隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,集成電路(IC)的小型化、高密度集成、多功能高性能集成以及低成本集成成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。在這一背景下,3D集成晶圓鍵合技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,成為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文將深入探討3D集成晶圓鍵合裝備的現(xiàn)狀及研究進(jìn)展,分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)、面臨的挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
技術(shù)原理
3D集成晶圓鍵合技術(shù)是一種將多個(gè)晶圓或芯片在垂直于晶圓或芯片平面的方向上進(jìn)行堆疊的技術(shù)。通過晶圓鍵合設(shè)備,將兩塊同質(zhì)或異質(zhì)晶片緊密地結(jié)合起來,實(shí)現(xiàn)微電子材料、光電材料及其納米等級(jí)微機(jī)電元件的電氣互聯(lián)、功能集成和器件封裝。晶圓鍵合設(shè)備通過化學(xué)和物理作用,使晶片接合后,界面的原子受到外力的作用而產(chǎn)生反應(yīng)形成共價(jià)鍵結(jié)合成一體,達(dá)到特定的鍵合強(qiáng)度,稱之為永久性鍵合。若借助粘結(jié)劑將晶片接合,也可作為臨時(shí)鍵合,為超薄器件晶圓提供足夠的機(jī)械支撐,保證器件晶圓能夠順利安全地完成后續(xù)工藝制程。
技術(shù)類型
晶圓鍵合工藝主要包括直接鍵合、中間層鍵合和表面活化鍵合等幾種類型。直接鍵合是將兩片表面平整、清潔的晶圓在高溫下緊密貼合,通過分子間的范德華力實(shí)現(xiàn)鍵合。中間層鍵合則是在兩片晶圓之間引入一層中間材料,如氧化物、金屬或有機(jī)物等,通過這層中間材料的粘附作用實(shí)現(xiàn)鍵合。表面活化鍵合則是利用化學(xué)或物理方法處理晶圓表面,使其表面產(chǎn)生活性基團(tuán),從而增強(qiáng)晶圓之間的鍵合強(qiáng)度。
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
提高集成度:3D集成晶圓鍵合技術(shù)可以將多個(gè)芯片或器件堆疊在一起,顯著提高集成度,滿足電子系統(tǒng)小型化高密度集成的需求。
提升性能:通過垂直堆疊,可以縮短信號(hào)傳輸路徑,降低功耗,提高數(shù)據(jù)傳輸速度和系統(tǒng)性能。
降低成本:3D集成晶圓鍵合技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同材料、不同功能層之間的集成,提高器件的性能和可靠性,從而降低整體成本。
促進(jìn)異構(gòu)集成:3D集成晶圓鍵合技術(shù)可以促進(jìn)化合物半導(dǎo)體、CMOS、MEMS等芯片的集成,充分發(fā)揮不同材料、器件和結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)挑戰(zhàn)
盡管3D集成晶圓鍵合技術(shù)具有諸多優(yōu)勢(shì),但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨諸多挑戰(zhàn):
晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度:在鍵合過程中,需要確保晶圓之間的高精度對(duì)準(zhǔn),以避免錯(cuò)位或扭曲。
鍵合完整性:晶圓鍵合需要實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,并最小化鍵合界面處的互連面積,從而騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。
晶圓減薄與均勻性控制:在鍵合前,通常需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄處理,以確保最終封裝中的可靠連接。同時(shí),需要控制晶圓表面的均勻性,以避免翹曲變形。
層內(nèi)(層間)互聯(lián):在3D集成中,如何實(shí)現(xiàn)不同層之間的有效互聯(lián)是一個(gè)關(guān)鍵問題。
研究進(jìn)展
近年來,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,3D集成晶圓鍵合技術(shù)取得了顯著進(jìn)展。以下是幾個(gè)重要的研究方向和應(yīng)用實(shí)例:
高真空全自動(dòng)晶圓鍵合設(shè)備:中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所(中電科二所)突破了集成電路高端核心裝備技術(shù)問題,成功研發(fā)出高真空全自動(dòng)晶圓鍵合設(shè)備。該設(shè)備在亞微米級(jí)晶圓超精密對(duì)準(zhǔn)、大壓力高溫度高均勻性晶圓鍵合、高真空集束型晶圓傳輸平臺(tái)及機(jī)器人精密運(yùn)動(dòng)控制等關(guān)鍵技術(shù)方面均實(shí)現(xiàn)了突破,達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。
SmartView?NT3對(duì)準(zhǔn)器:面向MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV Group(EVG)推出了新的SmartView?NT3對(duì)準(zhǔn)器。該對(duì)準(zhǔn)器具有不到50 nm的晶片到晶片對(duì)準(zhǔn)精度,提高了2-3倍,并且吞吐量顯著提高(每小時(shí)最多20個(gè)晶片)。結(jié)合GEMINI?FB XT集成熔融晶圓鍵合系統(tǒng),EVG為業(yè)界提供了業(yè)界無法匹敵的晶片鍵合性能,滿足未來的3D-IC封裝要求。
