過去30年來，MEMS開關(guān)一直被認(rèn)為是性能有限的機(jī)電繼電器的出色替代器件，因?yàn)樗子谑褂茫叽绾苄。軌蛞詷O小的損耗可靠地傳送0 Hz/dc至數(shù)百GHz信號(hào)，有望徹底改變電子系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方式。這種性能優(yōu)勢(shì)會(huì)對(duì)大量不同的設(shè)備和應(yīng)用產(chǎn)生重要影響。在MEMS開關(guān)技術(shù)的幫助下，很多領(lǐng)域都將達(dá)到前所未有的性能水準(zhǔn)和尺寸規(guī)格，包括電氣測(cè)試與測(cè)量系統(tǒng)、防務(wù)系統(tǒng)應(yīng)用、醫(yī)療保健設(shè)備。

與繼電器相比，MEMS技術(shù)一直就有實(shí)現(xiàn)最高水平RF開關(guān)性能的潛力，其可靠性要高出好幾個(gè)數(shù)量級(jí)，而且尺寸很小。但是，難以通過大規(guī)模生產(chǎn)來大批量提供可靠產(chǎn)品的挑戰(zhàn)，讓許多試圖開發(fā)MEMS開關(guān)技術(shù)的公司停滯不前。Foxboro Company是最早開始MEMS開關(guān)研究的公司之一，其于1984年申請(qǐng)了世界最早的機(jī)電開關(guān)專利之一。

ADI自1990年開始通過一些學(xué)術(shù)項(xiàng)目涉足MEMS開關(guān)技術(shù)研究。到1998年，ADI終于開發(fā)出一種MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)，并根據(jù)該設(shè)計(jì)制作了一些早期原型產(chǎn)品。2011年，ADI大幅增加了MEMS開關(guān)項(xiàng)目投入，從而推動(dòng)了自有先進(jìn)MEMS開關(guān)制造設(shè)施的建設(shè)。現(xiàn)在，ADI已能夠滿足業(yè)界一直以來的需求：量產(chǎn)、可靠、高性能、小尺寸的MEMS開關(guān)取代衰老的繼電器技術(shù)。

圖1. ADI MEMS開關(guān)技術(shù)

ADI與MEMS技術(shù)有著深厚的歷史淵源。世界上第一款成功開發(fā)、制造并商用的MEMS加速度計(jì)是ADI于1991年發(fā)布的ADXL50加速度計(jì)。ADI于2002年發(fā)布第一款集成式MEMS陀螺儀ADXRS150，以此為開端，ADI建立了龐大的MEMS產(chǎn)品業(yè)務(wù)和無可匹敵的高可靠性、高性能MEMS產(chǎn)品制造商聲譽(yù)。ADI已為汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用交付了逾10億只慣性傳感器。正是這種優(yōu)良傳統(tǒng)所帶來的經(jīng)驗(yàn)和信念將MEMS開關(guān)技術(shù)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。

ADI MEMS開關(guān)技術(shù)的關(guān)鍵是靜電驅(qū)動(dòng)的微加工懸臂梁開關(guān)元件概念。本質(zhì)上可以將它視作微米尺度的機(jī)械開關(guān)，其金屬對(duì)金屬觸點(diǎn)通過靜電驅(qū)動(dòng)。

開關(guān)采用三端子配置進(jìn)行連接。功能上可以將這些端子視為源極、柵極和漏極。圖2是開關(guān)的簡(jiǎn)化示意圖，情況A表示開關(guān)處于斷開位置。將一個(gè)直流電壓施加于柵極時(shí)，開關(guān)梁上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)靜電下拉力。這種靜電力與平行板電容的正負(fù)帶電板之間的吸引力是相同的。當(dāng)柵極電壓斜升至足夠高的值時(shí)，它會(huì)產(chǎn)生足夠大的吸引力（紅色箭頭）來克服開關(guān)梁的彈簧阻力，開關(guān)梁開始向下移動(dòng)，直至觸點(diǎn)接觸漏極。

