據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。這是繼236層第八代V-NAND之后的又一重大進(jìn)步,是當(dāng)前業(yè)界可量產(chǎn)的最高堆疊層數(shù)。此外,三星計劃在2025年推出430層V-NAND產(chǎn)品。
290層V-NAND閃存芯片更高的密度將帶來更低成本、更大單體容量,以及更好的性能表現(xiàn)。具體來說,三星將發(fā)布1Tb(128GB)QLC 3D NAND閃存芯片,存儲密度達(dá)到28.5Gb平方毫米。性能上,其I/O速率達(dá)到了3.2 Gbps,相比現(xiàn)有第八代的2.4 Gbps有了顯著提升。
在技術(shù)上,三星即將推出的第九代V-NAND采用雙層鍵合技術(shù)提高生產(chǎn)效率,打破了業(yè)內(nèi)專家的預(yù)測。此前曾認(rèn)為要達(dá)到300層,需要三層鍵合技術(shù)。此次的突破展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)實力。
隨著人工智能領(lǐng)域從“訓(xùn)練”轉(zhuǎn)向“推理”,需要處理大量數(shù)據(jù),如圖像和視頻,因此需要大容量存儲設(shè)備。三星此舉旨在滿足人工智能(AI)熱潮下對于NAND閃存的需求。此外,三星對于其NAND業(yè)務(wù)在第一季度的盈利比較樂觀,這也為即將開始的量產(chǎn)提供了有力的市場支撐。
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