在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶Φ囟搪菲陂g，如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動重試？
問題：在TLD6098-2ES 升壓拓?fù)涞膶Φ囟搪菲陂g，如何快速關(guān)閉通道并禁用軟啟動重試？
答案：升壓拓?fù)洌ㄉ龎旱降睾蜕龎旱诫姵兀┚哂袕碾姵氐捷敵龅闹苯勇窂健Ｔ谳敵鰧Φ囟搪返那闆r下，TLD6098-1EP和TLD6098-2ES會連續(xù)重試軟啟動程序，以檢測是否仍然存在短路。
連續(xù)重試會多次打開/關(guān)閉PMOS，這可能會損壞PMOS本身（功耗過高）。
為了避免損壞PMOS，一旦VOUT對地短路，可以拉低DC/PWMI引腳。
為此，可以使用帶有二極管D2和限流電阻器RLIM的網(wǎng)絡(luò)，如下圖所示：
如果PWMI引腳上仍然存在尖峰，則可以實(shí)施一種較復(fù)雜的解決方案，即使用2個小信號MOSFET來檢測短路并相應(yīng)地驅(qū)動PWMI（參見下圖）。買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城！
當(dāng)輸出對地短路時，上述附加電路通過禁用控制器來工作。為了讓傳感網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)偏置，需要將適當(dāng)?shù)腞LIM與PMOS并聯(lián)。當(dāng)DC-PWMI較低時，該電阻器的值高于47kOhm，以保持進(jìn)入LED的電流最小。
審核編輯 黃宇
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