在芯片制造過程中，測試是非常重要的一環，它確保了芯片的性能和質量。芯片測試涉及到許多專業術語這其中，CP（Chip Probing），FT（Final Test），WAT（Wafer Acceptance Test）是三個至關重要的測試流程，要深入理解半導體制造的全過程，我就必須清楚這三個測試流程的特點與區別。

1. CP（Circuit Probing）測試

CP測試是一種在芯片制造過程中的早期階段進行的測試，主要目的是檢測芯片上的缺陷和故障。在CP測試中，探針卡被用來接觸芯片上的每個接觸點，以測量其電氣性能。通過CP測試，制造商可以確定哪些芯片是合格的，哪些需要進行進一步的處理或改進。CP測試是確保芯片質量的關鍵步驟之一，因為它可以在制造過程的早期階段發現和修復問題，避免了后續工序中的浪費和損失。

2. FT（Function Test）測試

FT測試是一種全面的測試，旨在驗證芯片是否按照設計要求正常工作。FT測試通常在封裝后的芯片上進行，使用自動測試設備和測試程序來驗證芯片的功能和性能。FT測試可以檢測到芯片的邏輯錯誤、時序問題、電源噪聲和其他潛在的缺陷。通過FT測試，制造商可以確保芯片符合設計規格和性能要求，并將合格的芯片交付給最終用戶。

3. WAT（Wafer Acceptance Test）測試

WAT測試是在制造過程的最后階段進行的測試，目的是確認所有工藝步驟都已正確執行，并且芯片可以正常工作。WAT測試通常在晶圓級別上進行，使用自動測試設備來檢查每個芯片的電氣性能和可靠性。通過WAT測試，制造商可以確保晶圓的所有芯片都是合格的，并可以繼續進行封裝和最終測試。WAT測試是保證晶圓質量和一致性的重要手段，有助于降低生產成本和減少不良品的數量。

以上是芯片測試中常用的三個術語及解釋，它們在芯片制造過程中起著至關重要的作用。通過這些測試，制造商可以確保每個芯片都符合設計要求和性能標準，從而提高產品的可靠性和質量。隨著技術的不斷進步和芯片制造工藝的不斷發展，相信未來還會出現更多的專業術語和技術名詞，需要我們不斷學習和了解。

簡單通俗一點來說，CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。

現在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。

CP對整片Wafer的每個Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer AcceptanceTest，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數來監控各步工藝是否正常和穩定；

CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高；

FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CPpassed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試；

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual，CP測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

CP是對wafer進行測試，檢查fab廠制造的工藝水平，FT是對package進行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平。

對于測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試，在FT時就不用再次進行測試了，節省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）

一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點。還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，1個是監控前道工藝良率，另一個是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項比FT要少些。最簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項只能在封裝后的FT測。不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。

應該說WAT的測試項和CP/FT是不同的。CP不是制造（FAB）測的！

而CP的項目是從屬于FT的（也就是說CP測的只會比FT少），項目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；因為封裝都會導致參數漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。還有相當多的DH把wafer做成幾個系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

WAT：wafer level 的管芯或結構測試

CP：wafer level 的電路測試含功能

FT：device level 的電路測試含功能

CP=chip probing

FT=Final Test

CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過bumpwafer是在裝上錫球，probing后就沒有FT

FT是在封裝之后，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket

CP比較常見的是roomtemperature=25度，FT可能一般就是75或90度

CP沒有QA buy-off（質量認證、驗收），FT有CP兩方面：監控工藝，覺得probe實際屬于FAB范疇。

控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修復，最有利于控制成本。

FT:終測通常是測試項最多的測試了，有些還要求3溫測試，成本也最大。

至于測試項，如果測試時間很長，CP和FT如果都可以測，像trim項，加在probe能顯著降低時間成本，需要看客戶要求。關于大電流測試，FT較多。

有些PAD會封裝到device內部，在FT是看不到的，所以有些測試項只能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss CP測試主要是挑壞die，修補die，然后保證die在基本的spec內，functionwell。

FT測試主要是package完成后，保證die在嚴格的spec內能夠function。

CP的難點在于，如何在最短的時間內挑出壞die，修補die。

FT的難點在于，如何在最短的時間內，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。

總的來說，CP、FT、WAT三種測試方法分別關注芯片制造的不同階段和方面。CP重點在于晶圓層面篩選出功能不良的芯片；FT則確保封裝后的芯片完全符合設計標準；而WAT則貫穿整個生產過程，著眼于晶圓本身的質量控制。

通過這三種測試的結合應用，能大大提升芯片的整體質量，降低生產成本，確保半導體產品的可靠性和穩定性。在快速發展的半導體行業中，有效的測試流程是保持競爭力的關鍵因素之一。