世紀金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭
10月10日，包頭市人民政府與北京世紀金光半導體有限公司在包頭市正式簽署“年產70萬片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目”戰略合作協議。
據科創包頭透露，該計劃將在包頭、北京科創基地合作引進計劃落地包頭市青山區裝備制造產業園區總投資34.57億韓元。建設總事業建設周期將在3年正式啟動時，每年要投入能夠同時容納70萬6-8英寸單晶襯底生產線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
北京世紀金色半導體有限公司是寬3代禁止攜帶半導體功能材料和功率器件開發和生產的企業，創新的解決了高純碳化硅粉末材料提純技術，6英寸碳化硅制造技術，高壓低導通電阻碳化硅sbd mosfet結構和工藝設計技術等。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
456文章
51155瀏覽量
426312 -
單晶
+關注
關注
1文章
61瀏覽量
14169 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2816瀏覽量
49193
發布評論請先 登錄
相關推薦
日本開發出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據介紹，與使用采
碳化硅襯底，進化到12英寸！
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）碳化硅產業當前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規模往8英寸發展，在最上游的晶體、襯底，業界已經具備大量產能，
晶升股份研發出可視化8英寸電阻法SiC單晶爐
10月26日，晶升股份憑借其在碳化硅領域的創新技術引起了市場關注。據“證券時報”報道，晶升股份已成功研發出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，該設備能將碳化硅晶體的生長過程變得透明化，
合盛新材料8英寸導電型4H-SiC襯底項目全線貫通
合盛硅業旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來振奮人心的消息，其8英寸導電型4H-SiC（碳化硅）襯底項目已圓滿實現全線貫通，標志著公司在第三代
全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導體產業迎來新一輪技術升級
隨著全球半導體產業的快速發展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產業。
國內8英寸SiC工程片下線！降本節奏加速
制造等產線擴張；另一部分是源自過去十多年時間里，SiC襯底尺寸從4英寸完全過渡至6英寸，加上良率的提升。 ? 更大的
捷捷微電8英寸功率器件項目簽約
近日，捷捷微電宣布其8英寸功率半導體器件芯片項目正式簽約，落戶蘇錫通科技產業園區。作為功率（電力）半導體器件的領軍制造商和品牌運營商，捷捷微電集研發、制造、封測、銷售與服務為一體，展現
杭州士蘭與廈門半導體等聯手投資8英寸SiC功率器件項目
本次合作四方預計將在位于廈門市海滄區的廈門士蘭集宏半導體有限公司進行合資運營，主要目的是建造一座每月能生產6萬片以SiC-MOSEFET為主導產品的8英寸
捷捷微電8英寸功率芯片項目+通富微電先進封裝項目簽約！
5月16日，捷捷微電8英寸功率半導體器件芯片項目和通富微電先進封裝項目簽約落戶蘇錫通科技產業園區。副市長李玲出席活動并見證
合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產能將大幅提升
據了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的
新質生產力賦能高質量發展，青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創新，在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產線一期工程！總投資超350億
美國時間3月26日，Wolfspeed在官網宣布，他們的第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式，Wolfspeed總裁兼首席執行官 Gregg Lowe、參議員Tho
8英寸SiC襯底陣容加速發展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座
近年來，隨著碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，降低SiC成本的呼聲日益強烈，最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個
河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐！
平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
工商網監
評論