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微波介質(zhì)陶瓷的三大性能指標和分類

濾波器 ? 來源:濾波器 ? 2023-11-27 12:47 ? 次閱讀

微波介質(zhì)陶瓷是現(xiàn)代通訊技術(shù)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,主要用于制造諧振器、濾波器、介質(zhì)天線、介質(zhì)導(dǎo)波回路、介質(zhì)基板等微波元器件,終端應(yīng)用為移動通訊、衛(wèi)星通訊、無人駕駛汽車、物聯(lián)網(wǎng)和軍用雷達等領(lǐng)域。

微波介質(zhì)陶瓷三大性能指標

微波介質(zhì)陶瓷瓷介性能的主要參數(shù)和普通電介質(zhì)材料一樣,主要包括介電常數(shù)(εr),品質(zhì)因素Q或介質(zhì)損耗(tanδ)和諧振頻率溫度系數(shù)(τf)。

相對介電常數(shù)εr

在微波頻率下,相對介電常數(shù)εr越大,以便器件小型化。根據(jù)微波傳輸理論,相同的的諧振頻率下,εr越大,介質(zhì)諧振器的尺寸越小,電磁能量越能集中于介質(zhì)體內(nèi),受周圍環(huán)境影響小。這既有利于介質(zhì)諧振器的小型化,也有利于其高品質(zhì)化。而不同的應(yīng)用領(lǐng)域中,對εr的要求也不同,通常要求εr>10。

品質(zhì)因數(shù)Q

高Q有利于獲得良好的濾波特性及通訊質(zhì)量,品質(zhì)因數(shù)Q主要受介質(zhì)損耗(tanδd)、歐姆損耗(tanδc)和輻射損耗(tanδλ)等三個因素影響。

Q-1=tanδd+tanδc+tanδλ

對于微波介質(zhì)材料,tanδc與tanδλ可忽略,Q約與tanδd成反比關(guān)系。由于微波介質(zhì)諧振腔要求tanδd小于10-4量級才有實用價值,所以材料研究中如何提高Q值是一個重要課題。

諧振頻率溫度系數(shù)τf

通信器件的工作環(huán)境溫度是不斷變化的,從而影響設(shè)備的使用性能。這就要求材料的諧振頻率不能隨溫度的變化太大,通信使用要求接近零的τf。

在微波介質(zhì)陶瓷的三個性能參數(shù)中,諧振頻率溫度系數(shù)對介質(zhì)陶瓷影響較大,它直接決定介質(zhì)陶瓷能否使用,所以諧振頻率溫度系數(shù)能否接近0是研究者最關(guān)心的問題,對諧振頻率溫度系數(shù)可調(diào)性的探索使許多新的微波介質(zhì)陶瓷材料體系得以開發(fā)利用。而介電常數(shù)越高其Q值會比較低,三個參數(shù)相互制約其應(yīng)用。

微波介質(zhì)陶瓷材料分類

微波介質(zhì)陶瓷按照介電常數(shù)的大小,可將其分為低介電常數(shù)類、中介電常數(shù)類和高介電常數(shù)類。

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低介微波介質(zhì)陶瓷體系如Al2O3-TiO2系和鈦酸鎂系列等,因其高品質(zhì)因數(shù)而被應(yīng)用于對介質(zhì)損耗要求比較嚴格的領(lǐng)域,如衛(wèi)星通訊、軍用雷達等方面;

中介微波介質(zhì)陶瓷體系如(Zr,Sn)TiO4系具有高Q值,低諧振頻率溫度系數(shù),可用于制備介質(zhì)諧振器解決窄帶諧振器的頻率漂移問題;

高介微波介質(zhì)陶瓷能促進微波通訊設(shè)備、諧振器的小型化和集成化,在高電容量的集成電路中以及低頻下工作的通訊設(shè)備中應(yīng)用廣泛,高介微波介質(zhì)陶瓷主要以BaO-Ln2O3-TiO2;CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2和鉛基鈣鈦礦系列材料。

新一代微波介質(zhì)陶瓷材料的研究開發(fā)主要圍繞高介低損展開:一是追求超低損耗的極限;二是探索更高介電常數(shù)(>100乃至>150)的新材料體系。同時,微波介質(zhì)陶瓷粉體通常并不是單一材料,而是多種材料按比例混合的材料體系,而在制備的過程中,還會添加稀土氧化物,眾多研究說明適量稀土元素的摻雜可改善微波介質(zhì)陶瓷的燒結(jié)性、致密度以及介電性能。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:制備高品質(zhì)微波介質(zhì)陶瓷的關(guān)鍵指標是什么

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