光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備，并探討其在半導(dǎo)體制造中的潛力與趨勢(shì)。

概述

在芯片制造領(lǐng)域，投影光刻技術(shù)能夠制造高精度的納米尺度圖形，然而，隨著芯片內(nèi)特征尺寸持續(xù)縮小，光的衍射這一客觀規(guī)律無法避免，對(duì)紫外光刻技術(shù)產(chǎn)生了顯著影響，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。在這樣的背景下，下一代光刻（next generation lithography，NGL）技術(shù)的需求應(yīng)運(yùn)而生。NGL技術(shù)是一組具備應(yīng)用潛力的候選技術(shù)，與傳統(tǒng)光學(xué)光刻不同。隨著DUV技術(shù)的改進(jìn)，下一代光刻技術(shù)的具體內(nèi)涵也在不斷演變。不過，有兩種技術(shù)始終備受關(guān)注，一種是極紫外（EUV）光刻技術(shù)，另一種則是本文即將詳細(xì)介紹的納米壓印（NIL）技術(shù)。納米壓印技術(shù)憑借其高分辨率、高產(chǎn)量以及低成本的顯著優(yōu)勢(shì)，被國(guó)際器件與系統(tǒng)路線圖（IRDS）組織選為下一代光刻技術(shù)的候選方案。本文將按順序介紹納米壓印技術(shù)的原理、發(fā)展歷程、應(yīng)用領(lǐng)域以及相關(guān)設(shè)備。

納米壓印技術(shù)的原理

納米壓印技術(shù)由美國(guó)工程院院士、普林斯頓大學(xué)華裔教授周郁（Stephen Y Chou）在1995年首次提出。實(shí)際上，壓印并非什么新奇的技術(shù)，它是一種歷史悠久的圖形轉(zhuǎn)移方法，中國(guó)古代的活字印刷術(shù)便是早期的壓印技術(shù)。納米壓印和日常生活中的敲章類似，就如同把刻有凹凸結(jié)構(gòu)的印章按壓在印泥上，只不過納米壓印中印章上的圖案尺寸極小，能夠達(dá)到5nm以下。這里的印章也被稱作模板、模具，而用于轉(zhuǎn)移圖案的高分子聚合物被稱為納米壓印膠，相當(dāng)于我們蓋章時(shí)使用的印泥。周郁提出的納米壓印技術(shù)需要對(duì)壓印膠進(jìn)行加熱，所以也被稱為熱納米壓印（T - NIL）技術(shù)。熱納米壓印技術(shù)通過高溫、高壓將帶有微納米結(jié)構(gòu)的模板壓在涂有壓印膠的基底上，把模板的圖案轉(zhuǎn)移到處于流動(dòng)狀態(tài)的壓印膠上，再通過冷卻使帶有微納圖案的壓印膠固化，在模板與壓印膠分離后，對(duì)基底進(jìn)行刻蝕，去除殘留的壓印膠，這樣就能得到與模板圖案結(jié)構(gòu)相反的微納米結(jié)構(gòu)。納米壓印只需在圖案所在區(qū)域旋涂壓印膠，而且壓印系統(tǒng)中沒有復(fù)雜的光學(xué)器件，生產(chǎn)成本較低，效率也比較高。

下圖展示了熱納米壓印的工藝流程：

熱納米壓印工藝流程

(a)壓印準(zhǔn)備階段：在這一階段，需要制備印章上的圖案結(jié)構(gòu)，常用的制備方法是電子束掃描結(jié)合反應(yīng)離子刻蝕。首先在印章上涂覆光刻膠，接著用電子束直寫的方式在光刻膠上形成納米圖案，顯影后以光刻膠圖案作為掩膜對(duì)印章進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，最后去除殘留的光刻膠，從而得到印章上的圖案結(jié)構(gòu)。需要特別注意的是，由于納米壓印是直接接觸式壓印，印章上的缺陷會(huì)直接復(fù)制到后續(xù)材料中，所以印章上圖案的質(zhì)量至關(guān)重要，印章圖案的分辨率也直接決定了最終復(fù)制結(jié)構(gòu)的分辨率。此外，由于是直接接觸，具有黏性的膠會(huì)不可避免地對(duì)印章上的納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致脫模困難。解決辦法是在印章表面進(jìn)行抗粘連處理，通常是施加含氟物質(zhì)，這和日常生活中不粘鍋的原理類似。同時(shí)，在待壓印的襯底上旋涂壓印膠。

