色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

第三代半導體產業 ? 來源:人工晶體學報 ? 2023-10-11 16:06 ? 次閱讀

作為超寬禁帶半導體材料之一,Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV,理論擊穿場強為8 MV/cm,是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料,在高壓電力控制、射頻通信、日盲探測、惡劣環境信號處理等方面有著廣闊的應用前景。近年來,4~6英寸氧化鎵單晶生長技術取得突破性進展,極大地推動了氧化鎵相關材料及器件的研究,正成為國際上超寬禁帶半導體領域的研究和產業熱點。

山東大學晶體材料國家重點實驗室賈志泰教授、陶緒堂教授課題組在《人工晶體學報》2023年第8期發表了題為《Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究》(第一作者:陳紹華;通信作者:穆文祥、賈志泰)的研究論文。論文通過導模法生長了Ni摻雜β-Ga2O3單晶,其晶體的結晶質量較高,近紅外波段未見明顯的光吸收,具有半絕緣的電學性能,且光學帶隙約為4.74 eV,紫外截止邊仍在日盲波段內,可用于制備高溫、高壓以及大功率器件

EFG法生長所獲得的Ni摻雜β-Ga2O3晶體樣品整體呈黃褐色(見圖1(a))。根據ICP測試結果(見表1)可知Ni實際摻入濃度為0.00645%,摻雜顏色較為均勻。PXRD測試結果(見圖1(b))表明,所生長晶體均為β相,無其他雜相的存在。不同點的勞厄衍射結果(見圖2)證明晶體的單晶性較好,內部無多晶存在。

bd2a7728-680c-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖1Ni摻雜β-Ga2O3單晶照片(a)及其PXRD圖譜(b)

表1Ni摻雜β-Ga2O3晶體的ICP測試結果

bd41d954-680c-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖2Ni摻雜β-Ga2O3單晶(100)面不同位置的勞厄衍射圖樣

bd52064e-680c-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖3Ni摻雜β-Ga2O3單晶的紫外-可見光譜結果。(a)透過光譜;(b)(αhν)2和hν的Tauc圖

Ni摻雜β-Ga2O3晶體的紅外透過光譜(見圖4)顯示其在紅外及近紅外波段都保持較高的透過率;陰極熒光光譜(見圖5)顯示:晶體在240~600 nm的最大峰強在394 nm處,相比本征Ga2O3晶體紅移了24.1 nm;在560~800 nm出現了明顯的峰,最大峰強出現在695.1 nm處。說明Ni摻雜使Ga2O3晶體具有了一定寬帶近紅外發光特性,為β-Ga2O3晶體提供了用于寬帶近紅外發光器件領域的可能性。

bd65d188-680c-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖4Ni摻雜β-Ga2O3單晶的紅外透過光譜

bd7513aa-680c-11ee-939d-92fbcf53809c.png

圖5Ni摻雜β-Ga2O3單晶的CL光譜測試結果。(a)紫外-可見波段;(b)可見-近紅外波段

結論

本文使用導模法生長了高質量Ni摻雜β-Ga2O3單晶。XRD圖譜及勞厄衍射圖樣顯示,晶體的結晶質量較高,晶體結構未因為摻雜發生改變。晶體的近紅外波段未見明顯的光吸收,具有半絕緣的電學性能,其光學帶隙約為4.74 eV,紫外截止邊仍在日盲波段內,作為半絕緣襯底可用于制備高溫、高壓以及大功率器件。本研究通過CL光譜發現了Ni摻雜β-Ga2O3單晶在600~800 nm波段的寬帶近紅外發光特性,表明其在寬帶近紅外領域具有較高的應用前景,為β-Ga2O3器件的豐富和快速發展提供了參考。






審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28164

    瀏覽量

    227328
  • 信號處理
    +關注

    關注

    48

    文章

    1048

    瀏覽量

    103679
  • 光譜儀
    +關注

    關注

    2

    文章

    1009

    瀏覽量

    31215
  • 氧化鎵
    +關注

    關注

    5

    文章

    81

    瀏覽量

    10431

原文標題:山東大學 · Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

文章出處:【微信號:第三代半導體產業,微信公眾號:第三代半導體產業】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 0人收藏