圖2. MEMS開關(guān)動(dòng)作過程，A和C表示開關(guān)關(guān)斷，B表示開關(guān)接通

該過程如圖2中的情況B所示。因此，源極和漏極之間的電路閉合，開關(guān)現(xiàn)已接通。拉下開關(guān)梁所需的實(shí)際力大小與懸臂梁的彈簧常數(shù)及其對(duì)運(yùn)動(dòng)的阻力有關(guān)。注意：即使在接通位置，開關(guān)梁仍有上拉開關(guān)的彈簧力（藍(lán)色箭頭），但只要下拉靜電力（紅色箭頭）更大，開關(guān)就會(huì)保持接通狀態(tài)。最后，當(dāng)移除柵極電壓時(shí)（圖2中的情況C），即柵極電極上為0 V時(shí)，靜電吸引力消失，開關(guān)梁作為彈簧具有足夠大的恢復(fù)力（藍(lán)色箭頭）來斷開源極和漏極之間的連接，然后回到原始關(guān)斷位置。

圖3顯示了利用MEMS技術(shù)制造開關(guān)的四個(gè)主要步驟。開關(guān)建構(gòu)在一個(gè)高電阻率硅晶圓(1)上，晶圓上面沉積一層很厚的電介質(zhì)，以便提供與下方襯底的優(yōu)良電氣隔離。利用標(biāo)準(zhǔn)后端CMOS互連工藝實(shí)現(xiàn)到MEMS開關(guān)的互連。低電阻率金屬和多晶硅用于形成到MEMS開關(guān)的電氣連接，并且嵌入到電介質(zhì)層(2)中。標(biāo)示為紅色的金屬過孔(2)用于提供到開關(guān)輸入、輸出和柵極電極的連接，以及焊芯片上其他位置的引線焊盤的連接。懸臂式MEMS開關(guān)本身利用犧牲層進(jìn)行表面微加工，在懸臂梁下方產(chǎn)生氣隙。懸臂式開關(guān)梁結(jié)構(gòu)和焊盤(3)利用金形成。開關(guān)觸點(diǎn)和柵極電極由低電阻率金屬薄膜沉積在電介質(zhì)表面而形成。

圖3. MEMS開關(guān)制造概覽

引線焊盤也是利用上述步驟制成。利用金線焊接將MEMS芯片連接到一個(gè)金屬引線框，然后封裝到塑料四方扁平無引線(QFN)封裝中以便能輕松表貼在PCB上。芯片并不局限于任何一種封裝技術(shù)。這是因?yàn)橐粋€(gè)高電阻率硅帽(4)被焊接到MEMS芯片，在MEMS開關(guān)器件周圍形成一個(gè)氣密保護(hù)外殼。無論使用何種外部封裝技術(shù)，這種氣密外殼都能提高開關(guān)的環(huán)境魯棒性和使用壽命。

圖4為采用單刀四擲(ST4T)多路復(fù)用器配置的四個(gè)MEMS開關(guān)的放大圖。每個(gè)開關(guān)梁有五個(gè)并聯(lián)阻性觸點(diǎn)，用以降低開關(guān)閉合時(shí)的電阻并提高功率處理能力。

圖4. 特寫圖顯示了四個(gè)MEMS懸臂式開關(guān)梁（SP4T配置）

如開頭所述，MEMS開關(guān)需要高直流驅(qū)動(dòng)電壓來以靜電力驅(qū)動(dòng)開關(guān)。為使器件盡可能容易使用并進(jìn)一步保障性能，ADI設(shè)計(jì)了配套驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)來產(chǎn)生高直流電壓，其與MEMS開關(guān)共同封裝于QFN規(guī)格尺寸中。此外，所產(chǎn)生的高驅(qū)動(dòng)電壓以受控方式施加于開關(guān)的柵極電極。它以微秒級(jí)時(shí)間斜升至高電壓。斜升有助于控制開關(guān)梁的吸引和下拉，改善開關(guān)的動(dòng)作性能、可靠性和使用壽命。

