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硅探測(cè)器的基本原理

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2025-01-08 06:22 ? 次閱讀

通過光伏效應(yīng),硅探測(cè)器提供了一種將光能轉(zhuǎn)化為電流的方法。這種現(xiàn)象背后的理論根源是探測(cè)器價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的小能隙。當(dāng)具有足夠能量將電子從價(jià)態(tài)激發(fā)到導(dǎo)帶的光入射到探測(cè)器上時(shí),由此產(chǎn)生的電荷積累會(huì)導(dǎo)致連接電路中的電流流動(dòng)。由于光不是激發(fā)電子的唯一能量來源,探測(cè)器會(huì)產(chǎn)生一定量的電流,而這些電流并不代表入射光。例如,熱能的波動(dòng)很容易被誤認(rèn)為是光強(qiáng)度的變化。存在各種各樣的“非光”貢獻(xiàn),當(dāng)它們相加時(shí),構(gòu)成了探測(cè)器內(nèi)的總噪聲。總信號(hào)輸出與噪聲水平的比率稱為信噪比(S/N),可用于確定噪聲是否會(huì)成為特定應(yīng)用的問題。雖然噪聲肯定是表征探測(cè)器的關(guān)鍵手段,但它只是選擇探測(cè)器時(shí)應(yīng)該考慮的特征之一。以下術(shù)語和定義框概述了有關(guān)探測(cè)器的一些關(guān)鍵問題。

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不同的工作模式

光伏(無偏壓):在光伏(PV)運(yùn)行期間,沒有外部偏壓施加到光電二極管上。由于暗電流是偏置幅度的函數(shù),PV操作消除了作為噪聲源的暗電流。在這種情況下,NEP(或噪聲等效功率)將更低,從而允許在較低波長下具有更高的靈敏度。這使其成為低信號(hào)檢測(cè)的理想選擇。一個(gè)缺點(diǎn)是在較高波長下的響應(yīng)率略低(見圖)。

光電導(dǎo)(偏置):在光電導(dǎo)(PC)操作期間,光電二極管上的反向偏置會(huì)帶來許多響應(yīng)優(yōu)勢(shì),例如更快的上升時(shí)間。這使得這種操作更適合高頻應(yīng)用。一個(gè)不便之處是,暗電流隨著施加的偏置電流而增加,因此噪聲被引入系統(tǒng)。

術(shù)語和定義

響應(yīng)度(R):探測(cè)器產(chǎn)生電信號(hào)的有效性的度量。光輸入(瓦特)和響應(yīng)率的乘積產(chǎn)生探測(cè)器的預(yù)測(cè)輸出(安培)。隨溫度變化。

檢測(cè)率(D):D是光電二極管檢測(cè)能力的度量。

電容(C):也稱為結(jié)電容,與光電二極管的上升時(shí)間有關(guān)。電容越小,上升時(shí)間越短,反之亦然。

暗電流(Id):在施加反向偏壓的黑暗中操作時(shí)與探測(cè)器相關(guān)的電流。溫度升高和反向偏壓將導(dǎo)致暗電流增加。此外,較大的有源區(qū)通常具有較高的暗電流。

擊穿電壓(BDV):探測(cè)器開始表現(xiàn)為導(dǎo)體的電壓。

噪聲等效功率(NEP):在探測(cè)器上產(chǎn)生與噪聲相等的信號(hào)所需的入射光功率。在這種情況下,信噪比等于1。

上升時(shí)間(Tr):探測(cè)器輸出從其最終值的10%到90%所需的時(shí)間。

飽和電流(Isat):最大水平,超過該水平,輸出電流偏離線性10%。

審核編輯 黃宇

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