據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰,為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
自三星1cnm DRAM開發以來,良品率問題一直困擾著公司。盡管在2024年末進行了試產,但結果并未達到預期效果,大規模生產準備階段的良品率僅在60%至70%左右,遠低于行業理想標準。
為了克服這一難題,三星決定對其1cnm DRAM的設計進行重新調整。據悉,此次調整的核心在于保持核心電路線寬不變,同時適當放松外圍電路線寬的要求。這一策略旨在通過優化設計,降低生產難度,從而顯著提升良品率。
三星方面表示,通過此次設計調整,他們對提升1cnm DRAM的良品率充滿信心,并期待能夠確保HBM4內存的穩定量產。這一舉措不僅展現了三星在半導體技術領域的深厚底蘊,也體現了公司在面對挑戰時的靈活應變和堅定決心。
未來,隨著良品率的提升和HBM4內存的量產,三星有望在高端內存市場占據更加有利的地位,為全球用戶提供更加優質、高效的內存解決方案。
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2337瀏覽量
184350 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
181675 -
內存
+關注
關注
8文章
3083瀏覽量
74630
發布評論請先 登錄
相關推薦
三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛,內存大廠加速HBM4進程
特斯拉也在搶購HBM 4

評論