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如何測量功率回路中的雜散電感

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-03-07 08:13 ? 次閱讀

影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法,包括直流母線電容的寄生電感,直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。

功率電路寄生電感在哪里?

圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖,主要包括三類:連接母排及功率回路中的寄生電感,IGBT模塊內(nèi)部寄生電感,直流母線電容寄生電感,分別如下圖中a、b、c所示。

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圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖

1.

連接母排以及功率回路中的寄生電感

連接母排以及功率回路中的寄生電感,如圖1中a位置所示。對于功率模塊中常見的連接母排主要包括并行母排和疊層母排。寄生電感取決于母排的寬度與間距之比,并行母排每米的寄生電感可高達550nH,而疊層母排可以實現(xiàn)非常低的寄生電感,所以在大電流的IGBT、碳化硅功率回路設計更推薦使用疊層母排。一個200mm長的疊層母排,假設寬度為100mm,它的絕緣層厚度可以做到0.5毫米,這時寄生電感可以做到個位數(shù)量級。

2.

IGBT模塊本身也存在寄生電感

IGBT模塊本身也存在寄生電感,主要包括內(nèi)部鍵合線、 DCB和覆銅層以及其接線端子之間回路包圍的面積,如圖1中b位置所示。IGBT模塊本身的寄生電感對不同的拓撲定義不同,其數(shù)值與封裝也有關(guān)系,往往在數(shù)據(jù)表中會給出,如下表1所示,是一個62mm半橋模塊的寄生電感,約為20nH。

7900e3be-dc17-11ee-9118-92fbcf53809c.jpg

表1 62mm 半橋模塊的寄生電感

當IGBT關(guān)斷時,變化的電流di/dt會在回路寄生電感上產(chǎn)生電壓,這個感應電壓會疊加在母線電壓上,使得IGBT CE之間出現(xiàn)一個電壓尖峰。因為有模塊內(nèi)部寄生電感的存在,IGBT芯片實際承受的電壓大于在模塊主端子上測得的電壓,因此部分模塊在定義RBSOA曲線時,會分別給出芯片級和模塊級的曲線,模塊級的RBSOA曲線會低于芯片級曲線,如圖2所示。

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圖2 IGBT的RBSOA曲線

3.

直流母線電容以及相應引腳處的寄生電感

直流母線電容以及相應引腳處的寄生電感,如圖1中c位置所示。圖3給出大功率電力電子線路用的直流母線電容的數(shù)據(jù)表,寄生電感在15-40nH 之間。

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注:EPCOS PCC_HP_High_Power_Capacitors_for_Heavy_Duty_Applications

圖3 大功率直流母線電容數(shù)據(jù)表

電感的測試原理

下面來分析寄生電感測量方法的基本原理:變化的電流流經(jīng)電感會產(chǎn)生電壓降,di/dt和電感上產(chǎn)生的電壓降滿足公式:

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(1)

從而推導寄生電感的表達式為:

7926feaa-dc17-11ee-9118-92fbcf53809c.jpg

(2)

我們上面列舉的三類電感,均可以測量不同端子兩端的電壓和電流計算。在IGBT應用中,我們重視整體功率回路電感對IGBT CE極間電壓的影響,因此測試時會把電壓探頭的表筆,夾在IGBT模塊CE端子之間。這里以測試IGBT 62mm模塊為例,展示具體操作細節(jié)如下:

將待測62mm IGBT模塊串聯(lián)接入雙脈沖半橋測試回路中,同時保持上管常關(guān),下管給定雙脈沖驅(qū)動信號,將電壓差分探頭連接在圖4(a)中b1和b2兩點之間,使用電流探頭測試流經(jīng)下管的Ic電流,實測模塊以及探頭放置位置如圖4(b)所示,同時圖5也給出了Infineon 62mm模塊的雙脈沖測試結(jié)果。

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(a)62mm IGBT模塊主功率測試回路

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(b)62mm IGBT模塊測試電路示意圖

圖4 62mm IGBT模塊內(nèi)部寄生電感測試方法

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(a)關(guān)斷時刻

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(b)開通時刻

圖5 62mm IGBT模塊的開通和關(guān)斷測試波形

在開通瞬態(tài)和關(guān)斷瞬態(tài),雜散電感上都會產(chǎn)生電壓降,那么究竟是選擇開通還是關(guān)斷過程來計算雜感值呢?對于關(guān)斷過程中產(chǎn)生的Vce電壓尖峰主要包含雜散電感上的電壓和二極管的正向恢復電壓,如圖5(a)所示,且IGBT的關(guān)斷dic/dt不太受門極控制,且電壓尖峰持續(xù)時間比較短,測量精度相對不高。而對于IGBT的開通暫態(tài)下這些情況均不會存在,故實際情況下通常選擇開通暫態(tài)來進行測量寄生電感,如圖5(b)所示,其中集電極電流的上升產(chǎn)生了電流變化率diF/dt,同時由于換流通路中的雜散電感兩端電壓方向與開關(guān)管Vce兩端電壓方向相反,導致集-射極電壓波形出現(xiàn)電壓降ΔVce

以圖5(b)為例,其中,

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從而根據(jù)式(1)可以算出相應的寄生電感數(shù)值,

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由于實際IGBT模塊是包括有輔助端子和無輔助端子兩種,測試中包含的雜散電感也不太相同,在輔助端子測試出的寄生電感包括圖6中的a+b+c部分;在主端子測試出的寄生電感包括圖6中的a+c部分,不包含IGBT模塊內(nèi)部的雜散電感。

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圖6 IGBT模塊寄生電感示意圖

本文介紹了雜散電感的定義及測量方法。寄生電感的存在會IGBT增加關(guān)斷損耗和關(guān)斷電壓尖峰,引起震蕩等諸多問題,所以實際應用中還需要盡可能地減小回路雜散電感。

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