豐田合成開(kāi)發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓
近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
據(jù)豐田合成介紹，與傳統(tǒng)的硅基GaN工藝橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建的垂直晶體管在功率器件密度方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。這一技術(shù)突破意味著，未來(lái)可以在更大尺寸的晶圓，如200mm和300mm晶圓上制造更高性能的功率器件。
然而，制造大尺寸GaN單晶晶圓一直是一項(xiàng)技術(shù)難題。此前，業(yè)界在制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓時(shí)面臨諸多困難。豐田合成的此次成功，無(wú)疑為GaN技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。
豐田合成的這一技術(shù)突破，不僅展示了其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，也為未來(lái)功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展提供了新的可能。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐步降低，GaN器件有望在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用，為人們的生活帶來(lái)更多便利。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4970瀏覽量
128201 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9741瀏覽量
138694 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1958瀏覽量
73938
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速，2025年上量
生產(chǎn)線已經(jīng)在2024年6月投入使用，下一個(gè)目標(biāo)是未來(lái)兩年在德國(guó)漢堡工廠里建設(shè)8英寸的SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線。 ? 雖然8英寸
日本開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8
8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用
，但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、芯
碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8
晶升股份研發(fā)出可視化8英寸電阻法SiC單晶爐
10月26日，晶升股份憑借其在碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)引起了市場(chǎng)關(guān)注。據(jù)“證券時(shí)報(bào)”報(bào)道，晶升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，該設(shè)備能將碳化硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程變得透明化，
氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊
9月，英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與
功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代！
等第三代半導(dǎo)體而言，它們還有提升空間。 ? 就在9月11日，英飛凌宣布率先開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm（12英寸）氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，英飛凌也成為了全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。 ? 推動(dòng)
又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓
近日，日本礙子株式會(huì)(NGK，下文簡(jiǎn)稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓，加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長(zhǎng)的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次推出的QST
增芯科技12英寸晶圓制造項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)，內(nèi)含國(guó)內(nèi)首條12英寸MEMS智能傳感器晶圓生產(chǎn)線
舉辦“12英寸MEMS智能傳感器技術(shù)交流會(huì)暨增芯投產(chǎn)活動(dòng)”，相關(guān)政府領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專家學(xué)者和企業(yè)家等百余位嘉賓出席活動(dòng)。 “增芯科技12英寸晶圓制造產(chǎn)線投產(chǎn)儀式”在增城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)核心區(qū)
發(fā)表于 07-02 14:28
?614次閱讀
全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)升級(jí)
隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8
國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀(jì)元，芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破
5月27日，中國(guó)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來(lái)里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式
德州儀器正在將GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向8英寸過(guò)渡
德州儀器，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，近日宣布正在積極推進(jìn)其氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸向8英寸過(guò)渡。這一重大舉措旨在進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率、降低成本，并鞏固公司在
河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐！
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論