上一節講到了根據PIN1的邊界條件求解系數和，下面根據PIN2的邊界條件求解系數和

首先，陽極側的邊界條件與PIN1相同，即陽極電子電流為0，即；

其次，陰極側的邊界條件與PIN1不同，陰極側因PN結反偏，空穴濃度為0，即。

（這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結構，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；對于PIN2結構，因為陰極PN結反偏的緣故，載流子被耗盡，所以濃度為零，但因電場和濃度差的存在，電流卻不為零。）

將上述兩個邊界條件帶入的通解表達式，即可得到系數和電流密度之間的關系如下：

將和帶入的通解表達式，整理后便得到PIN2的濃度分布：

同理，假設載流子壽命為1，芯片厚度為100，電流密度為時，載流子濃度如圖所示。顯然，陽極（集電極）區域載流子濃度最高，在N-drift區域逐漸降低，直至到0。

對應IGBT結構（如圖虛線區域順時針旋轉90°），陰極區域對應p-base基區，即載流子到達基區底部時，其濃度會降低至0，所以基區底部是沒有電導調制效應的。

在實際設計中，設計人員也會通過一些技術手段來增強這個區域載流子的濃度。當然，這也會對其他參數造成影響，如擊穿電壓等，設計中需要綜合考慮。

把PIN1和PIN2的載流子濃度分布繪到一起如圖所示，可以清晰地看出IGBT紅色陰影部分的載流子濃度是很低的。

同時，從濃度分布曲線上還可以發現其他一些現象：

集電極的載流子濃度并非均勻分布，PIN1區域的濃度要略高于PIN2區域。考慮到實際加工過程中，集電極的濃度是相同的，又因為集電極側的電子電流為0，這就意味著PIN1區域的空穴注入效率要高于PIN2區域；

因為橫向載流子濃度的不同，所以在IGBT內部一定會形成橫向的擴散電流，在靠近集電極一側，橫向擴散自PIN1區域向PIN2方向，在靠近p-base基區一側，橫向擴散自PIN2區域向PIN1區域。