具體指標如下：

頻段 2.7-3.5GHz

輸入功率＜1dBm

輸出飽和功率＞46dBm

介質(zhì)板為Rogers 4003，介電常數(shù)為3.38，厚度為0.508mm

1. 末級功放電路設(shè)計

末級功率放大電路選用CREE公司的CGH40045高電子遷移速率晶體管。資料中CGH40045的飽和輸出功率為55W，效率為55%

設(shè)計流程如下：

1. 1 靜態(tài)工作點的設(shè)置
   在芯片資料中，漏源電壓28V，柵源電壓的工作范圍為-3.0V
   1.2 穩(wěn)定性分析
   對晶體管進行穩(wěn)定性仿真可以得到穩(wěn)定判斷的K線圖和B線圖，分別如下圖所示，K＞1且B＞0,CGH40045F在應用頻段屬于穩(wěn)定的。

1.3晶體管輸入與輸出阻抗分析

利用CREE公司提供的大型號模型，結(jié)合ADS 負載牽引可以仿真得出輸出與輸出阻抗變化呈線性分布，因此設(shè)計電路考慮輸入輸出對稱拓撲結(jié)構(gòu)。

1.4 饋電端λ/4高阻線設(shè)計

偏置電源為其供電時，必須要保證電源的直流信號可以順利向CGH40045F所在的功放電路的柵極、漏極提供偏置電壓，并且還要保證功率放大器輸入輸出信號不會從偏置電路泄露。故需要在所要求的頻段內(nèi)設(shè)計一高阻線，使其對于直流表現(xiàn)為通路，射頻信號表現(xiàn)為開路，即相當于扼流圈的作用。，扇形結(jié)構(gòu)由于寬度是漸變的，可以很好的滿足寬帶性能，拓撲結(jié)構(gòu)如下圖所示：

經(jīng)過仿真優(yōu)化得到S(1,1)、S(2,2)接近0dB，在2.7-3.5GHz頻段范圍內(nèi)全反射，滿足高阻線設(shè)計要求。

1.5 功放寬帶匹配電路的設(shè)計

如下圖所示，本文采用典型的雙分支平衡匹配電路，由于其結(jié)構(gòu)具有較多的可控變量，適用頻段更寬，同時由于晶體管輸入，輸出阻抗變化較為線性，在輸入端和輸出端各有一段漸變線，進行阻抗平滑過渡。

根據(jù)S參數(shù)不斷進行原理圖優(yōu)化，滿足要求后進行EM版圖聯(lián)合仿真。

版圖聯(lián)合仿真滿足S參數(shù)指標要求后，進行諧波平衡仿真與增益，功率仿真，結(jié)果如下，可見基波在3.1GHz處的功率為48.5dBm，二次諧波和三次諧波的功率為10dBm左右，諧波相對于基波可以忽略不計。CGH40045F晶體管的3dB輸出功率約48.5dBm，而實際需要46.6dBm就已經(jīng)足夠，因此在正常工作時，沒有必要達到此3dB壓縮點，在全頻段功放效率在50%以上。

2. 驅(qū)動級功放設(shè)計

驅(qū)動級選擇的CREE的CGH40010F，芯片資料中，給出了CGH40010氮化鎵高電子遷移速率晶體管的飽和輸出功率為13W，在飽和輸出功率下的效率為65%。

根據(jù)大信號模型仿真其阻抗點跟末級功放一樣，具有線性的增長變化，因此中間級驅(qū)動具有相同的拓撲結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化變量使其S參數(shù)指標滿足要求。

原理圖結(jié)合EM版圖聯(lián)合仿真，同時分別調(diào)用ADS電磁仿真軟件下的S參數(shù)仿真模塊對其功率增益以及一端口二端口的反射情況進行仿真分析；調(diào)用諧波平衡仿真模塊對其二次諧波、三次諧波的大小進行分析；調(diào)用增益壓縮仿真模塊，對匹配電路的1dB功率增益壓縮點進行仿真分析等。

2.1 驅(qū)動級功放S參數(shù)仿真分析

如下圖所示，S(1,1)＜-11dB，S（2,1）＞13dB。

2.2 驅(qū)動級功放諧波平衡仿真

如下圖所示，中心頻率3.1GHz處，基波的3dB壓縮點的輸出功率約為42.5dBm，二次諧波和三次諧波的3dB壓縮點的輸出功率分別約為20.2dBm、13.2dBm，較基波的輸出功率小得多，對基波影響較小。晶體管全頻帶效率大概在35%以上。

3 前級功放的設(shè)計

前級功放選擇Hittite公司的HMC 464功放芯片，其增益在2GHz～4GHz內(nèi)大于16dB，回波損耗在-15dB以下，輸出功率1dB壓縮點為26dBm。

4. 末級隔離器的選型

為了保障功放的合理測試，防止反射功率太大損壞功放，因此末級選擇了UIY（深圳優(yōu)譯的隔離器）UIYBDI3234A2T4，如下圖所示：

5. 整機鏈路計算

此模塊采用三級放大，整個模塊的效率在50%