根據(jù)韓國媒體 TheElce 的報導，三星正在開發(fā)一種新的晶片封裝技術(shù)，以防止自研 Exynos 系列手機處理器 (AP) 過熱的情況。

報導引用知情人士的說法指出，三星新的封裝技術(shù)將在手機處理器的頂部附加了一塊散熱塊（HPB），這樣的技術(shù)被稱之為晶圓級扇出型 HPB 封裝 (FOWLP-HPB) 技術(shù)，由三星晶片部門旗下的先進封裝 (AVP) 業(yè)務部門開發(fā)，預計未來用于的 Exynos 系列手機處理器上，目標是在 2024 年第四季完成開發(fā)，并開始大量生產(chǎn)。

另外，該公司還正在開發(fā)一種可以安裝多個晶片的晶圓級扇出型 FOWLP 封裝技術(shù)，該技術(shù)則是將于 2025 年第四季推出。預計，新的兩種封裝技術(shù)都將把 HPB 安裝在 SoC 頂部，而記憶體則放置在 HPB 的旁邊。

報導表示，事實上目前 HPB 已經(jīng)在服務器和 PC 的處理器中使用。由于智能手機的外形尺寸較小，使得技術(shù)現(xiàn)在才被導入。而相較于當前的智能手機，大多使用均熱片透過容納冷媒來冷卻處理器和其他核心營組件，HPB 則是僅作用在處理器的散熱上。

現(xiàn)階段，三星正在考慮采用 2.5D 或 3D 封裝來將該技術(shù)進一步導入，這是因為人工智慧應用的日益普及，也增加了人們對晶片繞量增加的憂慮。對此，三星以往的經(jīng)驗感受甚深，因為兩年前推出的 Galaxy S22 智能手機就因為處理器過熱問題飽受使用者的批評。

而相較于現(xiàn)在希望藉由 HPB 來進行手機處理器的散熱，當時三星則是試圖透過其游戲的優(yōu)化服務 （GOS） 應用程式來阻止這種情況。也就是該應用程式在不通知客戶的情況下，強制降低手機處理器的效能，以防止過熱的情況發(fā)生。不過，在三星提出 HPB 機制來降低手機處理器過熱的情況之后，預計在后續(xù)的手機處理器設計上都將采用這樣的做法。

審核編輯 黃宇