據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計進(jìn)行重大調(diào)整。
自三星1cnm DRAM開發(fā)以來，良品率問題一直困擾著公司。盡管在2024年末進(jìn)行了試產(chǎn)，但結(jié)果并未達(dá)到預(yù)期效果，大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備階段的良品率僅在60%至70%左右，遠(yuǎn)低于行業(yè)理想標(biāo)準(zhǔn)。
為了克服這一難題，三星決定對其1cnm DRAM的設(shè)計進(jìn)行重新調(diào)整。據(jù)悉，此次調(diào)整的核心在于保持核心電路線寬不變，同時適當(dāng)放松外圍電路線寬的要求。這一策略旨在通過優(yōu)化設(shè)計，降低生產(chǎn)難度，從而顯著提升良品率。
三星方面表示，通過此次設(shè)計調(diào)整，他們對提升1cnm DRAM的良品率充滿信心，并期待能夠確保HBM4內(nèi)存的穩(wěn)定量產(chǎn)。這一舉措不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn)，也體現(xiàn)了公司在面對挑戰(zhàn)時的靈活應(yīng)變和堅定決心。
未來，隨著良品率的提升和HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)，三星有望在高端內(nèi)存市場占據(jù)更加有利的地位，為全球用戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的內(nèi)存解決方案。
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