亚洲天堂2015,亚洲精品社区,亚洲欧洲精品国产二码

SD NAND可靠性驗(yàn)證測試的重要性

SD NAND可靠性驗(yàn)證測試至關(guān)重要。通過檢驗(yàn)數(shù)據(jù)完整性、設(shè)備壽命、性能穩(wěn)定性，確保產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)，可提高產(chǎn)品的可信度、提高品牌聲譽(yù)，減少維修成本，確保產(chǎn)品質(zhì)量和市場競爭力。
MK-米客方德是一家做存儲的公司，是SD NAND技術(shù)的引領(lǐng)者，工業(yè)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)品牌。其公司SD NAND產(chǎn)品都有可靠性驗(yàn)證測試報(bào)告，

SD NAND可靠性驗(yàn)證測試報(bào)告

以MK-米客方德工業(yè)級SD NAND的MKDN064GCL-ZA型號為例，下面是可靠性驗(yàn)證測試的具體項(xiàng)目。

『Test Summary』

No	Test Item	Description	Result
1	Card Density Check	90%	Pass
2	Perf ormance Test	HDBench/CrystalDiskMark/H2test	---
3	Compliance Test	TestMetrix VTE3100/VTE4100	Pass
4	Speed Class Test	TestMetrix VTE3100/VTE4100	Pass
5	Full Size Copy/Compare	H2test	Pass
6	Burn-in Test	BIT @-25~ 85’C	Pass
7	NPOR Test	Normal power cycle test when card is stand by	Pass
8	SPOR Test	Sudden power cycle test when card is busy	Pass
9	Read Only Test	H2test	Pass
10	IR-Reflow	260 ’C, check SLC data	Pass
11	Power consumption	Write & Read current measurement	---

Test Item

Card DensityCheck

Test Tool & Environment	SDFormatter Win7OS
Sample Quantity	1ea
Result	7374MB, 90%

PerformanceTest
1. HDBench / CrystalDiskMark / IOMeter /H2test

Test Tool & Environment	HDBench Ver3.40 / CrystalDiskMark 6.0 / IO meter / H2 test Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS IOMeter
Test Criteria	Depends on customer criteria
Sample Quantity	2ea
Result	Pass (see 2.4 performance data)

Test Tool & Environment	1. IO Meter 2006.07.27 Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS TestMetrix
Test Criteria	Depends on customer criteria
Sample Quantity	2ea
Result	Pass (see 2.4 performance data)

Test Tool & Environment	1. TestMetrix VTE3100/VTE4100
Test Criteria	Depends on customer criteria
Sample Quantity	3ea
Result	Pass (see 2.4 performance data)

Performance Data

Test Item	Test Mode	Result
HDBench (100MB)	Sequential Read (MB/s)	46.2
HDBench (100MB)	Sequential Write (MB/s)	24.2
CrystalDiskMark (100MB)	Sequential Read (MB/s)	47.5
CrystalDiskMark (100MB)	Sequential Write (MB/s)	26
IOMeter (100MB)	Random Write (IOPS)	572.6
IOMeter (100MB)	Random Read (IOPS)	1119.5
TestMetrix	Sequential Read (MB/s)	24.4
TestMetrix	Sequential Write (MB/s)	10
H2test	Sequential Read (MB/s)	40.6
H2test	Sequential Write (MB/s)	10

ComplianceTest

Test Tool & Environment	TestMetrix VTE3100/VTE4100
Test Criteria	Test done without error
Sample Quantity	3ea
Result	Pass

Speed ClassTest

Test Tool & Environment	1. TestMetrix VTE3100/VTE4100
Test Criteria	Pass class 6 condition
Sample Quantity	3ea
Result	Pass

Speed Class	Test Mode	Result
Class6	Pw (MB/s)	8.5
Class6	Pr (MB/s)	9.6

Full SizeCopy/Compare

Test Tool & Environment	H2testv1.4 Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS
Test Criteria	Test done without no error
Sample Quantity	2ea
Result	Pass

Burn-in Test

BIT v8.0

Test Tool & Environment	BurnInTestv8.0 Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS
Test Criteria	168hours without error @25/85/-25’C
Sample Quantity	Total 6ea
Result	Pass

NPORTest

Test Tool & Environment	1.MK NPOR Tool
Test Criteria	Pass 10K cycles
Sample Quantityv	2ea
Result	Pass

SPOR
1. SPORTest1

Test Tool & Environment	1.MK SPOR Tool – 5%/95% non-file system
Test Criteria	Pass 10K cycles
Sample Quantity	2ea
Result	Pass

SPORTest2

Test Tool & Environment	1. Specific SPOR Tool – small/large file system based
Test Criteria	Pass 10K cycles
Sample Quantity	2ea
Result	Pass

Read OnlyTest

Test Tool & Environment	H2test Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS
Test Criteria	72hours without error
Sample Quantity	4ea
Result	Pass

IR-reflow

Test Tool & Environment	IR-reflow 260 ‘C
Test Criteria	3 times test and check all data without error
Sample Quantity	10ea
Result	pass

Powerconsumption

Test Tool & Environment	CrystalDiskMark6.0 Card Reader : Transcend TS-RDP5K(GL834) Win7OS AgilentU1252B
Item	Standby current(uA)	Operating current (mA)		Throughput (MB/s)
#1	210	Read	96	47.6
#1	210	Write	81	26.6
#2	211	Read	95	47
#2	211	Write	83	26.8
#3	210	Read	96	48
#3	210	Write	81	27

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報(bào)投訴

測試

測試

+關(guān)注

關(guān)注
8

文章
5369

瀏覽量
126928
NAND

NAND

+關(guān)注

關(guān)注
16

文章
1689

瀏覽量
136340
工業(yè)

