本文介紹了應(yīng)用GaN Systems器件的PCB布局設(shè)計原則, 包含以下四種電路:
- 單管GaN E-HEMTs 的隔離驅(qū)動電路
- 并聯(lián)GaN E-HEMTs 的隔離驅(qū)動電路
- 半橋自舉門極驅(qū)動電路
- EZDriveSM 電路
? 優(yōu)化的電路板布局和極低的封裝電感是優(yōu)化氮化鎵器件開關(guān)性能的關(guān)鍵
** 為什么我們需要優(yōu)化PCB layout?**
GaN 增強型器件開關(guān)速度遠(yuǎn)快于Si MOSFETs, 所以需要恰當(dāng)?shù)腜CB 布局設(shè)計以減小寄生電感
寄生電感會導(dǎo)致較高的過沖電壓, 振蕩, 和EMI問題, 使得GaN器件承受過大的電氣應(yīng)力
GaN E-HEMT的PCB布線考慮
GaN E-HEMTs的PCB布局總結(jié)
一、總述
- ?內(nèi)容?:本文件介紹了應(yīng)用GaN Systems器件的PCB布局設(shè)計原則,涵蓋單管GaN E-HEMTs的隔離驅(qū)動電路、并聯(lián)GaN E-HEMTs的隔離驅(qū)動電路、半橋自舉門極驅(qū)動電路以及EZDrive SM電路。
- ?關(guān)鍵點?:優(yōu)化的電路板布局和極低的封裝電感是優(yōu)化氮化鎵器件開關(guān)性能的關(guān)鍵。
二、PCB布局的重要性
- ?開關(guān)速度?:GaN增強型器件的開關(guān)速度遠(yuǎn)快于Si MOSFETs,需要恰當(dāng)?shù)腜CB布局設(shè)計以減小寄生電感。
- ?寄生電感影響?:寄生電感會導(dǎo)致較高的過沖電壓、振蕩和EMI問題,增加GaN器件承受的電氣應(yīng)力。
三、PCB布局步驟
步驟1:確定原理圖
- 確定每個關(guān)鍵電路的構(gòu)成,包括單管GaN器件的隔離驅(qū)動電路、并聯(lián)GaN器件的隔離驅(qū)動電路、半橋自舉門極驅(qū)動電路和EZDrive SM電路。
步驟2:放置組件
- ?原則?:將組件盡可能靠近放置,根據(jù)當(dāng)前電流方向依次設(shè)置組件。
- ?優(yōu)先級?:根據(jù)設(shè)計優(yōu)先級最小化所有回路,具體優(yōu)先級根據(jù)電路類型(如功率換流回路、門極驅(qū)動回路等)確定。
步驟3:連接組件
- ?技術(shù)?:通過磁通消除技術(shù)降低寄生電感,即調(diào)整layout使高頻電流在兩個相鄰的PCB層上以相反的方向流動,從而抵消磁通量。
四、具體電路設(shè)計原則
1. 單管GaN器件的隔離驅(qū)動電路
- ?功率換流回路?:Q1, Q2, C_BUS應(yīng)盡可能小。
- ?門極驅(qū)動回路?:開通和關(guān)斷回路中的組件(如C5, U1, R_gon, Q2等)應(yīng)靠近放置。
2. 并聯(lián)GaN器件的隔離驅(qū)動電路
- ?功率換流回路?:Q1, Q2, C_BUS應(yīng)盡可能小,并聯(lián)器件應(yīng)盡可能對稱。
- ?門極驅(qū)動回路?:每個器件的開通和關(guān)斷回路應(yīng)獨立設(shè)計,確保電流平衡。
3. 半橋自舉門極驅(qū)動電路
- ?功率換流回路?:Q1, Q2, C_BUS應(yīng)盡可能小。
- ?門極驅(qū)動回路?:上管和下管的開通和關(guān)斷回路應(yīng)獨立設(shè)計,使用自舉電容和二極管提供上管門極驅(qū)動電壓。
4. EZDrive SM電路
五、磁通消除技術(shù)應(yīng)用
- ?原理?:當(dāng)兩個相鄰的導(dǎo)體以相反的電流方向靠近放置時,兩個電流產(chǎn)生的磁通量將相互抵消,從而降低寄生電感。
- ?實施?:在PCB設(shè)計中,通過調(diào)整走線布局,使高頻電流在兩個相鄰層上以相反方向流動,實現(xiàn)磁通抵消。
六、總結(jié)
- ?優(yōu)化布局?:良好的PCB布局對于充分發(fā)揮GaN器件的性能至關(guān)重要,可以顯著減小寄生電感,降低過沖電壓和振蕩。
- ?設(shè)計原則?:遵循關(guān)鍵電路設(shè)計原則,如最小化功率換流回路和門極驅(qū)動回路的電感,確保組件的適當(dāng)放置和連接。
- ?磁通消除?:利用磁通消除技術(shù)進一步降低寄生電感,提高電路的穩(wěn)定性和效率。
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