甬矽電子，一家致力于技術革新的企業，近日在高密度SiP技術領域取得重大突破，為5G射頻模組的開發和量產注入了新動力。
公司成功研發出先進的雙面SiP（DSM-BGA SiP）技術，將傳統XY平面的芯片與元器件集成技術提升至Z方向，實現了SiP模組芯片、元器件、射頻器件的雙面高密度集成整合封裝。這一創新技術不僅有效減小了模塊體積，更賦予了模組更完善的功能性。
甬矽電子始終堅持研發及技術創新，不斷在工藝上尋求突破。此次雙面SiP技術的成功研發，正是公司技術實力的體現。隨著5G技術的快速發展，甬矽電子的這項創新技術將助力5G射頻模組實現更高效、更緊湊的設計，開啟數智新時代的新篇章。
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