TLV702-Q1 系列低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器是低靜態(tài)電流器件,具有出色的線路和負(fù)載瞬態(tài)性能。這些 LDO 專為功耗敏感型應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
精密帶隙和誤差放大器提供 2% 的總體精度。低輸出噪聲、極高的電源抑制比 (PSRR) 和低壓差使該系列器件成為各種電池供電設(shè)備的理想選擇。所有器件版本均具有熱關(guān)斷和限流保護(hù)功能,以確保安全。
*附件:TLV702-Q1 300mA、低 IQ、低壓差穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表.pdf
此外,這些器件在僅 0.1 μF 的有效輸出電容下保持穩(wěn)定。此功能允許使用具有更高偏置電壓和溫度降額的高性價(jià)比電容器。這些設(shè)備可在無(wú)輸出負(fù)載的情況下調(diào)節(jié)到指定的精度。
TLV702-Q1 系列 LDO 線性穩(wěn)壓器采用 SOT 和 WSON 封裝。
特性
- 適用于汽車應(yīng)用
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下:
- 器件溫度等級(jí) 1:-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
- 極低的壓差:
- I 時(shí)為 37 mV
外= 50 mA,伏外= 2.8 伏 - I 時(shí)為 75 mV
外= 100 mA,電壓外= 2.8 伏 - I 時(shí)為 220 mV
外= 300 mA,伏外= 2.8 伏
- I 時(shí)為 37 mV
- 在整個(gè)溫度范圍內(nèi)精度為 2%
- 低 I
Q:35 μA - 可提供 1.2 V 至 4.8 V 的固定輸出電壓組合
- 高 PSRR:1 kHz 時(shí)為 68 dB
- 有效電容為 0.1 μF 時(shí)保持穩(wěn)定^(1)^
- 熱關(guān)斷和過(guò)流保護(hù)
- 封裝:5 引腳 SOT(DBV 和 DDC)和1.5mm × 1.5mm、6 引腳 WSON^(1)^
參數(shù)
方框圖
一、產(chǎn)品概述
TLV702-Q1是一款300mA低靜態(tài)電流(IQ)、低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器,專為低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供高精度(2%)、低噪聲、高電源抑制比(PSRR)和低壓差電壓特性,適用于汽車攝像頭模塊、圖像傳感器電源、微處理器電源軌等多種應(yīng)用場(chǎng)景。
二、主要特性
- ?低靜態(tài)電流?:僅為35μA,有助于延長(zhǎng)電池壽命。
- ?高精度?:整體精度達(dá)2%,滿足對(duì)電壓精度要求較高的應(yīng)用。
- ?低壓差電壓?:在輸出電流為300mA時(shí),壓差電壓僅為220mV(VOUT=2.8V),提高了電源效率。
- ?高PSRR?:在1kHz時(shí)達(dá)68dB,有效抑制電源噪聲。
- ?穩(wěn)定性能?:在輸出電容僅為0.1μF時(shí)即可保持穩(wěn)定,支持使用成本更低的電容器。
- ?保護(hù)功能?:集成熱關(guān)斷和過(guò)流保護(hù),提高系統(tǒng)可靠性。
三、電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:2V至5.5V。
- ?輸出電壓范圍?:提供從1.2V至4.8V的多種固定輸出電壓選項(xiàng)。
- ?輸出電流?:最大可達(dá)300mA。
- ?壓差電壓?:在輸出電流為50mA時(shí),壓差電壓為37mV(VOUT=2.8V);在輸出電流為100mA時(shí),壓差電壓為75mV(VOUT=2.8V)。
- ?啟動(dòng)時(shí)間?:典型值為100μs(COUT=1μF,IOUT=300mA)。
- ?關(guān)斷電流?:在EN引腳低于0.4V時(shí),關(guān)斷電流小于1μA。
四、功能描述
- ?使能引腳?:EN引腳高電平有效,驅(qū)動(dòng)EN引腳超過(guò)0.9V時(shí)開(kāi)啟穩(wěn)壓器,低于0.4V時(shí)進(jìn)入關(guān)斷模式。
- ?內(nèi)部電流限制?:在輸出過(guò)流時(shí),自動(dòng)限制輸出電流,防止器件損壞。
- ?熱關(guān)斷?:結(jié)溫超過(guò)165°C時(shí)自動(dòng)關(guān)斷輸出,保護(hù)器件免受過(guò)熱損壞。
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:輸入電壓低于欠壓鎖定閾值時(shí),輸出被關(guān)斷,確保器件在輸入電壓不穩(wěn)定時(shí)不會(huì)誤動(dòng)作。
五、應(yīng)用提示
- ?外部電容?:推薦使用1μF的X5R或X7R型陶瓷電容作為輸入和輸出電容,以確保穩(wěn)定性。
- ?布局設(shè)計(jì)?:為優(yōu)化PSRR和噪聲性能,建議將輸入和輸出電容靠近器件放置,并使用單獨(dú)的地平面。
- ?散熱設(shè)計(jì)?:根據(jù)功率耗散和封裝類型,合理設(shè)計(jì)PCB布局,確保器件工作結(jié)溫不超過(guò)最大允許值(125°C)。
六、封裝與尺寸
- 提供5引腳SOT(DBV和DDC)和1.5mm×1.5mm、6引腳WSON封裝選項(xiàng)。
- 具體尺寸信息詳見(jiàn)數(shù)據(jù)表中的封裝尺寸圖。
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