請將微帶基板盡可能靠近芯片放置。典型的芯片到基板的間距是0.076毫米(0.003英寸)。