關(guān)于半導體相關(guān)測試

半導體是一種常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電等眾多領(lǐng)域中都有應用，作為大部分電子產(chǎn)品核心單元需用到的材料，它的質(zhì)量直接影響著整個系統(tǒng)運行。

功率放大器作為半導體測試系統(tǒng)中的重要組成部分，在半導體測試領(lǐng)域研究中起著至關(guān)重要的作用。本次Aigtek安泰電子將過往部分半導體測試方向的實驗案例編輯為合集，希望能對廣大半導體領(lǐng)域的各位朋友有所幫助。

實驗案例展示

▼功率放大器在電容器內(nèi)LED的高壓與無線驅(qū)動應用

本實驗中，研究人員在摩擦納米發(fā)電機TENG的啟發(fā)下，提出了一種電容器內(nèi)LED器件，采用信號發(fā)生器經(jīng)過功率放大器提供的信號測試，并將其與摩擦納米發(fā)電機輸出進行對比，詳細解釋了TENG驅(qū)動LED的工作機理，并提出一種電容器內(nèi)LED結(jié)構(gòu)，促進TENG與交流LED的發(fā)展。

▼功率放大器在非導體接觸式μLED器件光電特性研究中的應用

本實驗依據(jù)GaN基微發(fā)光二極管(μLEDs)在超高分辨率顯示、微顯示、可見光通信、固態(tài)照明等方面有突出的優(yōu)勢，建立了非導體接觸式μLED模型，制備出相應的器件。針對這種新型結(jié)構(gòu)的μLED，研究其在交流信號驅(qū)動下的頻率-電壓、電流-電壓，發(fā)光強度等光電特性及其工作機理，為改善μLED器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化工作模式提供理論指導。

▼高壓功率放大器在核磁共振振蕩器中的應用

本實驗提出了測量橫向弛豫時間τ2的方法，通過施加x軸方向的掃頻磁場，然后測量磁力儀在x軸方向的幅頻響應曲線，最后由幅頻響應曲線的3dB帶寬來得到τ2。實驗給出了基于微擾-迭代方法的詳細和嚴格的理論推導來論證此測量方法的合理性。然后，進行了仿真實驗和實際實驗，結(jié)果可以驗證此測量方法的有效性和高準確性。

▼功率放大器在大功率脈沖電能源研究中的應用

本實驗為了在傳統(tǒng)的測量精度校準方法的基礎上，進一步提升校準精度，針對大功率脈沖電流測量傳感器測量精度的問題，提出一種高精度的校準方法。搭建大功率脈沖電流測量系統(tǒng)的實驗平臺，通過實驗驗證大功率脈沖電流測量傳感器的性能，主要對大功率脈沖電流測量傳感器的精度、穩(wěn)定性、響應時間和電流幅值測量范圍進行驗證。

▼高壓放大器在多波長干涉相位同步解調(diào)方法研究中的應用

本實驗研究了基于激光相位分立調(diào)制的多波長干涉相位同步解調(diào)方法，對FDM雙波長干涉相位同步解調(diào)方法，進行了仿真分析及實驗驗證。搭建了所提出的FDM雙波長干涉測量光路，進行了系統(tǒng)穩(wěn)定性實驗、納米級位移測量實驗、納米級步進非線性誤差實驗、兩位位移解調(diào)同步性實驗、動態(tài)相位解調(diào)實驗。

審核編輯 黃宇