來源：AIP

計劃在未來四年內(nèi)投入運營的三座設施將成為國家半導體技術中心的支柱。

近日，美國商務部宣布了首批三個半導體研發(fā)設施的選址程序，這些設施將組成國家半導體技術中心，這是一項由美國《芯片和科學法案》資助的數(shù)十億美元的計劃。國家半導體技術中心的運營機構Natcast打算在未來四年內(nèi)使這些設施投入運營。

這三個設施都將具備研究能力并用于各種附加用途，其中一個設施將于2025年投入運營，用作行政總部；一個設施將于2026年提供用于復雜印刷的極紫外技術；另一個設施將于 2028 年具備先進的原型設計和包裝能力。

這些設施旨在召集半導體生態(tài)系統(tǒng)中的研究和工業(yè)合作伙伴，促進設計和制造方面的進步向商業(yè)化的大規(guī)模轉(zhuǎn)移。

美國商務部負責標準與技術的副部長Laurie Locascio在一份聲明中表示：“鑒于這些領域之間的界限正變得越來越模糊，在半導體和先進封裝領域鞏固國內(nèi)研發(fā)資產(chǎn)對美國來說是一個獨一無二的機會。這些設施將降低參與半導體研究和創(chuàng)新的門檻，并提供最先進的工具和工藝，以便更快地實現(xiàn)向制造業(yè)的轉(zhuǎn)變。”

該部門和Natcast還希望創(chuàng)建附屬技術中心來滿足其他需求，例如使用實驗室對新材料和設備、復合半導體、微機電系統(tǒng)、先進光刻或其他專門技術進行早期研究和測試。

美國各州和地區(qū)可以通過各自的經(jīng)濟發(fā)展組織確定考慮建立制造和包裝設施的地區(qū)，這些組織將于近段時間收到該部門的調(diào)查問卷。該部門將考慮每個地區(qū)的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度、勞動力能力以及私人和公共投資，然后邀請選定的州和地區(qū)提供具體地點的信息。

該部門將單獨確定符合行政設施要求的地區(qū)名單，然后再與州政府人員聯(lián)系，提出地點和設施。對于極紫外設施，該部門將邀請具有必要技術能力的現(xiàn)有極紫外供應商參與選擇和談判過程。

美國一些國會和州政府官員，包括加利福尼亞州、弗吉尼亞州、德克薩斯州和紐約州的領導人，已經(jīng)公開敦促該部門將NSTC部件放置在他們的地區(qū)。美國加州民主黨國會代表團于4月致信該部門，主張將NSTC總部設在該州，這與加州州長Gavin Newsom(民主黨) 早前的一封信如出一轍。

過去兩周還宣布了半導體開發(fā)領域的其他融資機會，包括國家科技創(chuàng)新委員會首次為支持半導體相關教育或培訓的實體提供的勞動力融資機會，以及高達16億美元的資金用于專注于半導體先進封裝能力的研發(fā)。

審核編輯 黃宇