2023年11月10日-11日，以“灣區(qū)有你，芯向未來”為主題的中國集成電路設計業(yè)2023年會暨廣州集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇（ICCAD 2023）在廣州舉辦。作為國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設計企業(yè)，西安紫光國芯重磅發(fā)布了行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案。同時，包括DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM技術(shù)和先進設計服務在內(nèi)的多款創(chuàng)新產(chǎn)品和前沿技術(shù)也悉數(shù)亮相大會展區(qū)，吸引了來自世界各地嘉賓和產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的關(guān)注。

行業(yè)領(lǐng)先的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案

賦能高性能計算平臺

在本屆ICCAD年會上，西安紫光國芯副總裁左豐國發(fā)表了“從系統(tǒng)級、芯片級尋求突破存儲墻”的主題演講。他從計算系統(tǒng)硬件基礎(chǔ)架構(gòu)的視角，分析了制約計算系統(tǒng)性能發(fā)揮的關(guān)鍵瓶頸，即“數(shù)據(jù)計算”與“數(shù)據(jù)存儲”之間的“存儲墻”問題。介紹了西安紫光國芯“在芯片級用嵌入式DRAM(SeDRAM)技術(shù)實現(xiàn)大帶寬、大容量嵌入式存儲”和“在系統(tǒng)級用CXL技術(shù)實現(xiàn)內(nèi)存容量、帶寬擴展”的方案，助力計算系統(tǒng)實現(xiàn)性能上的不斷提升。

作為CXL技術(shù)聯(lián)盟“Contributor”級別成員和國內(nèi)CXL技術(shù)的先行者，西安紫光國芯多年來持續(xù)關(guān)注CXL技術(shù)并積極地參與相關(guān)技術(shù)標準的討論及完善工作。

本次展會上，公司首次展出了UniICCXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案和產(chǎn)品。該方案具有很好的兼容性及可拓展性，包括適配多型號主流處理器平臺、適配多種存儲介質(zhì)、支持不同設備容量及硬件外觀形態(tài)。

值得一提的是，通過跟行業(yè)上下游頭部廠商長期在技術(shù)及產(chǎn)品層面的緊密合作，西安紫光國芯的方案在訪存的延遲、帶寬及RAS等各方面均有優(yōu)異的表現(xiàn)。

左豐國表示：“在CXL技術(shù)進入商業(yè)化應用的大背景下，我們推出的CXL內(nèi)存擴展主控技術(shù)方案以開放、兼容的設計思路，可靈活支持針對不同類型應用的定制化需求，為計算系統(tǒng)提供內(nèi)存容量/帶寬擴展解決方案。同時，公司還將持續(xù)推進與行業(yè)上下游廠商在CXL技術(shù)產(chǎn)品化應用方面的深度合作，為CXL技術(shù)、生態(tài)的不斷發(fā)展演進做出積極貢獻?！?/p>

領(lǐng)先的嵌入式DRAM技術(shù)（SeDRAM）

為大算力芯片提供支撐

西安紫光國芯嵌入式DRAM技術(shù)（SeDRAM）可以為大算力芯片提供超大帶寬、超低功耗、超大容量嵌入式存儲解決方案，存儲容量達GB級別，訪存帶寬達10TB~100TB級別。SeDRAM技術(shù)采用3D異質(zhì)集成技術(shù)，在訪存延遲和能效方面也大幅優(yōu)于2.5D結(jié)構(gòu)。

過去五年，西安紫光國芯的SeDRAM技術(shù)已演進到現(xiàn)今的第三代，其技術(shù)水平及應用落地案例數(shù)量均處于行業(yè)領(lǐng)先水平，數(shù)十款搭載西安紫光國芯嵌入式DRAM技術(shù)的芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)和銷售，場景覆蓋高性能計算、人工智能、大數(shù)據(jù)分析等多個領(lǐng)域。

專業(yè)DRAM KGD解決方案

持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值

此次展會，西安紫光國芯還展出了DRAM KGD全系列產(chǎn)品。其中，全新發(fā)布的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品，在進一步優(yōu)化芯片尺寸的同時還提升了主要性能指標，可廣泛應用于IPC、STB和汽車電子等市場，并已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

西安紫光國芯的DRAMKGD系產(chǎn)品已覆蓋通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及安防等諸多高端領(lǐng)域，并以其高品質(zhì)產(chǎn)品、長期的技術(shù)支持和供貨保證等突出優(yōu)勢，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值。

DRAM存儲系列產(chǎn)品

深度布局商業(yè)市場 西安紫光國芯重點展示了LPDDR4x、LPDDR4、DDR3、DDR2及SDR等多款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高可靠車規(guī)級芯片產(chǎn)品、新一代DDR5 R/U/SO-DIMM、NVDIMM等模組及系統(tǒng)產(chǎn)品。

其中，作為業(yè)界首款具備On-Chip ECC功能的存儲芯片產(chǎn)品LPDDR4 DRAM，其在高溫環(huán)境下的性能和可靠性均得到了顯著增強。另外，結(jié)合芯片封裝設計的可靠性仿真優(yōu)化，西安紫光國芯LPDDR4 DRAM尤其適用于車規(guī)等高可靠應用場景。系列產(chǎn)品已在智能駕駛、智能座艙等領(lǐng)域批量出貨，應用車型達10款以上。

西安紫光國芯緊跟市場需求變化，專注技術(shù)創(chuàng)新與突破。為滿足企業(yè)級應用在性能和質(zhì)量方面的更高要求，公司此次展出的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品在各項性能方向進行了全面優(yōu)化，速度可達5600Mbps，可為國產(chǎn)CPU平臺以及英特爾第5代至強可擴展處理器Emerald Rapids等平臺提供內(nèi)存解決方案。

“一站式”芯片設計開發(fā)

多元服務全場景 通過多年行業(yè)深耕與技術(shù)積累，西安紫光國芯建立從芯片規(guī)格定義到量產(chǎn)測試的完整芯片設計開發(fā)體系，打造了先進工藝全流程的芯片設計開發(fā)平臺。平臺應用覆蓋基帶通訊、AR/VR、存儲控制、網(wǎng)絡處理、可編程陣列、電源管理和大帶寬解決方案等領(lǐng)域。 目前，西安紫光國芯已為60余家海內(nèi)外客戶提供全流程設計服務，交付220余項服務成果。

未來，西安紫光國芯將持續(xù)推出具有核心競爭力的產(chǎn)品和服務，在新紫光集團“志高行遠 創(chuàng)造價值”的價值觀引領(lǐng)下，“芯向未來持續(xù)創(chuàng)新”，為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造更多價值，為全球科技進步發(fā)展做出更大貢獻。






審核編輯：劉清