色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜有什么影響

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:晶格半導(dǎo)體 ? 2024-11-08 11:28 ? 次閱讀
本文介紹了磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的影響。

磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的性能有著決定性的影響。這些參數(shù)包括濺射氣壓、濺射功率、靶基距、基底溫度、偏置電壓、濺射氣體等。通過精確控制這些參數(shù),可以優(yōu)化薄膜的物理、化學(xué)和機械性能。

濺射氣壓

1. 對薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響:氣壓過高時,氣體電離程度提高,但濺射原子在到達襯底前的碰撞次數(shù)增多,損失大量能量,導(dǎo)致到達襯底后遷移能力受限,結(jié)晶質(zhì)量變差,薄膜可能呈現(xiàn)出非晶態(tài)或結(jié)晶不完整的狀態(tài);氣壓過低時,氣體電離困難,難以發(fā)生濺射起輝效果,沉積速率極低,無法形成連續(xù)的薄膜。適中的濺射氣壓能保證濺射粒子有足夠的能量到達襯底并進行良好的結(jié)晶,使薄膜具有較好的結(jié)晶質(zhì)量。

2. 對薄膜表面粗糙度的影響:合適的濺射氣壓下,濺射原子能夠均勻地沉積在襯底上,形成較為光滑的薄膜表面。如果氣壓過高或過低,都會破壞這種均勻性,導(dǎo)致薄膜表面粗糙度增加。例如,氣壓過高時,大量的濺射原子在碰撞后以不均勻的方式到達襯底,會使表面粗糙度增大。

3. 對薄膜致密度的影響:氣壓較低時,濺射原子的平均自由程較長,到達襯底時能量較高,能夠更好地填充薄膜中的孔隙,使薄膜致密度增加;而氣壓過高時,濺射原子的能量損失較大,無法有效地填充孔隙,導(dǎo)致薄膜致密度降低。

濺射功率

1. 對沉積速率的影響:濺射功率增加,靶材表面受到的氬離子轟擊能量增強,濺射產(chǎn)額提高,從而使沉積速率加快。但當(dāng)濺射功率過高時,可能會導(dǎo)致靶材表面過熱,甚至出現(xiàn)靶材“中毒”現(xiàn)象,反而會影響沉積速率的穩(wěn)定性。

2. 對薄膜結(jié)構(gòu)的影響:低濺射功率下,濺射原子到達襯底的能量較低,原子的遷移能力較弱,薄膜的晶粒尺寸較小,可能形成多晶或非晶結(jié)構(gòu);高濺射功率下,原子的能量較高,原子的遷移和擴散能力增強,有利于晶粒的生長和結(jié)晶,薄膜可能呈現(xiàn)出較大的晶粒尺寸和較好的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。

3. 對薄膜應(yīng)力的影響:濺射功率的變化會改變薄膜的生長速率和微觀結(jié)構(gòu),從而影響薄膜中的應(yīng)力狀態(tài)。一般來說,高濺射功率下沉積的薄膜應(yīng)力較大,這是因為快速的沉積過程中,薄膜中的原子來不及充分調(diào)整位置,導(dǎo)致應(yīng)力積累。

靶基距

1. 對沉積速率的影響:靶基距過大,濺射原子在飛行過程中與氣體分子的碰撞次數(shù)增多,能量損失嚴重,到達襯底的濺射原子數(shù)量減少,沉積速率降低;靶基距過小,雖然濺射原子的能量損失較小,但由于濺射原子的分布過于集中,也會影響沉積速率的均勻性。

2. 對薄膜均勻性的影響:合適的靶基距能夠使濺射原子在襯底上均勻分布,從而形成均勻的薄膜。如果靶基距不均勻或不合適,會導(dǎo)致薄膜在不同位置的厚度和性能出現(xiàn)差異,影響薄膜的整體質(zhì)量。

襯底溫度

1. 對薄膜結(jié)晶性的影響:襯底溫度較低時,濺射原子在襯底表面的擴散能力較弱,原子來不及進行有序排列,薄膜容易形成無定形結(jié)構(gòu);隨著襯底溫度的升高,原子的擴散能力增強,薄膜的結(jié)晶性提高,晶粒尺寸增大,結(jié)晶更加完整。

2. 對薄膜附著力的影響:適當(dāng)提高襯底溫度,能夠增強薄膜與襯底之間的附著力。這是因為高溫下,薄膜和襯底之間的界面處原子的相互擴散和化學(xué)反應(yīng)增強,形成了更牢固的結(jié)合。但如果襯底溫度過高,可能會導(dǎo)致襯底和薄膜的熱膨脹系數(shù)差異增大,產(chǎn)生熱應(yīng)力,反而會降低附著力。

偏置電壓(若有)