(b)壓印實(shí)施階段：在壓印前，先將印章、膠、襯底疊放在一起，加熱到壓印膠的玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上，使膠軟化，然后施加壓力，促使膠填充到印章的空腔中。

(c)脫模階段：在這個(gè)階段降低溫度，使膠冷卻固化，去除壓印力后脫模，印章上的納米結(jié)構(gòu)就被復(fù)制到膠上。

(d)和(e)圖案轉(zhuǎn)移階段：這里采用的是反應(yīng)離子刻蝕方法。(d)去除殘留層，在壓印前需要預(yù)先設(shè)計(jì)好甩膠的厚度，以便壓印后能留下一薄層膠的殘留層，這樣做的目的是保護(hù)昂貴的印章，防止其接觸硬襯底而受損。在完成壓印、脫模后，不再需要這層殘留層，所以要將其去除。(e)以膠的圖案為掩膜，對(duì)襯底進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，從而得到襯底的圖案。和光學(xué)光刻一樣，通常我們不需要膠的圖案，膠的圖案只是起到過渡作用，我們的目標(biāo)是得到襯底圖案或襯底上薄膜的圖案，達(dá)成目標(biāo)后就可以去除所有光刻膠。通常襯底上已經(jīng)存在其他薄膜層，那么我們得到的就是襯底上薄膜的圖案，只需在流程圖中的襯底和膠之間增加一層需要圖案化的薄膜層，讀者可以自行嘗試?yán)L制。

圖案轉(zhuǎn)移技術(shù)主要有兩種。一種是圖示的刻蝕技術(shù)（etching），它以壓印膠的圖案為掩膜，對(duì)壓印膠下層材料進(jìn)行選擇性刻蝕，進(jìn)而得到下層材料的結(jié)構(gòu)圖案；另一種是剝離技術(shù)（lift - off），這種技術(shù)首先在壓印膠圖案結(jié)構(gòu)的表面形成一層金屬層，然后利用有機(jī)溶劑進(jìn)行溶解，有壓印膠的地方會(huì)被溶解，連同其上面的金屬一起剝離，這利用的原理就是“皮之不存，毛將焉附”，最后在襯底表面留下金屬圖案。下一步既可以直接利用金屬圖案，也能以金屬圖案為掩膜進(jìn)一步向下層刻蝕。

納米壓印技術(shù)的發(fā)展

周郁提出的納米壓印技術(shù)，有著劃時(shí)代的價(jià)值，它為突破光刻技術(shù)的瓶頸提供了一條嶄新的思路，本質(zhì)上是將機(jī)械手段引入到納米制造領(lǐng)域。這一技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于對(duì)壓印膠的要求并不嚴(yán)苛，采用熱塑性高聚合物就能夠滿足需求，比如日常較為常用的聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA，也被稱作亞克力或有機(jī)玻璃）。

熱納米壓印技術(shù)能夠較為簡(jiǎn)便地制備大面積微納圖案。然而，隨著圖案尺寸不斷朝著更小的方向發(fā)展，其缺點(diǎn)也逐漸暴露出來，這些問題主要集中在高溫高壓這一工藝條件上。其一，高聚合物的相對(duì)分子量較大，即便處于熔融狀態(tài)，它的黏度依然偏高，流動(dòng)性較差，這就導(dǎo)致在一些高深寬比的空腔底部難以實(shí)現(xiàn)完全填充，無法用于生產(chǎn)高深寬比結(jié)構(gòu)；而且經(jīng)過高溫高壓處理后，脫模過程困難重重，很容易損壞已形成的結(jié)構(gòu)。其二，高溫高壓條件的達(dá)成需要耗費(fèi)一定時(shí)間，這在生產(chǎn)過程中會(huì)降低生產(chǎn)效率，同時(shí)也使得生產(chǎn)成本有所上升。其三，高溫高壓不僅會(huì)使壓印膠發(fā)生形變，模具和基底同樣會(huì)出現(xiàn)非預(yù)期的形變，這不僅會(huì)讓圖案轉(zhuǎn)移的效果無法達(dá)到理想狀態(tài)，還會(huì)對(duì)模板圖案造成損傷，降低模板的重復(fù)利用率。

