概述
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。

HMC232A的工作頻率范圍為100 MHz至12 GHz，在6 GHz時提供優于1.5 dB的插入損耗和50 dB隔離性能并在12 GHz時提供優于2.5 dB的插入損耗和45 dB隔離性能。HMC232A采用非反射設計，且RF端口內部端接到50 Ω。

HMC232A開關采用?7 V至?3 V的互補負控制電壓邏輯線路工作，無需偏置電源。

HMC232A采用24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
數據表：*附件：HMC232A GaAs，SPDT開關，非反射式，100MHz至12GHz技術手冊.pdf

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 電信基礎設施

特性

• 反射式50 Ω設計
• 低插入損耗
  • 1.5 dB（典型值）至6 GHz
  • 2.5 dB（典型值）至12 GHz
• 高隔離度
  • 50 dB（典型值）至6 GHz
  • 45 dB（典型值）至12 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：28 dBm（典型值，VCTRL = ?5 V）
  • P1dB：30 dBm（典型值，VCTRL = ?5 V）
  • IP3：48 dBm
• 高功率處理
  • 30 dBm（插入損耗路徑）
  • 27 dBm（熱切換）
• 負控制電壓：-7 V至-3 V
• ESD額定值：250 V（1A級）HBM
• 無低頻雜散
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

HMC232A是一款4層板。外部銅(Cu)層鍍有0.7密耳厚，并由電介質材料隔開。圖19顯示了HMC232A板的層疊。

所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上，內層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供固體接地。頂部介電材料(H)為10密耳Rogers RO4350，具有最佳RF性能。中間和底部介電層提供機械強度。電路板總厚度約為62密耳，允許超小型A型(SMA)連接器在電路板邊緣連接。
RF傳輸線路采用共面波導(CPWG)模型設計，寬度為16密耳，接地間距(G)為13密耳，特性阻抗為50歐姆。為了實現最佳RF和熱接地，應在傳輸線路周圍和封裝裸露焊盤下方布置盡可能多的電鍍通孔。圖20顯示了組裝后的EV1HMC232ALP4的俯視圖，ADI公司可應要求提供該器件(參見訂購指南)。