高溫試驗是晶振在高溫條件下工作一段時間后，評定高溫對晶振的電氣和機械性能的影響;或者長時間高溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，可參照標準GJB 360B.108。

低溫試驗是長時間低溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，以及檢測封裝中足以對晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣，即通常的露點測試，可參照標準GJB 548B.1013.1。

高低溫儲存試驗(High/Low Temperature Storage)暴漏的故障來源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學變化，例如：密封問題，材料熱脹冷縮問題，電性能產(chǎn)生的變化等。

試驗說明

高溫存儲試驗：

工作溫度: 125°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結(jié)束后24±2Hrs內(nèi)進行電性能測試。高溫儲存試驗可以使用“電熱恒溫箱”來進行試驗，可參考標準MIL-STD-202 Method 108。?

低溫存儲試驗

工作溫度: -55°C±5°C; 存儲時間: 1000H±12H,不帶電; 實驗結(jié)束后24±4Hrs進行電性能測試。低溫儲存試驗可以使用“低溫試驗機”，可參考標準JIS-C7021B-12。

本試驗對晶振的影響

高溫存儲試驗

晶體諧振器頻率降低3.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。

低溫存儲試驗

晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。

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審核編輯：湯梓紅