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英飛凌推出新款CoolGaN?晶體管,促進(jìn)高壓器件市場(chǎng)發(fā)展

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-11-05 11:18 ? 次閱讀

英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650 V G5,進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推出,不僅為消費(fèi)和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)提供了新的技術(shù)選擇,也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統(tǒng)、電視、數(shù)據(jù)中心和電信整流器,以及可再生能源和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用提供了支持。

CoolGaN 650 V G5晶體管旨在直接替代CoolGaN晶體管600 V G1,旨在促進(jìn)現(xiàn)有平臺(tái)的迅速重新設(shè)計(jì)。這一新一代產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上進(jìn)行了優(yōu)化,確保其在關(guān)鍵應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)性能具有競(jìng)爭(zhēng)力。相較于之前的產(chǎn)品系列,CoolGaN 650 V G5在多個(gè)性能指標(biāo)上都顯著提升,例如輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)減少了50%,漏源電荷(Qoss)減少了60%,而柵極電荷(Qg)同樣減少了60%。這些顯著的改進(jìn)使得其在軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的效率,功率損耗相比傳統(tǒng)硅技術(shù)大幅降低,降低范圍在20%至60%之間,這一幅度取決于具體應(yīng)用場(chǎng)景。

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除了效率的提升,CoolGaN 650 V G5的高頻運(yùn)行能力也得到了增強(qiáng),使得器件在保持極低功率損耗的同時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的功率密度。這一特性使得SMPS應(yīng)用在體積上更小、更輕,或者在特定外形尺寸內(nèi)能夠擴(kuò)展輸出功率范圍,從而為工程師在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)提供更多靈活性。

新推出的高壓晶體管系列還提供了多種RDS(on)封裝組合選擇,以滿(mǎn)足不同應(yīng)用需求。ThinPAK 5×6、DFN 8×8、TOLL和TOLT等封裝類(lèi)型均屬于提供多達(dá)十種RDS(on)類(lèi)別的SMD封裝。這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線(xiàn)上制造,而英飛凌未來(lái)還計(jì)劃將CoolGaN產(chǎn)品線(xiàn)轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn),這將進(jìn)一步增強(qiáng)其CoolGaN的產(chǎn)能,確保氮化鎵功率市場(chǎng)的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。

根據(jù)Yole Group的預(yù)測(cè),GaN功率市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2029年將達(dá)到20億美元,英飛凌憑借CoolGaN 650 V G5的推出,正積極布局這一快速發(fā)展的市場(chǎng)。公司希望通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化,為客戶(hù)提供更高效、更可靠的解決方案,以滿(mǎn)足未來(lái)市場(chǎng)的需求。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域,為客戶(hù)提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)MCU)、觸摸芯片,是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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