1. 對薄膜質(zhì)量的影響:在襯底上施加適當(dāng)?shù)钠秒妷海軌蚴篂R射出來的離子獲得動能,加速飛向襯底并對襯底進行轟擊,去除襯底表面結(jié)合不牢固的原子,留下結(jié)合緊密、缺陷少的薄膜原子,從而提高成膜質(zhì)量。同時,偏置電壓還能吸引一部分氬離子,對襯底表面雜質(zhì)進行清潔,進一步提高薄膜質(zhì)量。

2. 對薄膜孔隙率的影響:偏置電壓使沉積離子的能量提高,離子的遷移率增加,能夠打入襯底表面,減少薄膜的孔隙率,提高薄膜的致密度,使薄膜的性能更加優(yōu)異。但偏置電壓過高時,會產(chǎn)生嚴重的反濺射現(xiàn)象,降低濺射速率,使薄膜內(nèi)部產(chǎn)生缺陷。

濺射氣體

1. 對薄膜成分的影響:濺射氣體的種類和流量會影響濺射過程中靶材原子與氣體分子的反應(yīng),從而改變薄膜的成分。例如,在濺射金屬靶材時,如果通入氧氣等反應(yīng)性氣體,可能會在薄膜中形成金屬氧化物;如果通入氮氣,則可能形成金屬氮化物。

2. 對薄膜性能的影響:濺射氣體的壓力和流量還會影響濺射原子的能量和數(shù)量,進而影響薄膜的性能。例如,氣體流量過大時,會導(dǎo)致濺射原子的能量降低,影響薄膜的結(jié)晶性和致密度;氣體流量過小時,可能會使濺射過程不穩(wěn)定,影響薄膜的均勻性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 薄膜
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    307

    瀏覽量

    30754
  • 磁控濺射鍍膜
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    6134

原文標題:磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)對薄膜的影響

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 1人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    質(zhì)量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應(yīng)用

    的反復(fù)進行,做出堆疊起來的導(dǎo)電或絕緣層。 用來鍍膜的這個設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備,制造工藝按照其成膜方法可分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)。 在沉積過程中進行穩(wěn)定和精確的氣體控制 物理氣相沉積是Sensir
    發(fā)表于 04-16 14:25 ?593次閱讀
    質(zhì)量流量控制器在<b class='flag-5'>薄膜</b>沉積<b class='flag-5'>工藝</b>中的應(yīng)用

    貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

    印刷工藝,通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極,再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體,其電阻膜厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運用真空蒸發(fā)、磁控濺射工藝方法,在氧化鋁陶瓷基底上通
    的頭像 發(fā)表于 04-07 15:08 ?158次閱讀
    貼片電阻的厚膜與<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>工藝</b>之別

    光學(xué)鏡片鍍膜上下料機器人

    在當(dāng)今競爭激烈的制造業(yè)領(lǐng)域,鍍膜工藝作為提升產(chǎn)品性能和品質(zhì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),受到了廣泛關(guān)注。而鍍膜上下料環(huán)節(jié)的效率和精度,又直接影響著整個鍍膜生產(chǎn)的質(zhì)量和成本。富唯智能
    的頭像 發(fā)表于 02-17 15:20 ?203次閱讀
    光學(xué)鏡片<b class='flag-5'>鍍膜</b>上下料機器人

    磁性靶材磁控濺射成膜影響因素

    深入探討了磁性靶材鎳在磁控濺射過程中的關(guān)鍵影響因素,包括靶材磁性對磁場分布的作用、工藝參數(shù)的優(yōu)化、靶材特性、基片處理、濺射環(huán)境控制、系統(tǒng)配置調(diào)整以及
    的頭像 發(fā)表于 02-09 09:51 ?577次閱讀
    磁性靶材<b class='flag-5'>磁控濺射</b>成膜影響因素

    刻蝕工藝參數(shù)哪些

    本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)哪些。 刻蝕是芯片制造中一個至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層,以達到特定的設(shè)計要求。本文將介紹幾種關(guān)鍵的刻蝕參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:03 ?1392次閱讀
    刻蝕<b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>參數(shù)</b><b class='flag-5'>有</b>哪些

    鍍膜的性能測試方法

    電鍍是一種在金屬表面覆蓋一層金屬膜的工藝,用于提高金屬的耐腐蝕性、耐磨性、裝飾性等性能。電鍍膜的性能直接影響到產(chǎn)品的使用壽命和外觀。因此,對電鍍膜進行性能測試是電鍍工藝中不可或缺的一部
    的頭像 發(fā)表于 11-28 14:21 ?941次閱讀

    薄膜電阻和厚膜電阻區(qū)別介紹

    ? ? 厚膜電阻:采用絲網(wǎng)印刷工藝,通過將特殊糊劑燒制到基板上制成,通常包含玻璃和金屬氧化物的混合物。 薄膜電阻:使用真空蒸發(fā)、磁控濺射工藝,在絕緣基板上通過真空沉積形成鎳鉻
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:05 ?1143次閱讀
    <b class='flag-5'>薄膜</b>電阻和厚膜電阻區(qū)別介紹

    濺射薄膜性能的表征與優(yōu)化

    在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,薄膜技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。而磁控濺射鍍膜作為一種常用的薄膜制備方法,其工藝的成功與否關(guān)鍵在于對
    的頭像 發(fā)表于 11-22 10:35 ?444次閱讀

    如何辨別薄膜電阻與厚膜電阻?

