電力MOSFET的反向電阻工作區(qū)

電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而，當(dāng)電壓在兩個(gè)電極之間反向施加時(shí)，MOSFET會(huì)進(jìn)入反向電阻工作區(qū)，這可能導(dǎo)致器件損壞甚至燃燒。

反向電阻是指在MOSFET的漏極和源極之間，當(dāng)控制電壓在零或負(fù)偏置時(shí)，電阻值會(huì)變得非常小，導(dǎo)致電流產(chǎn)生反向流動(dòng)。這種情況通常發(fā)生在高反向電壓下，由于電場(chǎng)強(qiáng)度變大，導(dǎo)致電荷穿透障壘。如果反向電流非常大，可以損壞MOSFET器件甚至極端情況下引起電路故障。

那么如何避免反向電阻?

首先，最好的方法是在使用MOSFET時(shí)保持正向工作狀態(tài)。這就需要設(shè)計(jì)者在電路中加入反向保護(hù)電路，以在負(fù)偏置情況下保護(hù)器件。例如，可以通過(guò)添加快速整流二極管，或者通過(guò)增加一個(gè)Zener二極管等簡(jiǎn)單元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。

其次，可以通過(guò)有效的MOSFET設(shè)計(jì)來(lái)降低反向電阻區(qū)的范圍，在MOSFET設(shè)計(jì)中考慮以下幾個(gè)因素:

1. 硅質(zhì)量問(wèn)題

硅的質(zhì)量決定了在高反向電場(chǎng)下的電子通道的穩(wěn)定性。低質(zhì)量的硅會(huì)導(dǎo)致電子在高反向電場(chǎng)下溢出，從而導(dǎo)致反向電阻的形成。

2. 寄生磁感應(yīng)

MOSFET的內(nèi)部繞組可以產(chǎn)生磁感應(yīng)，導(dǎo)致反向電阻的形成。通過(guò)減少繞組的長(zhǎng)度和增加距離可以減少這種影響。

3. 電荷耦合

在較高的反向電場(chǎng)下，電荷在通道中會(huì)受到耦合效應(yīng)的影響，從而導(dǎo)致MOSFET進(jìn)入反向電阻區(qū)域。此時(shí)，可以通過(guò)減少體截止膜的面積來(lái)減少電荷耦合效應(yīng)。

4. 柔性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

MOSFET的柔性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以減少反向電阻。柔性結(jié)構(gòu)可以使MOSFET的電源極和漏極之間的距離縮小，并使電子穿透障壘的可能性更小。

綜上所述，反向電阻區(qū)域是MOSFET可能面臨的一個(gè)重要問(wèn)題。對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，他們可以采取一些有效的方法來(lái)減少反向電阻的影響，這些方法包括電路中添加反向保護(hù)電路以及優(yōu)化MOSFET設(shè)計(jì)。只有通過(guò)這些措施，才能確保器件長(zhǎng)期穩(wěn)定地工作，并且在各種情況下保持可靠性和安全性。