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基于NLTLs的高壓高重頻脈沖源的脈沖壓縮電路

要長(zhǎng)高 ? 來(lái)源:eetop ? 作者:eetop ? 2023-12-15 15:03 ? 次閱讀

脈沖放電等離子體應(yīng)用技術(shù)卻在近十年里蓬勃 發(fā)展,受到廣泛關(guān)注。在材料表面處理、生物醫(yī)學(xué)、 殺菌消毒、環(huán)境處理、能源化工、飛行器氣流控制 和點(diǎn)火助燃等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。其中,大 氣壓常溫等離子體射流裝置由于其體積小、成本低 而受到廣泛關(guān)注。與DBD 相比,由于射流產(chǎn)生的等 離子體通常噴射出一定長(zhǎng)度,使等離子體中的活性 粒子與電場(chǎng)分離,不僅可以不受電極裝置的空間限 制,也能遠(yuǎn)離高壓電場(chǎng),安全可靠【1~2】。 采用脈沖放電方式激勵(lì)等離子體,脈沖功率電 源是核心技術(shù)之一【3~7】,通常要求脈沖電壓的寬度 在亞微秒到納秒量級(jí),因此脈沖壓縮和脈沖邊沿陡 化都是至關(guān)重要的。目前應(yīng)用比較廣泛的有基于脈 沖形成線(xiàn)、磁開(kāi)關(guān)、DBD開(kāi)關(guān)、非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)和雪崩二極管的脈沖壓縮技術(shù)。

其中NLTL脈沖壓縮技術(shù) 由于具有與輸入信號(hào)相關(guān)性低、傳輸頻率高、快沿 水平高、波形質(zhì)量好、屬于婺源網(wǎng)絡(luò)、易于集成等 諸多優(yōu)點(diǎn)而得到較快發(fā)展【8】。 在這一背景下,本文展開(kāi)以NLTL為基礎(chǔ)的脈沖 壓縮技術(shù)研究,基于孤子波理論,設(shè)計(jì)脈沖壓縮電 路,實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高壓高重復(fù)頻率脈沖輸出,并應(yīng)用 于大氣壓常溫等離子體射流激勵(lì),得到穩(wěn)定持續(xù)的等離子體射流。

1 非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)及孤子波理論

非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)(NLTLs)是一種在傳輸線(xiàn)上連續(xù) 或者周期得加載非線(xiàn)性元素的結(jié)構(gòu)。它有兩類(lèi)實(shí)現(xiàn) 方式:一類(lèi)是基于非線(xiàn)性電感,另一類(lèi)是基于非線(xiàn) 性電容。圖1為基于非線(xiàn)性電容的非線(xiàn)性傳輸線(xiàn) (NLTLs)等效電路,其中電容C(V)為隨電壓變化的 非線(xiàn)性電容,電感L為線(xiàn)性電感。

image.png

當(dāng)脈沖信號(hào)輸入非線(xiàn)性傳輸線(xiàn),由于非線(xiàn)性電 容值隨著電容兩端的電壓增高而變小,上升沿各點(diǎn) 在通過(guò)非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)時(shí)由于電平不同而導(dǎo)致非線(xiàn)性 電容值不同,傳輸速度產(chǎn)生差異,高電平狀態(tài)點(diǎn)傳 輸速度快,通過(guò)傳輸線(xiàn)的傳輸延時(shí)短,低電平點(diǎn)傳 輸速度慢,傳輸延時(shí)長(zhǎng),因此縮短了高、低電平之 間的時(shí)間間距(上升沿),如圖2所示。

image.png

脈沖壓縮時(shí)間可以用以下公式近似計(jì)算: (1) 其中tri是輸入脈沖上升時(shí)間,tro是輸出脈沖上 升時(shí)間,n是非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)階數(shù)。 非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)上傳輸?shù)牟ǎ辉偈莻鹘y(tǒng)意義的 波,而是孤子波。 對(duì)圖1所示的非線(xiàn)性傳輸線(xiàn)LC等效電路應(yīng)用基 爾霍夫電壓定律和電流定律,可以得到第n階傳輸線(xiàn) 上的電壓方程為:

image.png

式中:Vn(t)是第n級(jí)電容上的電壓;Vmax是第n 級(jí)傳輸線(xiàn)電壓的峰值;TD是孤子波在每一級(jí)非線(xiàn)性 傳輸線(xiàn)上的傳輸延遲;TFWHM是孤子波在半幅度處的 脈沖寬度(或者稱(chēng)為傳輸線(xiàn)的固有脈沖寬度);fB 是布拉格截止頻率:

image.png

當(dāng)輸入信號(hào)的半幅度脈沖寬度大于傳輸線(xiàn)的固 有脈沖寬度,輸入信號(hào)將被分解了若干個(gè)不同幅度 和傳輸速率的孤子波,且至少有一個(gè)孤子波具有比 輸入信號(hào)更大的幅度和更短的脈沖寬度,如圖3所示。 并且我們可以得到分解成的孤子波個(gè)數(shù)約為:

image.png

2 孤子波脈沖壓縮設(shè)計(jì)及應(yīng)用研究

非線(xiàn)性電容采用Murata的GR442QR73 D101KW01,其C-V曲線(xiàn)如下圖所示,在仿真中采 用公式(7)對(duì)非線(xiàn)性電容參數(shù)進(jìn)行擬合,其中: C0=623pF,a=2.137,b=6.072?10-3。

image.png

仿真電路如圖1所示,電感采用空心電感, L=1uH,輸入脈沖頻率為400kHz,幅度為3000V, 脈沖寬度為200ns,采用50階非線(xiàn)性傳輸線(xiàn),輸入阻抗 Rgen和輸出阻抗Rload都是50Ω。仿真及實(shí)測(cè)的輸入、 輸出波形如圖5、圖6所示。

image.png

從圖6中看出,輸出脈沖幅值為5380V,半脈沖 寬度16ns,波形良好,與仿真結(jié)果相符,證明了非 線(xiàn)性傳輸線(xiàn)良好的脈沖壓縮效果。

采用非線(xiàn)性傳輸輸出的的脈沖激勵(lì)常溫大氣 ()等離子體,得到均勻穩(wěn)定的等離子體射流,如 題7所示。

3 結(jié)論

本文通過(guò)對(duì)NLTL傳輸線(xiàn)及孤子波理論的研究, 設(shè)計(jì)了一款適用于高壓高重頻脈沖源的脈沖壓縮電 路,在3000V峰值、200ns脈寬的脈沖輸入下得到 5380V峰值、16ns脈寬的脈沖輸出,并實(shí)際應(yīng)用于 大氣常溫等離子體的激勵(lì),得到穩(wěn)定均勻的等離子 體射流,可廣泛應(yīng)用于材料表面改性、醫(yī)療設(shè)備殺 毒消菌、表面清洗等場(chǎng)所。

審核編輯:黃飛

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