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三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2025-02-13 16:42 ? 次閱讀

據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰,為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。

自三星1cnm DRAM開發以來,良品率問題一直困擾著公司。盡管在2024年末進行了試產,但結果并未達到預期效果,大規模生產準備階段的良品率僅在60%至70%左右,遠低于行業理想標準。

為了克服這一難題,三星決定對其1cnm DRAM的設計進行重新調整。據悉,此次調整的核心在于保持核心電路線寬不變,同時適當放松外圍電路線寬的要求。這一策略旨在通過優化設計,降低生產難度,從而顯著提升良品率。

三星方面表示,通過此次設計調整,他們對提升1cnm DRAM的良品率充滿信心,并期待能夠確保HBM4內存的穩定量產。這一舉措不僅展現了三星在半導體技術領域的深厚底蘊,也體現了公司在面對挑戰時的靈活應變和堅定決心。

未來,隨著良品率的提升和HBM4內存的量產,三星有望在高端內存市場占據更加有利的地位,為全球用戶提供更加優質、高效的內存解決方案。

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