LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)（可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%），以及低開關(guān)節(jié)點振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢實現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

*附件：具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 LMG341xR070 600V 70mΩ GaN 數(shù)據(jù)表 .pdf

LMG341xR070 通過集成一組獨特的功能來簡化設(shè)計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動可實現(xiàn) 100V/ns 開關(guān)，Vds 振鈴接近于零，<100 ns 電流限制可防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN 工藝通過加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)任務(wù)配置文件認(rèn)證
• 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
  • 優(yōu)于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
  • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝，易于設(shè)計和布局
  • 可調(diào)節(jié)驅(qū)動強(qiáng)度，以實現(xiàn)開關(guān)性能和 EMI 控制
  • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號
  • 僅需 +12 V 非穩(wěn)壓電源
• 集成柵極驅(qū)動器
  • 零共源電感
  • 20 ns 傳播延遲（MHz 工作）
  • 工藝調(diào)諧的柵極偏置電壓，確保可靠性
  • 25 至 100V/ns 用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 無需外部保護(hù)元件
  • 具有 <100ns 響應(yīng)的過流保護(hù)
  • 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率抗擾度
  • 瞬態(tài)過壓抗擾度
  • 過熱保護(hù)
  • 所有電源軌上的 UVLO 保護(hù)
• 設(shè)備選項：
  • LMG3410R070 ：鎖存過流保護(hù)
  • LMG3411R070 ：逐周期過流保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LMG341xR070（包括LMG3410R070和LMG3411R070）
• ?類型?：600V GaN功率晶體管，集成驅(qū)動器和保護(hù)功能
• ?封裝?：QFN 32引腳，8mm x 8mm
• ?應(yīng)用?：適用于高密度工業(yè)和消費者電源供應(yīng)、多級轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源、高壓電池充電器等。

2. 主要特性

• ?高性能GaN技術(shù)?：提供超低輸入和輸出電容，零反向恢復(fù)，減少開關(guān)損耗和EMI。
• ?集成驅(qū)動器?：
  • 零公共源電感
  • 20ns傳播延遲，適用于MHz操作
  • 可調(diào)斜率控制（25V/ns至100V/ns）
• ?保護(hù)功能?：
  • 過流保護(hù)（OCP），響應(yīng)時間<100ns
  • 過溫保護(hù)（OTP）
  • 瞬態(tài)過壓免疫
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)所有電源軌
• ?設(shè)備選項?：
  • LMG3410R070：鎖存過流保護(hù)
  • LMG3411R070：逐周期過流保護(hù)

3. 電氣特性

• ? 最大漏源電壓（VDS） ?：600V（瞬態(tài)最高可達(dá)800V）
• ? 最大連續(xù)漏源電流（IDS） ?：
  • Tj = 25°C時：40A
  • Tj = 100°C時：30A
• ? 導(dǎo)通電阻（RDS,ON） ?：
  • Tj = 25°C時：70mΩ
  • Tj = 125°C時：110mΩ
• ?LDO輸出電壓?：4.7V至5.3V
• ?UVLO閾值?：
  • 開啟閾值（VDD,(ON)）：9.1V
  • 關(guān)閉閾值（VDD,(OFF)）：8.5V
  • 遲滯電壓（ΔVDD,UVLO）：550mV

4. 功能描述

• ?直接驅(qū)動GaN架構(gòu)?：利用集成驅(qū)動器直接控制GaN FET，提高開關(guān)性能。
• ?內(nèi)部降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?：生成負(fù)電壓用于GaN FET的可靠關(guān)斷。
• ?內(nèi)部輔助LDO?：為外部數(shù)字隔離器提供5V電源。
• ?故障檢測?：
  • OCP：監(jiān)測漏極電流，超過限值時觸發(fā)保護(hù)。
  • OTP和UVLO：監(jiān)測驅(qū)動器溫度和電源電壓，防止過熱和欠壓操作。

5. 應(yīng)用指南

• ?典型應(yīng)用?：適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)電路，如功率因數(shù)校正（PFC）電路。
• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化功率環(huán)路電感，保持開關(guān)節(jié)點電容最小化。
• ?驅(qū)動強(qiáng)度調(diào)整?：通過RDRV引腳連接電阻來調(diào)整斜率控制，以優(yōu)化穩(wěn)定性和EMI性能。

6. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：QFN 32引腳
• ?尺寸?：8.00mm x 8.00mm

7. 文檔支持

• 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)表、應(yīng)用曲線、布局指南、設(shè)計支持文檔和相關(guān)鏈接。

8. 注意事項

• 在設(shè)計電路時，需特別注意熱設(shè)計和電磁兼容性（EMC）。
• 使用推薦的外部元件和布局指南以獲得最佳性能。
• 確保在所有操作條件下不超過絕對最大額定值。

*附件：GaN 的第三象限作應(yīng)用資料.pdf