為滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線，容量最高可達(dá)4 Mb，并將串行外設(shè)接口/串行四通道輸入/輸出接口（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。

新產(chǎn)品線包括提供2 Mb和4 Mb兩種不同容量的器件，旨在為傳統(tǒng)的并行SRAM產(chǎn)品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存儲(chǔ)器中包含可選的電池備份切換電路，以便在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)。

并行RAM需要大型封裝和至少26-35個(gè)單片機(jī)（MCU）I/O接口，而Microchip串行SRAM器件采用成本較低的8引腳封裝，并采用高速SPI/SQI通信總線，只需要4-6 個(gè)MCU I/O 引腳即可輕松集成。這減少了對(duì)更昂貴、高引腳數(shù)MCU的需求，有助于最大限度地減少整個(gè)電路板的尺寸。

2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解決了串行SRAM最常見(jiàn)的缺點(diǎn)——并行比串行存儲(chǔ)器快，通過(guò)可選的四通道SPI（每個(gè)時(shí)鐘周期 4 位），將總線速度提高到143 MHz，大大縮小了串行和并行解決方案之間的速度差距。

Microchip存儲(chǔ)器產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監(jiān)Jeff Leasure表示：“對(duì)于需要比MCU板載RAM更多的RAM但又希望降低成本和減小電路板總尺寸的工程師來(lái)說(shuō)，串行SRAM是一種很受歡迎的解決方案。Microchip的2 Mb和4 Mb串行SRAM器件旨在以簡(jiǎn)便且具有成本效益的替代方案取代昂貴的并行 SRAM。”

這些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有無(wú)限的耐用性和零寫(xiě)入時(shí)間，是涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、計(jì)量以及其他數(shù)學(xué)和數(shù)據(jù)密集型功能的應(yīng)用的絕佳選擇。這些器件的容量從64 Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 總線模式。請(qǐng)?jiān)L問(wèn)Microchip存儲(chǔ)器產(chǎn)品頁(yè)面，了解公司的所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

審核編輯：劉清