LM5022-Q1 是一款高電壓低側 N 溝道 MOSFET 控制器，非常適合用于 升壓和 SEPIC 穩壓器。它包含實現單端所需的所有功能 主要拓撲。輸出電壓調節基于電流模式控制，可簡化 環路補償設計，同時提供固有的輸入電壓前饋。The LM5022-Q1 包括一個啟動穩壓器，可在 6 V 至 60 V 的寬輸入范圍內工作。The PWM 控制器專為高速功能而設計，包括高達 2.2 的振蕩器頻率范圍 MHz 和總傳播延遲小于 100 ns。其他功能包括誤差放大器、 精密基準、線路欠壓鎖定、逐周期電流限制、斜率補償、 軟啟動、外部同步功能和熱關斷。LM5022-Q1 現已上市 采用 10 引腳 VSSOP 封裝。
*附件：LM5022-Q1 用于升壓和 SEPIC 的 2.2MHz、60 V 低側控制器數據表.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 1 級標準，結果如下：
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C
    環境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C5
• 內部 60V 啟動穩壓器
• 1A 峰值 MOSFET 柵極驅動器
• V在范圍：6 V 至 60 V（啟動后可在低至 3 V 的電壓下工作）
• 占空比限制為 90%
• 具有遲滯的可編程 UVLO
• 逐周期電流限制
• 單電阻振蕩器頻率設置
• 可調開關頻率至 2.2MHz
• 外部時鐘同步
• 坡度補償
• 可調軟啟動
• 10 引腳 VSSOP 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：LM5022-Q1
• ?類型?：2.2MHz、60V 低側N-Channel MOSFET控制器
• ?應用?：適用于升壓（Boost）和單端初級電感轉換器（SEPIC）拓撲

2. 關鍵特性

• ?高電壓啟動調節器?：內部集成60V啟動調節器
• ?高開關頻率?：最高可達2.2MHz
• ?低側控制?：專為低側N-Channel MOSFET設計
• ?多功能保護?：包括輸入欠壓鎖定（UVLO）、逐周期電流限制、熱關斷等
• ?靈活配置?：可編程UVLO、可調開關頻率、外部時鐘同步、斜率補償、軟啟動等

3. 性能參數

• ?輸入電壓范圍?：6V至60V（啟動后可低至3V）
• ?最大占空比?：90%
• ?封裝類型?：10-Pin VSSOP
• ?操作溫度范圍?：-40°C至125°C

4. 功能描述

• ?電流模式控制?：基于電流模式的控制，簡化環路補償設計
• ?內部誤差放大器?：提供高精度的輸出電壓調節
• ?斜率補償?：避免電流模式控制下的次諧波振蕩
• ?軟啟動功能?：減少啟動時的電流沖擊和電壓過沖
• ?熱關斷保護?：防止芯片因過熱而損壞

5. 應用領域

• ?升壓轉換器?：用于需要提高輸出電壓的應用場景
• ?SEPIC轉換器?：適用于輸入輸出隔離且電壓極性不變的應用

6. 典型應用

• ?電路設計?：提供了詳細的升壓轉換器設計步驟，包括元件選型、參數計算等
• ?效率優化?：通過合理選擇電感、電容和MOSFET等元件，實現高轉換效率

7. 布局指南

• ?關鍵布局原則?：詳細說明了PCB布局中的關鍵點，如電源路徑、地線布局、濾波電容放置等
• ?減小噪聲干擾?：提供了減小電磁干擾（EMI）和噪聲干擾的布局建議