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Toshiba推出適用于半導體測試儀高頻信號開關的小型光繼電器

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2023-10-18 11:38 ? 次閱讀

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器采用小巧輕薄的WSON4封裝,可降低插入損耗并抑制高頻信號[1] 的功率衰減,適用于使用大量繼電器并需要高速信號的半導體測試儀引腳電子裝置。該產(chǎn)品即日起開始批量發(fā)貨。

Toshiba的優(yōu)化封裝設計減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗,將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz(典型值) [2],比Toshiba當前產(chǎn)品TLP3475S低約1.5倍[2]。

TLP3475W采用小巧輕薄的WSON4封裝,厚度僅為0.8毫米(典型值),使其成為業(yè)內(nèi)最小的 [3]光繼電器,從而實現(xiàn)了更好的高頻信號傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比,它的高度降低了40%,從而可以在同一電路板上安裝更多產(chǎn)品,并有助于提高測量效率。

Toshiba將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容,以支持速度更快、功能更多的半導體測試儀。

應用

半導體測試儀(高速存儲器測試儀、高速邏輯測試儀等)

探針卡

測量設備

特性

業(yè)界最小的[3]WSON4封裝:1.45mm×2.0mm(典型值),t=0.8mm(典型值)

改善高頻信號通過特性:f=20GHz(典型值)@插入損耗(S21) = -3dB

常開功能(1-Form-A)

備注:

[1] 當頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫范圍內(nèi)時。
[2] 信號通過輸出MOSFET時,信號功率衰減比(插入損耗)為-3dB的頻段。
[3] 針對光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調(diào)查。

主要規(guī)格

(除非另有說明,否則Ta = 25°C)
部件編號 TLP3475W
封裝 名稱 WSON4
尺寸(毫米) 1.45×2.0(典型值),t=0.8(典型值)
絕對最大額定值 關斷狀態(tài)輸出端電壓VOFF (V) 60
導通電流ION (A) 0.4
導通電流(脈沖)IONP (A) 1.2
工作溫度Topr (°C) -40至110
耦合電氣特性 觸發(fā)LED電流IFT (mA) 最大值 3.0
導通電阻RON (Ω) 典型值 1.1
最大值 1.5
電氣特性 輸出電容COFF (pF) 最大值 20
開關特性 導通時間tON(毫秒) @RL = 200Ω,
VDD = 20V,
IF = 5mA
最大值 0.25
關斷時間tOFF(毫秒) 0.2
隔離特性 隔離電壓BVS (Vrms) 最小值 300


審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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