臺積電25日宣布與海思半導體有限公司合作，已成功產出業界首顆以FinFET工藝及ARM架構為基礎之功能完備的網通處理器。這項里程碑強力證明了雙方深入合作的成果，同時也展現了臺積電堅持提供業界領先技術的承諾，以滿足客戶對下一世代高效能及具節能效益產品之與日俱增的需求。

臺積電的16FinFET工藝能夠顯著改善速度與功率，并且降低漏電流，有效克服先進系統單芯片技術微縮時所產生的關鍵障礙。相較于臺積電的28納米高效能行動運算（28HPM）工藝，16FinFET工藝的芯片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。

臺積電總經理暨共同執行長劉德音博士表示：“我們在FinFET領域的研發已經超過十年，很高興龐大的努力獲得回饋并締造此項成就。我們相信能發揮此項技術的最大效益，并在專業集成電路服務領域的先進工藝上，繼續保持長期領先地位的優良紀錄。”

臺積電的16FinFET工藝早于2013年十一月即完成所有可靠性驗證，良率表現優異，并進入試產階段，為臺積電與客戶的產品設計定案、試產活動與初期送樣打下良好基礎。

藉由臺積電的16FinFET工藝，海思半導體得以生產具顯著效能與功耗優勢的全新處理器，以支持高階網通應用產品。海思半導體同時亦采用臺積電經過生產驗證且能整合多元技術芯片的CoWoS?三維集成電路封裝技術，能有效整合16納米邏輯芯片與28納米輸出/輸入芯片，提供具成本效益的系統解決方案。

海思半導體總裁何庭波表示：“很高興在臺積電FinFET技術及CoWoS?解決方案的支持下，我們成功開發下一代面向無線通信和路由器應用的通信處理器并得以量產。該芯片采用ARM V8架構，集成32核A57，主頻可達2.6GHz，使用CoWoS?封裝技術,具有豐富的通信接口和通信加速器。該芯片的調度、轉發和信令處理能力較前一代芯片性能提升3倍，支持虛擬化，可以支持SDN和NFV，應用于未來的基站、路由器、核心網等通信設備。通過大幅提升關鍵指標，極大提升了產品的競爭力。”