為了攻克熱壓印技術(shù)中存在的這些難題，1999年，紫外納米壓印技術(shù)（UV - NIL）應(yīng)運(yùn)而生。這是一種能夠在室溫環(huán)境下進(jìn)行操作，無需高溫高壓處理的納米壓印技術(shù)。該壓印工藝采用對(duì)紫外光敏感的低黏度聚合物作為壓印膠，這種聚合物在紫外光的照射下能夠快速完成固化。與此同時(shí)，印章模板需要選用可以透過紫外光的材料來制作，以便紫外光能夠順利照射到壓印膠上并使其固化，像石英和聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane，PDMS）就是常用的模板材料。

下圖展示了紫外納米壓印的工藝流程。

該工藝路線與熱納米壓印的工藝路線大體相似，主要差異體現(xiàn)在印章和膠的材料選擇，以及壓印和固化的方式上。其中：

(a)壓印準(zhǔn)備階段：要求印章或襯底二者之中必須有一方是可以透過紫外光的材料，這樣在后期進(jìn)行紫外光固化時(shí)，光線能夠順利輻照到膠上。通常情況下，紫外光是從上向下照射的，這就要求印章材料必須具備透過紫外光的能力；若采用反向照射的方式，那么襯底就需要能夠允許紫外光透過。此外，所選用的膠黏度要低，這樣在較小的壓印力作用下，膠就能輕松流動(dòng)。

(b)壓印實(shí)施階段：在此階段，無需進(jìn)行加熱操作，施加的壓力也相對(duì)較小。當(dāng)膠體填充到印章的空腔后，利用紫外光進(jìn)行輻照，使得膠體迅速固化，從而將納米形貌完整地保留下來。

(c)脫模階段。

(d)和(e)圖案轉(zhuǎn)移階段：這兩個(gè)階段與熱壓印的對(duì)應(yīng)階段十分相似。

紫外納米壓印膠在常溫條件下仍然具備較低的黏度和良好的流動(dòng)能力，所以能夠制作出高深寬比的圖案結(jié)構(gòu)，同時(shí)也有效解決了模板損耗的問題，實(shí)現(xiàn)了印章的多次重復(fù)壓印使用。紫外納米壓印技術(shù)具有高精度和高保真度的特性，適用范圍極為廣泛，已然成為納米壓印領(lǐng)域的重要研究方向和發(fā)展趨勢(shì)。

在過往的幾十年里，紫外納米壓印技術(shù)憑借其強(qiáng)勁的發(fā)展?jié)摿σ约霸谑袌?chǎng)產(chǎn)業(yè)化方面的突出優(yōu)勢(shì)，一躍成為納米壓印領(lǐng)域的研究核心，并且收獲了豐碩的成果。然而，目前國(guó)際上現(xiàn)存的納米壓印設(shè)備，大多是以非柔性基底為依托構(gòu)建的系統(tǒng)。這類設(shè)備在壓印制備時(shí)速度較慢，無論是生產(chǎn)速度還是產(chǎn)品良率，都難以滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。為了進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，科研人員在傳統(tǒng)納米壓印方法的基礎(chǔ)上，對(duì)整塊大面積圖案轉(zhuǎn)移的壓印方式展開創(chuàng)新，研發(fā)出一系列更貼合生產(chǎn)實(shí)際的方法，比如步進(jìn) - 閃光式壓印（S-FIL）、滾動(dòng)式納米壓印（RNIL）、卷對(duì)板納米壓印（R2P- NIL）以及卷對(duì)卷納米壓印（R2R-NIL）等等。

