SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢壘二極管介紹
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表貼封裝、實現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝，但通過確保足夠的爬電距離，可減輕采取特殊絕緣對策（灌封處理）的負擔(dān)。
本文將為各位工程師呈現(xiàn)該產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。另外，還可前往官網(wǎng)查看產(chǎn)品新聞。
產(chǎn)品特點
01
采用ROHM自有的封裝形狀，確保業(yè)界超寬的爬電距離
02
實現(xiàn)了Si快恢復(fù)二極管（Si FRD）無法實現(xiàn)的低開關(guān)損耗
產(chǎn)品陣容
01
寬爬電距離封裝SiC肖特基勢壘二極管
| 查看詳情 | SCS210ANHR | SCS212ANHR |
| SCS215ANHR | SCS220ANHR | SCS230ANHR |
| SCS205KNHR | SCS210KNHR | SCS220KNHR |
02
應(yīng)用示例
?車載設(shè)備車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、HV加熱器（PTC加熱器）等。
?工業(yè)設(shè)備工業(yè)機器人用AC伺服、光伏逆變器、充電樁、不間斷電源裝置（UPS）等。
03
SiC肖特基勢壘二極管 產(chǎn)品陣容
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2864瀏覽量
62811 -
肖特基勢壘二極管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
30瀏覽量
9289
原文標(biāo)題：新品資料 | 寬爬電距離封裝 SiC肖特基勢壘二極管
文章出處：【微信號：羅姆半導(dǎo)體集團，微信公眾號：羅姆半導(dǎo)體集團】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域 肖特基二極管在開關(guān)電源中的應(yīng)用
肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二極管，也可稱為肖特基勢壘二極管，屬
肖特基二極管工作原理 肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別
. 工作原理 肖特基二極管的工作原理基于金屬和半導(dǎo)體之間的能帶結(jié)構(gòu)差異。在金屬和N型半導(dǎo)體之間形成的肖特基勢壘，其特點是具有較低的勢壘高度和
ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC
肖特基二極管的工作原理和優(yōu)缺點
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和封裝形式
肖特基二極管，又稱熱載流子二極管或肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode，縮寫為SBD），是一種基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)（M-S結(jié)）的特殊
STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-05 11:36
?0次下載
支持電子設(shè)備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管
ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%，有助于進一步提高開關(guān)電源的效率。
肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別
肖特基二極管（Schottky Diode），也被稱為肖特基勢壘二極管，是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管（如普通二極管
肖特基勢壘二極管的特征有什么
肖特基勢壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管，而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD（硅
20 V，1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，1 A低VF肖特基勢壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 02-19 14:15
?0次下載
肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 02-19 13:45
?0次下載
具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計
北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能
英飛凌發(fā)布650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有
肖特基二極管常見型號 肖特基二極管和普通二極管區(qū)別
Schottky）于1938年首次提出并命名，肖特基二極管因此得名。 肖特基二極管的常見型號有1N5711、
工商網(wǎng)監(jiān)
評論