基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：

一、晶圓片制備優化

多次減薄處理：

采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可以制備出預設厚度小于70μm且厚度均勻性TTV為±0.5μm的晶圓片結構。

這種方法避免了石英玻璃本身機械性能脆弱易導致晶圓片結構碎裂的風險，同時保證了晶圓片結構正面電路的完整性。

拋光處理：

對多次減薄處理后的石英玻璃進行拋光處理，可以使表面粗糙度小于預設閾值，如表面粗糙度Ra小于1nm。

拋光處理能顯著增加散熱金屬層電鍍的致密性和附著力，從而有效改善晶圓片結構工作時的散熱能力。

二、外延生長方法改進

MOCVD法：

MOCVD（金屬有機化學氣相沉積法）是一種常用的外延生長方法。通過優化MOCVD工藝參數，如反應溫度、反應物濃度和載氣流速等，可以獲得高質量的外延GaN薄膜。

MOCVD法制備的產量大，生長周期短，適合用于大批量生產。但生長完畢后需要進行退火處理，且得到的薄膜可能會存在裂紋，影響產品質量。

MBE法：

MBE（分子束外延法）可以在較低的溫度下實現GaN的生長，有利于減少反應設備中NH3的揮發程度。

但MBE法的生長速率較慢，不能滿足大規模商業化生產的要求。同時，當采用等離子體輔助方式時，容易造成高能離子對薄膜的損傷。

HVPE法：

HVPE（氫化物氣相外延法）生長速度快，且生長的GaN晶體質量較好。但高溫反應對生產設備、生產成本和技術要求都比較高。

三、其他輔助措施

襯底選擇與處理：

選擇合適的襯底材料，如Si襯底，并對其進行適當的預處理，如清洗和拋光等，以提高外延生長的質量和均勻性。

溫度控制：

在外延生長過程中，精確控制反應腔內的溫度是至關重要的。可以采用先進的溫度傳感器（如UV 400系統）來實時監測外延片表面的溫度，以提高溫度控制的精度和穩定性。

氣氛控制：

控制反應腔內的氣氛，如NH3的分壓和載氣的流量等，以優化外延生長的條件。

后續處理：

在外延生長完成后，對晶圓片進行后續的退火、清洗和檢測等處理，以確保其質量和性能符合要求。

綜上所述，基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法涉及晶圓片制備優化、外延生長方法改進以及其他輔助措施等多個方面。通過綜合運用這些方法和技術，可以制備出高質量、高性能的GaN外延晶圓片。

四、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多層結構，厚度可從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm ，精度可達1nm。

1，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，一改過去傳統晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。