傳統(tǒng)的納米壓印在壓印膠固化階段，是對(duì)整個(gè)晶片進(jìn)行統(tǒng)一操作。在整體固化過程中，極易受到外界因素干擾，導(dǎo)致壓印膠圖案轉(zhuǎn)移效果不佳，給后續(xù)的脫模和刻蝕工序造成諸多困難。鑒于此，步進(jìn) - 閃光壓印（S-FIL）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。該技術(shù)將整塊晶圓的壓印工作拆分成多個(gè)部分，完成一個(gè)部分的固化脫模后，再開展下一個(gè)區(qū)域的操作。在進(jìn)行大量相同結(jié)構(gòu)的壓印工作時(shí)，僅需制作單個(gè)或少數(shù)幾個(gè)結(jié)構(gòu)的模板印章，這不僅降低了昂貴的模板制作成本，還提高了模板的利用效率。步進(jìn) - 閃光式納米壓印的工作原理與紫外光刻技術(shù)中步進(jìn)式光刻的原理頗為相似。

步進(jìn) - 閃光納米壓印的主要工藝步驟如下圖所示。

步進(jìn)-閃光納米壓印工藝流程示意圖

具體如下：

①.壓印前準(zhǔn)備：先對(duì)需要壓印的區(qū)域進(jìn)行精準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)，然后在相應(yīng)區(qū)域涂抹壓印膠。

②.施壓與固化：施加壓力，將印章上的特征圖案壓入壓印膠中，接著用紫外光輻照，使壓印膠固化，從而讓壓印膠的特征圖案定型。

③.脫模與重復(fù)操作：完成脫模處理，實(shí)現(xiàn)當(dāng)前位置的壓印膠圖案轉(zhuǎn)移，隨后移動(dòng)印章和光源，重復(fù)上述① - ③步驟。

④.圖案轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移層：當(dāng)所有區(qū)域都完成壓印膠的固態(tài)立體結(jié)構(gòu)構(gòu)建后，將壓印膠的圖案轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移層。

⑤.基底刻蝕與轉(zhuǎn)移層去除：以轉(zhuǎn)移層的圖案為掩膜，對(duì)基底進(jìn)行刻蝕，最后去除轉(zhuǎn)移層。

在傳統(tǒng)的板對(duì)板熱壓印過程中，壓印需要較大的壓印力。印章表面復(fù)雜的凹凸結(jié)構(gòu)使其更加粗糙，壓印膠填充完成后，會(huì)產(chǎn)生較大的附著力，導(dǎo)致脫模困難。此外，在板對(duì)板納米壓印工藝中，常常能觀察到氣泡殘留，尤其是在大面積壓印時(shí)更為明顯，這會(huì)導(dǎo)致壓印結(jié)構(gòu)出現(xiàn)缺陷。在多步壓印研究中，Haatainen等人發(fā)現(xiàn)，使用更小尺寸的印章，以矩陣形式在大尺寸晶圓上逐步壓印，壓印所需的壓印力會(huì)降低，氣泡殘余也會(huì)減少。不過，這種步進(jìn)式系統(tǒng)更為復(fù)雜，需要高精度的位置對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。基于這種情況，同時(shí)也是為了提高壓印速度，周郁等人提出了滾動(dòng)式納米壓印（RNIL）的概念。

在滾動(dòng)式納米壓印工藝?yán)铮瑝河×χ饕蓾L筒提供。滾筒與基底接觸時(shí)，接觸面積只是底部接觸部分的線性區(qū)域，而非整塊印章。在需要同等壓強(qiáng)作用時(shí)，較小的接觸面積能降低所需施加的壓印力。基于滾動(dòng)的納米壓印工藝具備減少氣泡殘留、厚度均勻以及防止灰塵污染等優(yōu)點(diǎn)，極大地提高了圖案復(fù)制的效率與精準(zhǔn)度。