混合鍵合技術(shù):混合鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù),它結(jié)合了金屬鍵合和介電鍵合的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了不同芯片之間的高密度、高性能互聯(lián)。該技術(shù)能夠在不使用傳統(tǒng)焊料凸點(diǎn)的情況下,直接連接晶圓或芯片,極大地縮小了芯片間距,并實(shí)現(xiàn)了垂直堆疊。例如,IMEC的研究人員通過混合鍵合技術(shù)成功地將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。
晶圓級(jí)封裝鍵合技術(shù):隨著摩爾定律逼近材料與器件的物理極限,源于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)的晶圓級(jí)封裝鍵合技術(shù)逐漸進(jìn)入集成電路制造領(lǐng)域。該技術(shù)通過實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器、邏輯器件、射頻器件等部件的三維堆疊同質(zhì)/異質(zhì)集成,提升器件性能和功能,降低系統(tǒng)功耗、尺寸與制造成本。
市場(chǎng)現(xiàn)狀
全球晶圓鍵合設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)出蓬勃的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù),2018年全球晶圓鍵合設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)總收入約為248.52百萬美金,到2022年達(dá)到318.85百萬美元,預(yù)測(cè)2029年有望達(dá)到398.63百萬美元,2023到2029年的年均增長(zhǎng)率為6.96%。全球晶圓鍵合設(shè)備消費(fèi)市場(chǎng)主要集中在中國(guó)、日本、歐洲和美國(guó)等地區(qū)。其中,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展較快,晶圓鍵合設(shè)備銷量份額最大,2022年占據(jù)全球的40%。
未來發(fā)展趨勢(shì)
高精度、高穩(wěn)定性:隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,晶圓鍵合設(shè)備將朝著更高精度、更高穩(wěn)定性的方向發(fā)展。智能化、自動(dòng)化技術(shù)的應(yīng)用將提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
多功能、集成化:為了滿足不同領(lǐng)域的需求,晶圓鍵合設(shè)備將朝著多功能、集成化的方向發(fā)展。未來的設(shè)備將集成更多的功能模塊,實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的工藝過程。
綠色環(huán)保、節(jié)能減排:隨著全球環(huán)保意識(shí)的不斷提高和能源消耗的不斷增加,晶圓鍵合設(shè)備將朝著綠色環(huán)保、節(jié)能減排的方向發(fā)展。通過采用新型材料和工藝,降低生產(chǎn)過程中的能耗和污染。
新材料和新工藝的探索:研究人員將繼續(xù)探索新材料和新工藝在晶圓鍵合技術(shù)中的應(yīng)用。例如,SiCN等新型介電材料可能替代傳統(tǒng)的SiO2或SiN材料,以提高鍵合強(qiáng)度和可靠性。同時(shí),化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)等工藝的優(yōu)化也將有助于提升芯片表面的平整度和連接質(zhì)量。
結(jié)論
3D集成晶圓鍵合技術(shù)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,對(duì)于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用具有重要意義。隨著市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大和技術(shù)的不斷進(jìn)步,晶圓鍵合設(shè)備市場(chǎng)將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。然而,面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和不斷變化的市場(chǎng)需求,晶圓鍵合設(shè)備廠商需要不斷加大研發(fā)投入和市場(chǎng)拓展力度,提升自身競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí),他們也需要密切關(guān)注市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),及時(shí)調(diào)整戰(zhàn)略方向和產(chǎn)品布局,以抓住市場(chǎng)機(jī)遇并推動(dòng)行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27390瀏覽量
219028 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4917瀏覽量
128018 -
單片3D集成
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
4714
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論