概述

ADRF5019 是一款采用硅工藝制造的非反射式單刀雙擲 (SPDT) RF 開關(guān)。

ADRF5019 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 13 GHz，在 8 GHz 時具有優(yōu)于 0.8 dB 的插入損耗和 45 dB 隔離。ADRF5019 采用非反射設(shè)計，其 RF 端口在內(nèi)部終接至 50 Ω。

ADRF5019 開關(guān)需要 +3.3 V 和 ?2.5 V 的雙電源電壓，以及正控制電壓輸入。此開關(guān)采用互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容型和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容型控制。

ADRF5019 還可使用單個正電源電壓 (V DD ) 工作。負(fù)電源電壓 (V SS ) 連接至地。即使在單電源工作模式下，ADRF5019 也能覆蓋 100 MHz 至 13 GHz 的工作頻率范圍，并保持良好的功率處理性能。更多詳細信息請參見“Applications Information”部分。

ADRF5019 的引腳與 HMC1118 兼容，后者是低截止頻率版本，可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的頻率范圍內(nèi)工作。

ADRF5019 采用 16 引腳引線框架芯片規(guī)模封裝 (LFCSP)，可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內(nèi)工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式開關(guān)技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 測試儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
• 軍用無線電、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• 光纖和寬帶電信

特性

• 非反射 50 Ω 設(shè)計
• 低插入損耗：8 GHz 時為 0.8 dB
• 高隔離：8 GHz 時為 45 dB
• 高輸入線性度
  • P1dB：39 dBm
  • IP3：60 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 35 dBm 插入損耗路徑
  • 27 dBm 熱切換
• ESD 額定值：2 kV（2 級）HBM
• 無低頻雜散信號
• 0.05 dB 射頻建立時間：375 ns
• 0.1 dB 射頻建立時間：300 ns
• 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP
• 引腳與 HMC1118 兼容，低頻截止版本

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5019-EVALZ是一款4層板。外部銅(Cu)層被鍍覆0.7密耳至2.2密耳，并由電介質(zhì)材料隔開。圖23顯示了ADRF5019-EVALZboard的層疊圖。圖23所示的電路板布局和層疊用于進行數(shù)據(jù)手冊中包含的測量。

所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上。內(nèi)層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部電介質(zhì)材料(H)為10密耳Rogers RO4350，可實現(xiàn)最佳射頻性能。中間和底部介電層提供機械強度。評估板的總厚度約為62密耳，允許超小型A型(SMA)連接器在板邊緣連接。圖24顯示了ADRF5019的簡化應(yīng)用電路。