圖5顯示了一個(gè)QFN封裝中的驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS芯片實(shí)例。驅(qū)動(dòng)器IC僅需要一個(gè)低電壓、低電流電源，可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯驅(qū)動(dòng)電壓兼容。這種一同封裝的驅(qū)動(dòng)器使得開關(guān)非常容易使用，并且其功耗要求非常低，大約在10 mW到20 mW范圍內(nèi)。

圖5. 驅(qū)動(dòng)器IC（左）和MEMS開關(guān)芯片（右）安裝并線焊在金屬引線框架上

可靠性如何是所有新技術(shù)的主要“教義”之一，ADI對(duì)此極為關(guān)注。新型MEMS技術(shù)制造工藝是支持開發(fā)機(jī)械魯棒、高性能開關(guān)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。它與氣密性硅帽工藝相結(jié)合，是實(shí)現(xiàn)真正可靠的長(zhǎng)壽命MEMS開關(guān)的關(guān)鍵。為將MEMS開關(guān)成功商業(yè)化，需要進(jìn)行大量針對(duì)MEMS開關(guān)的特定可靠性測(cè)試，例如開關(guān)循環(huán)、壽命測(cè)試、機(jī)械沖擊測(cè)試等。除了這種認(rèn)證之外，為保證達(dá)到盡可能高的質(zhì)量水準(zhǔn)，還利用全部標(biāo)準(zhǔn)IC可靠性測(cè)試對(duì)器件進(jìn)行了質(zhì)量認(rèn)證。表1是已進(jìn)行的環(huán)境和機(jī)械測(cè)試總結(jié)。

表1. MEMS開關(guān)技術(shù)認(rèn)證測(cè)試

在RF儀器儀表應(yīng)用中，開關(guān)動(dòng)作壽命長(zhǎng)至關(guān)重要。相比于機(jī)電繼電器，MEMS技術(shù)的循環(huán)壽命高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。85°C時(shí)的高溫工作壽命(HTOL I)測(cè)試和早期壽命故障(ELF)認(rèn)證測(cè)試，嚴(yán)格保證了器件的循環(huán)壽命。

持續(xù)導(dǎo)通壽命(COL)性能是MEMS開關(guān)技術(shù)的另一個(gè)重要參數(shù)。例如，RF儀器儀表開關(guān)使用情況各異，某個(gè)開關(guān)可能長(zhǎng)期保持接通狀態(tài)。ADI已知曉這種情況，并竭力讓MEMS開關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的COL性能以降低壽命風(fēng)險(xiǎn)。通過深入開發(fā)，COL性能已從最初的50°C下7年（平均失效前時(shí)間）提升到業(yè)界領(lǐng)先的85°C下10年。

MEMS開關(guān)技術(shù)經(jīng)歷了全面的機(jī)械魯棒性認(rèn)證測(cè)試。表1中共有5項(xiàng)測(cè)試用于確保MEMS開關(guān)的機(jī)械耐久性。MEMS開關(guān)元件的尺寸和慣性更小，因此它的可靠性能比機(jī)電繼電器有顯著提高。

MEMS開關(guān)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它在一個(gè)非常小的表貼封裝中實(shí)現(xiàn)了0 Hz/dc精密性能、寬帶RF性能以及比繼電器優(yōu)越得多的可靠性。

任何開關(guān)技術(shù)最重要的品質(zhì)因數(shù)之一是單個(gè)開關(guān)的導(dǎo)通電阻與關(guān)斷電容的乘積。它通常被稱為RonCoff乘積，單位為飛秒(fs)。當(dāng)RonCoff降低時(shí)，開關(guān)的插入損耗也會(huì)降低，關(guān)斷隔離性能隨之提高。