    評論

    相關推薦

    FA10-220S24GA2N4 FA10-220S24GA2N4

    電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA10-220S24GA2N4相關產品參數、數據手冊,更有FA10-220S24GA2N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FA10-220S24GA2
    發表于 03-18 18:51
    FA10-220S24<b class='flag-5'>GA2</b>N4 FA10-220S24<b class='flag-5'>GA2</b>N4

    上海光機所在n型β-Ga2O3單晶光電性能調控方面取得進展

    圖1?W:β-Ga2O3晶體的透射光譜(a)及光學帶隙(b) 近期,中國科學院上海光學精密機械研究所先進激光與光電功能材料部研究團隊聯合高功率激光元件技術與工程部研究團隊在n型β-
    的頭像 發表于 02-28 06:22 ?208次閱讀
    上海光機所在n型β-<b class='flag-5'>Ga2O3</b><b class='flag-5'>單晶</b>光電性能調控方面取得進展

    化合積推出硼摻雜單晶金剛石,推動金剛石器件前沿應用與開發

    【DT半導體】獲悉,化合積為了大力推動金剛石器件的應用和開發進程,推出硼摻雜單晶金剛石,響應廣大客戶在金剛石器件前沿研究的需求。 金剛石,作為超寬帶隙半導體,被公認為終極功率半導體,
    的頭像 發表于 02-19 11:43 ?387次閱讀
    化合積<b class='flag-5'>電</b>推出硼<b class='flag-5'>摻雜</b><b class='flag-5'>單晶</b>金剛石,推動金剛石器件前沿應用與開發

    鎵仁半導體成功實現VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜

    的導電型摻雜,為下游客戶提供更加豐富的產品選擇,助力行業發展。該VB法氧化鎵長晶設備及工藝包已全面開放銷售。 【圖1】鎵仁半導體VB法4英寸導電型氧化鎵單晶底面 【圖2】 鎵仁半導體VB法4英寸導電型氧化鎵
    的頭像 發表于 02-14 10:52 ?237次閱讀
    鎵仁半導體成功實現VB法4英寸氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>導電<b class='flag-5'>摻雜</b>

    關于超寬禁帶氧化鎵晶相異質結的新研究

    Ga2O3)晶相異質結(Phase Heterojunction)的新研究發表在《Advanced Materials》上。 論文第一作者為陸義博士 。文章首次在實驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間
    的頭像 發表于 01-22 14:12 ?268次閱讀
    關于超寬禁帶氧化鎵晶相異質結的新<b class='flag-5'>研究</b>

    RS-ALD技術制備的Al2O3薄膜在TOPCon電池邊緣鈍化中的應用研究

    硅太陽能電池和組件在伏市場占主導,但半電池切割產生的新表面會加劇載流子復合,影響電池效率,邊緣鈍化技術可解決此問題。Al2O3薄膜穩定性高、介電常數高、折射率低,在光學和光電器件中有應用前景,常用
    的頭像 發表于 01-13 09:01 ?705次閱讀
    RS-ALD技術制備的Al<b class='flag-5'>2O3</b>薄膜在TOPCon電池邊緣鈍化中的應用<b class='flag-5'>研究</b>

    微透鏡陣列后傳播的研究

    傳播進行模擬。在這個應用案例中,我們將分別研究元件后近場、焦區以及遠場特性。 2.系統配置 ** 3.系統建模模塊-組件 ** 4.總結—組件 …… 仿真結果 1.場追跡結果—近場
    發表于 01-08 08:56

    TRCX:摻雜過程分析

    在 LTPS 制造過程中,使用自對準掩模通過離子注入來金屬化有源層。當通過 TRCX 計算電容時,應用與實際工藝相同的原理。工程師可以根據真實的 3D 結構提取準確的電容,并分析有源層離子注入前后的電位分布,如下圖所示。 (a)FIB (b) 摻雜前后對比
    發表于 01-08 08:46