卷對(duì)板納米壓印技術(shù)（R2P - NIL）同樣由周郁團(tuán)隊(duì)率先提出，并提供了兩種壓印模型，以適配不同類型的印章材料。其中一種較為簡(jiǎn)單的方法是，使用輥壓機(jī)對(duì)同為平面結(jié)構(gòu)的印章和基底施壓，該系統(tǒng)適用于印章與基底都是剛性材料的情況，此時(shí)壓印力由輥壓機(jī)提供，而非對(duì)整個(gè)印章區(qū)域施壓。另一種是當(dāng)印章使用具有剛性接觸特性的柔性材料時(shí)，將柔性印章纏繞在輥輪上，輥壓機(jī)在向前滾動(dòng)的同時(shí)向下施加壓印力，使輥輪上的印章結(jié)構(gòu)壓入壓印膠中。此外，針對(duì)剛性印章和柔性基底的R2P納米壓印，也有相應(yīng)的系統(tǒng)被研發(fā)出來。在該系統(tǒng)中，將印章放置在輥壓機(jī)底部，涂有壓印膠的基底纏繞在輥壓機(jī)上，通過壓機(jī)下方與印章接觸，實(shí)現(xiàn)圖案轉(zhuǎn)移到壓印膠上。

為了提升納米壓印的生產(chǎn)效率，郭凌杰等人在制造雙分子層金屬線柵偏振器時(shí)，研發(fā)出一種改進(jìn)的納米壓印技術(shù)，即卷對(duì)卷納米壓印技術(shù)（R2R - NIL）。該技術(shù)不僅具備傳統(tǒng)納米壓印的高分辨率特性，還將納米圖案化的速度至少提高了1 - 2個(gè)數(shù)量級(jí)。R2R - NIL系統(tǒng)中，最重要的部分當(dāng)屬壓印部分，其壓印模塊由一個(gè)壓印滾軸和兩個(gè)支撐滾軸組成。在滾筒轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，低黏度的壓印膠在受到壓力滾軸的擠壓后，迅速填充到印章模具中。在紫外光照射區(qū)域，設(shè)有一種屏蔽輻射的盒狀裝置，目的是防止壓印膠在到達(dá)壓印區(qū)域前過早固化。R2R - NIL技術(shù)采用柔性氟聚合物，也就是乙烯 - 四氟乙烯共聚物（ETFE）作為模具材料。因?yàn)樵摷夹g(shù)要求模具既要有足夠的模量和強(qiáng)度，又要具備低表面能。與PDMS相比，ETFE具有更出色的防粘性能，因而在后續(xù)脫模操作中更為便捷。該工藝流程具有產(chǎn)量高和過程連續(xù)的優(yōu)勢(shì)，在大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)中前景廣闊。

此外，納米壓印技術(shù)還發(fā)展出了激光輔助納米壓印（LADI）技術(shù)。這是一項(xiàng)無需使用壓印膠的納米壓印技術(shù)，它直接利用激光掃描加熱基底，使基底上部形成一層熔融層，以此替代壓印膠。該技術(shù)運(yùn)用高能量的準(zhǔn)分子激光，透過模板印章，直接照射基底，使基底表面產(chǎn)生具有流動(dòng)性的熔融層，然后將印章壓入熔融層，使其帶上目標(biāo)圖案。待熔融層冷卻固化后進(jìn)行脫模，熔融層便重新成為基底的一部分。這項(xiàng)技術(shù)甚至省去了刻蝕步驟，就能直接在基底上獲得目標(biāo)特征圖案。在該項(xiàng)技術(shù)中，準(zhǔn)分子激光需選擇合適的波長(zhǎng)，同時(shí)模板材料也需考慮激光吸收率，避免能量被模板吸收而影響基底熔融層的形成。據(jù)報(bào)道，利用激光輔助熔化Si基板進(jìn)行壓印，已經(jīng)能夠?qū)⑻卣骶€寬降至10nm以下。激光輔助納米壓印技術(shù)加熱基底的方式效率更高、速度更快，整個(gè)加熱過程僅需毫秒級(jí)時(shí)間，而且圖案從模板直接轉(zhuǎn)移至基底，無需常規(guī)刻蝕操作，大大節(jié)省了工藝時(shí)間與成本。