工業(yè)

+關(guān)注

關(guān)注
3

文章
1866

瀏覽量
46820

雷龍SD NAND試用

了解以便測試與使用。芯片不用寫驅(qū)動程序自帶壞塊管理的NAND Flash（貼片式TF卡），尺寸小巧，簡單易用，兼容性強(qiáng)，穩(wěn)定可靠，固件可定制，LGA-8封裝，標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口，兼容S

發(fā)表于 01-19 13:26

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

SD nand，貼片式SD卡，使用起來和SD卡一致，不同的是采用，通常采用LGA-8封裝，尺寸為8mm x 6mm x 0.75mm，重點(diǎn)是采用貼片封裝，可以直接貼在板卡上，直接解決了

發(fā)表于 01-15 18:15

如何測試光耦的性能與可靠性

光耦作為電氣隔離的關(guān)鍵組件，其性能和可靠性直接影響到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。因此，對光耦進(jìn)行嚴(yán)格的性能測試和可靠性評估是必不可少的。光耦性能測試

發(fā)表于 01-14 16:13 ?130次閱讀

可靠性測試：HAST與PCT的區(qū)別

HAST測試的核心宗旨HAST測試的核心宗旨宗旨：HAST測試的主要宗旨是通過模擬極端環(huán)境條件，加速半導(dǎo)體元器件的失效過程，以此來驗(yàn)證元器件在高溫、高濕、高壓條件下的

發(fā)表于 12-27 14:00 ?263次閱讀

關(guān)于SD NAND 的概述

的類型，擦寫次數(shù)可達(dá)5~10萬次，保證了SD NAND的耐用性。　　高低溫測試：SD NAND

發(fā)表于 12-06 11:22

SD NAND 概述

現(xiàn)代電子設(shè)備對于尺寸、性能和可靠性的嚴(yán)格要求。 1.SD NAND的技術(shù)特性、優(yōu)勢以及應(yīng)用場景下面將從多個角度詳細(xì)探討SD NAND的技術(shù)

發(fā)表于 12-06 11:21 ?229次閱讀

SD NAND技術(shù)簡介

SD NAND是一種基于NAND Flash技術(shù)的嵌入式存儲解決方案，具備SD卡協(xié)議兼容性。它結(jié)合了NA

發(fā)表于 12-05 15:32 ?229次閱讀

半導(dǎo)體封裝的可靠性測試及標(biāo)準(zhǔn)

的第三方檢測與分析機(jī)構(gòu)，提供全面的可靠性測試服務(wù)，幫助客戶確保產(chǎn)品在各種條件下的穩(wěn)定性與性能。產(chǎn)品可靠性的重要性產(chǎn)品可靠性直接關(guān)聯(lián)到產(chǎn)品能否

發(fā)表于 11-21 14:36 ?281次閱讀

PCB可靠性測試：開啟電子穩(wěn)定之旅

PCB 可靠性測試是確保印刷電路板質(zhì)量的一系列檢測。它主要模擬 PCB 在實(shí)際使用中面臨的各種情況。包括環(huán)境測試，像檢測其在高低溫、濕度變化等條件下是否能正常工作，避免腐蝕等問題；還有機(jī)械測試

發(fā)表于 10-24 17:36 ?479次閱讀

CS創(chuàng)世8GB SD NAND的創(chuàng)新與可靠性

? ? ? ?CS創(chuàng)世半導(dǎo)體的8GB SD NAND芯片在創(chuàng)新和可靠性方面展現(xiàn)了其卓越的性能。這款芯片的封裝尺寸僅為7*8.5毫米，僅有8個管腳，特別適合用于2層板的布局，適合小尺寸的應(yīng)用領(lǐng)域。其

發(fā)表于 09-06 16:57 ?327次閱讀

SD NAND測試套件：提升存儲芯片驗(yàn)證效率

SD NAND轉(zhuǎn)接板和燒錄座是一種專為工程師設(shè)計(jì)的輔助工具，它能夠?qū)⒉煌叽绲?b class='flag-5'>SD NAND芯片轉(zhuǎn)換為通用TF接口封裝，從而方便地進(jìn)行性能測試

發(fā)表于 08-13 09:44 ?418次閱讀

SD NAND：高效存儲的未來之選

在現(xiàn)代數(shù)據(jù)驅(qū)動的社會中，存儲技術(shù)的發(fā)展顯得尤為重要。SD NAND作為一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲設(shè)備，憑借其高存儲容量、高速度和高可靠性，成為嵌入式系統(tǒng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。M

發(fā)表于 07-29 17:38 ?487次閱讀

AC/DC電源模塊的可靠性設(shè)計(jì)與測試方法

OSHIDA ?AC/DC電源模塊的可靠性設(shè)計(jì)與測試方法 AC/DC電源模塊是一種將交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如電腦、手機(jī)充電器、顯示器等。由于其關(guān)系到設(shè)備的供電穩(wěn)定性

發(fā)表于 05-14 13:53 ?845次閱讀

第三代SiC功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)介紹

的驗(yàn)證》和《AEC Q101車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗(yàn)證》等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

發(fā)表于 04-23 14:37 ?4次下載

可靠性測試中HALT實(shí)驗(yàn)與HASS實(shí)驗(yàn)的區(qū)別

電子產(chǎn)品高加速壽命測試HALT、高加速應(yīng)力篩選測試HASS，都是可靠性測試的方法，用于評估電子產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的性能表現(xiàn)和可靠性。那他們之前

發(fā)表于 01-30 10:25 ?1322次閱讀