采用ADI MEMS開關(guān)技術(shù)的單個(gè)開關(guān)單元的RonCoff乘積小于8，這保證了該技術(shù)是實(shí)現(xiàn)世界一流開關(guān)性能的不二選擇。

利用這一根本優(yōu)勢(shì)和精心設(shè)計(jì)，便可達(dá)到優(yōu)異的RF性能水平。圖6顯示了一款QFN封裝、單刀雙擲(SPDT) MEMS原型開關(guān)的實(shí)測(cè)插入損耗和關(guān)斷隔離性能。26.5 GHz時(shí)的插入損耗僅為1 dB，QFN封裝實(shí)現(xiàn)了32 GHz以上的帶寬。

圖6. SPDT MEMS開關(guān)性能，QFN封裝

圖7顯示了在一款單刀雙擲(SPST) MEMS原型開關(guān)管芯上利用探針測(cè)量測(cè)得的插入損耗和關(guān)斷隔離性能的寬頻掃描結(jié)果。40 GHz時(shí)的插入損耗為1 dB，關(guān)斷隔離約為-30 dB。

圖7. SPST MEMS開關(guān)性能，片上探針測(cè)量

此外，MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)固有的超高性能表現(xiàn)在如下方面：

• 精密直流性能：已實(shí)現(xiàn)<2 ? R ON、0.5 nA關(guān)斷漏電流、-110 dBc總諧波失真(THD + N)的精密性能，并且有能力通過梁和襯底優(yōu)化全面提高性能水平。

• 線性度性能：輸入信號(hào)音為27 dBm時(shí)，三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)超過69 dBm。在全部工作頻段上有提高到75 dBm以上的潛力。

• 動(dòng)作壽命：保證至少10億次動(dòng)作循環(huán)。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了當(dāng)今市場(chǎng)上的任何機(jī)械繼電器，后者的額定循環(huán)次數(shù)通常少于1000萬次。

• 功率處理(RF/dc)：已在全部工作頻段上測(cè)試了40 dBm以上的功率，在較低或較高頻率時(shí)性能不下降。對(duì)于直流信號(hào)，該開關(guān)技術(shù)允許200 mA以上的電流通過。

最后，無論什么市場(chǎng)，小尺寸解決方案通常都是一項(xiàng)關(guān)鍵要求。MEMS在這方面同樣具有令人信服的優(yōu)勢(shì)。圖8利用實(shí)物照片比較了封裝后的ADI SP4T（四開關(guān)）MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)和典型DPDT（四開關(guān)）機(jī)電繼電器的尺寸。MEMS開關(guān)節(jié)省了大量空間，其體積僅相當(dāng)于繼電器的5%。這種超小尺寸顯著節(jié)省了PCB板面積，尤其是它使得PCB板的雙面開發(fā)利用成為可能。這一優(yōu)勢(shì)對(duì)于迫切需要提高通道密度的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備制造商特別有價(jià)值。

圖8. ADI引線框芯片級(jí)封裝MEMS開關(guān)（四開關(guān)）與典型機(jī)電式RF繼電器（四開關(guān)）的尺寸比較

ADI開發(fā)的MEMS開關(guān)技術(shù)使開關(guān)性能和尺寸縮減實(shí)現(xiàn)了大跨越。同類最佳的0 Hz/dc至Ka波段及以上的性能、比繼電器高出若干數(shù)量級(jí)的循環(huán)壽命、出色的線性度、超低功耗要求以及芯片級(jí)封裝，使該MEMS開關(guān)技術(shù)成為ADI開關(guān)產(chǎn)品的革命性新突破。

• ADGM1304：集成驅(qū)動(dòng)器的0 Hz/dc至14 GHz、SP4T MEMS開關(guān)

• ADGM1004：集成驅(qū)動(dòng)器的0 Hz/dc至13 GHz、2.5 kV HBM ESD SP4T MEMS開關(guān)