納米壓印技術(shù)操作簡(jiǎn)單、便捷，工藝靈活多變，只需對(duì)圖案復(fù)制方法稍作改進(jìn)，就能衍生出多種新技術(shù)，可謂功能豐富。除了上述幾種主要的改進(jìn)技術(shù)外，還有反向納米壓印、微接觸印刷、軟刻蝕技術(shù)等，由于篇幅有限，在此就不一一詳述了。

納米壓印技術(shù)的應(yīng)用

自從納米壓印概念問世，其大規(guī)模、低成本的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)吸引了眾多來自光學(xué)、功能材料、電子學(xué)、生物學(xué)、仿生學(xué)等不同領(lǐng)域的研究人員關(guān)注，他們紛紛將這項(xiàng)技術(shù)引入生產(chǎn)環(huán)節(jié)，特別是在納米電子元件、微納流體、超高存儲(chǔ)密度磁盤、微光學(xué)元件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。早在1997年，周郁就運(yùn)用納米壓印技術(shù)成功制造出微電子器件和納米級(jí)存儲(chǔ)芯片，還順利完成了對(duì)硅量子點(diǎn)狀、線狀、環(huán)狀等晶體管的壓印制備。發(fā)展到如今，納米壓印技術(shù)已能夠?qū)崿F(xiàn)大批量生產(chǎn)射頻識(shí)別模塊等微電子器件。

柔性透明導(dǎo)電電極是柔性電子的基礎(chǔ)元件，嵌入式金屬網(wǎng)憑借良好的透明性、導(dǎo)電性和靈活性，被視為透明導(dǎo)電電極極具潛力的候選材料。2017年，Wang等人提出一種用于柔性透明電極金屬網(wǎng)格圖案大面積生產(chǎn)的連續(xù)制造方法，即卷對(duì)卷紫外納米壓印技術(shù)。借助該技術(shù)，可在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）材質(zhì)的襯底上大面積制造嵌入式銀質(zhì)網(wǎng)眼式電極。

在集成電路領(lǐng)域，納米壓印技術(shù)用途廣泛，既可以制作場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也能制造納米級(jí)尺度的特定功能電子元器件以及先進(jìn)集成電路，同時(shí)還為存儲(chǔ)領(lǐng)域提供了低成本的新型解決方案，應(yīng)用于CD存儲(chǔ)器和磁存儲(chǔ)器。光刻成本的壓力促使閃存廠商積極探索納米壓印技術(shù)的應(yīng)用。目前，納米壓印技術(shù)可用于制備3D閃存芯片，但仍面臨一些主要挑戰(zhàn)，如缺陷及缺陷修復(fù)、母板的制備和檢查、大規(guī)模生產(chǎn)能力等。

在光電子方面，納米壓印技術(shù)也取得了顯著成果，成功生產(chǎn)出納米凸透鏡陣列、等離激元納米結(jié)構(gòu)、太陽(yáng)能電池等器件，還輔助研發(fā)了增強(qiáng)拉曼光譜傳感器、自支撐抗反射薄膜等新型器件。在太陽(yáng)能應(yīng)用領(lǐng)域，Hauser等人利用NIL在多晶硅太陽(yáng)能電池板表面制造蜂巢形結(jié)構(gòu)，相較于傳統(tǒng)電池板表面結(jié)構(gòu)，大幅增強(qiáng)了光捕獲能力，提高了能量轉(zhuǎn)換效率。

在結(jié)構(gòu)工程領(lǐng)域，納米壓印技術(shù)可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)孔膜的生產(chǎn)，用于過濾與篩選。

總體而言，納米壓印技術(shù)功能多樣，為納米尺度結(jié)構(gòu)的制造開辟了新途徑，成為極具發(fā)展前景的納米圖案化工藝之一。它不僅在集成電路領(lǐng)域表現(xiàn)出色，在光電器件、光學(xué)器件、能源、納米級(jí)傳感器、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域也展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。