    通常比厚膜電阻小。這是因為薄膜電阻的制作工藝(如真空蒸發(fā)、磁控濺射等)能夠形成更精細的薄膜層,而厚膜電阻則通過印刷或噴涂技術(shù)形成較厚的電阻層。 二、膜厚度
    的頭像 發(fā)表于 11-18 15:12 ?688次閱讀
    如何辨別<b class='flag-5'>薄膜</b>電阻與厚膜電阻?

    Bumping工藝升級,PVD濺射技術(shù)成關(guān)鍵推手

    在半導(dǎo)體封裝的bumping工藝中,PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)濺射技術(shù)扮演了一個非常關(guān)鍵的角色。Bumping工藝,即凸塊制造技術(shù),是現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:32 ?1585次閱讀
    Bumping<b class='flag-5'>工藝</b>升級,PVD<b class='flag-5'>濺射</b>技術(shù)成關(guān)鍵推手

    淺談薄膜沉積

    薄膜沉積工藝技術(shù)介紹 薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以各種各樣的材料,比如絕緣化合物二氧化硅,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。從半導(dǎo)體芯片制作
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2572次閱讀

    一文詳解半導(dǎo)體薄膜沉積工藝

    半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料,它們在芯片的各個層次中發(fā)揮著不同的作用,如導(dǎo)電、絕緣、保護等。薄膜的質(zhì)量直接影響到芯片的性能、
    的頭像 發(fā)表于 10-31 15:57 ?1905次閱讀
    一文詳解半導(dǎo)體<b class='flag-5'>薄膜</b>沉積<b class='flag-5'>工藝</b>

    原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

    本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技術(shù)解決的問題以及這項技術(shù)的優(yōu)越性。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 15:21 ?678次閱讀
    原子層<b class='flag-5'>鍍膜</b>在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

    sio2膜層鍍膜如何解決膜裂

    SiO?膜層鍍膜過程中出現(xiàn)的膜裂問題,可以通過多種方法來解決。以下是一些主要的解決策略: 1. 優(yōu)化鍍膜工藝 蒸發(fā)速度控制 :蒸發(fā)速度的設(shè)置對膜層厚度直接的影響,進而影響膜層的應(yīng)力和
    的頭像 發(fā)表于 09-27 10:08 ?1350次閱讀

    薄膜電阻的特點哪些

    薄膜電阻是一種廣泛應(yīng)用于電子、通信、醫(yī)療、航空航天等領(lǐng)域的電阻器件。它具有許多獨特的特點和優(yōu)勢,使得薄膜電阻在許多應(yīng)用場景中具有不可替代的地位。 薄膜電阻的結(jié)構(gòu)特點 薄膜電阻是一種由
    的頭像 發(fā)表于 08-19 15:12 ?1295次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 精品国产九九 | 亚洲精品第一页中文字幕 | 拔萝卜电视剧高清免费 | 青青草原免费在线 | 天天躁夜夜踩很很踩2022 | 国产亚洲日韩另类在线观看 | 欧美人与禽zoz0性伦交app | 国产精品一区二区20P | 久久久午夜精品福利内容 | 伊人激情综合网 | 亚洲午夜一区二区电影院 | 99久久国产综合精品成人影院 | 欧美午夜理伦三级在线观看 | 久草在线精彩免费视频 | 麻豆区蜜芽区 | 电影内射视频免费观看 | 中文有码中文字幕免费视频 | 91久久偷偷做嫩草影院免 | 教室眠催白丝美女校花 | 99er4久久视频精品首页 | 91亚洲 欧美 国产 制服 动漫 | 九九精品国产亚洲A片无码 九九精彩视频在线观看视频 | 国模大胆一区二区三区 | 伊人久久大香线蕉综合影 | 24小时日本在线观看片 | 亚洲精品久久久久69影院 | 忘忧草下载 | 欧美阿v在线天堂 | 涩涩电影网 | 黄色三级图片 | 精品国产午夜肉伦伦影院 | 第四色播日韩AV第一页 | 老司机福利在视频在ae8 | 青青草原国产在线 | 亚洲中文字幕无码一久久区 | 5278欧美一区二区三区 | 欧美特级特黄AAAAA片 | 狠狠狠狠狠狠干 | 国产午夜一区二区三区免费视频 | 动漫美女被到爽了流 | 入禽太深视频免费视频 |

    電子發(fā)燒友

    中國電子工程師最喜歡的網(wǎng)站

    • 2931785位工程師會員交流學(xué)習(xí)
    • 獲取您個性化的科技前沿技術(shù)信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品