    β相氧化鎵p型導電的研究進展

    β 相氧化鎵(β-Ga2O3)具有超寬半導體帶隙、高擊穿電場和容易制備等優勢,是功率器件的理想半導體材料。但由于 β-Ga2O3價帶頂能級位置低、能帶色散關系平坦,其 p 型摻雜目前仍具有挑戰性
    的頭像 發表于 12-10 10:02 ?1871次閱讀
    β相氧化鎵p型導電的<b class='flag-5'>研究</b>進展

    鋰離子電池富鋰正極材料中摻雜位點的定量識別研究

    ? 論文簡介 研究團隊通過中子衍射和同步輻射X射線衍射技術,定量識別了鋰富集層狀氧化物(LLOs)中鋁(Al)和鎂(Mg)摻雜元素的具體位置。研究發現,鋁傾向于占據過渡金屬層,而鎂則均勻占據過渡金屬
    的頭像 發表于 12-05 09:39 ?630次閱讀
    鋰離子電池富鋰正極材料中<b class='flag-5'>摻雜</b>位點的定量識別<b class='flag-5'>研究</b>

    氧化鎵探測器性能指標及測試方法

    氧化鎵(Ga2O3)探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器,主要用于日盲紫外的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。
    的頭像 發表于 11-08 13:49 ?920次閱讀

    富士康,布局第四代半導體

    來源:鉅亨網 鴻海(富士康)研究院半導體所,攜手陽明交大電子所,雙方研究團隊在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破,提高了第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性
    的頭像 發表于 08-27 10:59 ?630次閱讀

    摻雜對PN結伏安特性的影響

    摻雜對PN結伏安特性的影響是半導體物理學中的一個重要議題。PN結作為半導體器件的基礎結構,其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類型以及摻雜
    的頭像 發表于 07-25 14:27 ?3157次閱讀

    淺析硅中Sb摻雜和P摻雜的位錯影響

    摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導體材料,它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。
    的頭像 發表于 04-09 09:41 ?1721次閱讀
    淺析硅中Sb<b class='flag-5'>摻雜</b>和P<b class='flag-5'>摻雜</b>的位錯影響

    單晶硅電阻率的控制原理介紹

    本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現象、電阻率與摻雜濃度之間的關系、共摻雜技術等知識,解釋了單晶硅電阻率控制原理。
    的頭像 發表于 04-07 09:33 ?2488次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶</b>硅電阻率的控制原理介紹

    電子發燒友

    中國電子工程師最喜歡的網站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品
    主站蜘蛛池模板: 青青草久久伊人 | 97国产成人精品免费视频 | 日本美女阴道 | 久久中文字幕无线观看 | 欧美精品高清在线观看 | 亚洲香蕉视频在线播放 | 亚洲专区中文字幕视频专区 | 校花爽好大快深点h | 粉嫩无套白浆第一次jk | 亚洲精品高清AV在线播放 | 漂亮妈妈中文字幕版 | 国产又粗又黄又爽的大片 | 91区国产福利在线观看午夜 | 好大好硬好爽好深好硬视频 | 插曲的痛30分钟视频最新章节 | 亚洲不卡视频在线观看 | 亚洲裸舞 hd | 男人女人边摸边吃奶边做 | 年轻的女职工在线观看 | 欧美日韩视频一区二区三区 | 棉签和冰块怎么弄出牛奶视频 | 亚洲国产在线播放在线 | 亚洲成人中文 | 精品无码久久久久久久久 | 曼谷av女郎 | 97精品少妇偷拍AV | 国产乱码免费卡1卡二卡3卡四卡 | 伊人久久大香线蕉综合亚洲 | 国产ZZJJZZJJ视频全免费 | 国产亚洲精品网站在线视频 | 国产1000部成人免费视频 | 欧美精品成人a多人在线观看 | 国产亚洲精品免费视频 | 亚洲视频中文字幕在线观看 | 国产精品久AAAAA片 | 日久精品不卡一区二区 | 草莓湿漉漉是好事还是恶性 | 综合色一色综合久久网vr | 三级色视频 | 伊人影院综合网 | 真实国产精品视频国产网 |