BLDC暴力風(fēng)筒 MOSFET的應(yīng)用
手持暴力風(fēng)筒（高速風(fēng)筒）：
手持暴力風(fēng)筒應(yīng)用的是12V的無刷電機(jī)，最高轉(zhuǎn)速可達(dá)13萬+/min，現(xiàn)成品價(jià)賣到200+/個(gè)，成本還是很高，對(duì)MOSFET的要求也是比較高，以下我們來說說這個(gè)手持暴力風(fēng)筒MOSFET的選型：
要想成本做的更低那肯定是要降低電機(jī)的轉(zhuǎn)速
所以現(xiàn)在很方案設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)速都是在8萬-10萬/min，MCU和IC、MOSFET的成本就會(huì)更低。以下就是8-10W轉(zhuǎn)的MOSFET的選型
因手持暴力風(fēng)筒應(yīng)用的是12V的無刷電機(jī)，所以12V*2就是MOSFET的選型電壓。用30V的MOSFET
8萬轉(zhuǎn)的電流大概在15A左右，選型電流15A*4=60A, 60A內(nèi)阻在4-5MR左右
10萬轉(zhuǎn)的電流大概在23A左右，選型電流23A*4=92A,選用100A的內(nèi)阻在3-4MR左右
因手持暴力風(fēng)筒的體積小，很多都采用PDFN3*3-8L的封裝
8萬轉(zhuǎn)：30V 60A 4-5MR PDFN3*3-8L 10萬轉(zhuǎn)：30V 100A 3-4MR PDFN3*3-8L
選用性價(jià)比高的 銀杏微半導(dǎo)體的型號(hào)為：GN05N03N3 GN03N03N3
審核編輯 黃宇
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