10月，為期四天的第五屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議于蘇州召開(kāi)。此次會(huì)議聚集了來(lái)自科研院所、高校與行業(yè)領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)近700位專家、學(xué)者，一同探討寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。

中微公司集團(tuán)副總裁 、MOCVD產(chǎn)品部總經(jīng)理郭世平博士攜MOCVD技術(shù)團(tuán)隊(duì)受邀出席了此次盛會(huì)。中微公司MOCVD高級(jí)工藝總監(jiān)胡建正博士在本次大會(huì)上作了題為《大尺寸藍(lán)光Mini/Micro-LED外延生長(zhǎng)助力高端顯示應(yīng)用》的主題報(bào)告，引起在場(chǎng)嘉賓的廣泛關(guān)注。

胡建正博士談到，Mini/Micro-LEDs在高端顯示應(yīng)用領(lǐng)域具有高對(duì)比度、高動(dòng)態(tài)范圍、輕薄以及低能耗等諸多優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)正受到越來(lái)越多的關(guān)注。然而，高昂的成本制約了Mini/Micro-LEDs技術(shù)的廣泛應(yīng)用。為此，中微公司開(kāi)發(fā)了一種新的技術(shù)發(fā)展方向，即在大尺寸襯底上進(jìn)行外延生長(zhǎng)，這種方法可以有效減少芯片的邊緣損失，提高良率，同時(shí)可以利用現(xiàn)有的集成電路制造產(chǎn)線進(jìn)行后段集成，有助于大幅降低成本。

中微公司開(kāi)發(fā)的用于Mini-LED生產(chǎn)的MOCVD多片機(jī)設(shè)備Prismo UniMax, 采用了PVD AlN與低溫氮化鎵復(fù)合緩沖層，成功實(shí)現(xiàn)了高晶體質(zhì)量的GaN薄膜外延。同時(shí)，得益于Prismo UniMax設(shè)備創(chuàng)新的局部精細(xì)調(diào)溫能力以及外延工藝復(fù)合緩沖層的翹曲控制，我們?cè)?x8''藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光LED片內(nèi)主波長(zhǎng)均值464.8nm，片內(nèi)波長(zhǎng)均勻性（1σ）達(dá)到1.31nm。此外，中微公司還在單機(jī)片機(jī)MOCVD設(shè)備上采用了8''硅襯底進(jìn)行LED生長(zhǎng)。通過(guò)引入AlN/AlGaN緩沖層，并借助于機(jī)臺(tái)實(shí)時(shí)原位翹曲監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，我們對(duì)MQW生長(zhǎng)時(shí)的晶片應(yīng)力進(jìn)行了精準(zhǔn)調(diào)控，成功實(shí)現(xiàn)了高波長(zhǎng)均勻性的8''硅基藍(lán)光LED，其片內(nèi)波長(zhǎng)均勻性（1σ）低至0.98nm。同時(shí)，中微公司單機(jī)片機(jī)MOCVD設(shè)備通過(guò)獨(dú)特的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與流場(chǎng)控制，使得8''硅基藍(lán)光LED的表面顆粒性能也得到了很好的控制，尺寸大于0.25um的顆粒密度僅有0.35顆/cm2。

基于中微公司Prismo系列MOCVD平臺(tái)，我們成功進(jìn)行了8''藍(lán)寶石襯底和硅襯底上的藍(lán)光LED生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的GaN材料質(zhì)量、LED波長(zhǎng)均勻性以及低的顆粒密度，為大尺寸外延Mini/Micro-LED的進(jìn)一步應(yīng)用夯實(shí)了基礎(chǔ)。

攀登勇者，志在巔峰。中微公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，堅(jiān)持“四個(gè)十大”的企業(yè)文化，持續(xù)推進(jìn)三維發(fā)展戰(zhàn)略，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)緊密合作，加速科技創(chuàng)新，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

審核編輯：彭菁