隨著華為mate60 pro的發(fā)布，歐美加大制裁的聲浪又開始喧囂，這些噪音，從5G哥的角度看來，只會加速國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)的突飛猛進。

今天5G哥就與大家聊聊中國***的一些關(guān)鍵突破。

中國的技術(shù)底蘊日益顯現(xiàn)，特別是在核心技術(shù)領(lǐng)域，中國已經(jīng)取得了一些重要突破。值得關(guān)注的是，這些突破是建立在國內(nèi)研究和創(chuàng)新的基礎(chǔ)上的。

早在2015年，中國的長春光機所就成功研發(fā)出了EUV（極紫外光刻）***的高精度弧形反射鏡系統(tǒng)。這個系統(tǒng)的多層層鍍膜面形誤差小于0.1納米，達到了EUV級***的標(biāo)準(zhǔn)。這個成就在國際上已經(jīng)堪稱頂尖水平。

然而，這套系統(tǒng)中存在一個小問題，即并非所有零部件都是國產(chǎn)的，其中的鍍膜裝置需要從海外購買。這一情況導(dǎo)致了系統(tǒng)的關(guān)鍵部分依賴進口，容易受到外部制裁的影響。

為了解決這一難題，中科院控股企業(yè)北京中科科美在2021年7月成功研發(fā)出了鍍膜精度控制在0.1納米以內(nèi)的直線式勞埃透鏡鍍膜裝置以及納米聚焦鏡鍍膜裝置。這些零部件滿足了長春光機所對于高精度弧形反射鏡系統(tǒng)的技術(shù)要求。

隨后，這些新的鍍膜裝置被供應(yīng)給了長春光機所，使其能夠立刻制造出EUV級***級別的高精度弧形反射鏡系統(tǒng)。這個成功案例表明，中國在EUV***領(lǐng)域已經(jīng)具備了自主研發(fā)和生產(chǎn)的能力，增強了對EUV***的信心。

EUV***技術(shù)本質(zhì)上是一個工程問題，理論上并不存在困難。在中國，人才、需求、技術(shù)基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)都具備，唯一需要的是時間和投入。這正是中國的優(yōu)勢所在。

目前，國內(nèi)有三條主要的EUV***研發(fā)路線，它們采取飽和式研發(fā)，不計成本：

正統(tǒng)路線：這是ASML的EUV***路線，由華為、上海光機所和宇量昇等國內(nèi)公司合作。他們采用了500瓦LPP（液體靶點光源）光源和復(fù)雜的鏡頭組。這條路線的進展速度最快，但技術(shù)復(fù)雜度也最高，特別是在超高功率和超高重復(fù)頻率二氧化碳激光器方面的技術(shù)難度非常大。

改進型路線：由廣東智能機器研究院和華中科技大學(xué)合作，嘗試采用分時高功率光纖激光器射擊液態(tài)錫靶的方式，繞開了超高功率、超高重復(fù)頻率二氧化碳激光器的技術(shù)路線。雖然成功與否尚不確定。

顛覆式路線：清華大學(xué)主導(dǎo)的1千瓦級SSMB-EUV光源，可以直接將***光源變成類似工業(yè)園中的電力、蒸汽、純水等可購買原料。如果這條技術(shù)路線成功，將極大簡化***光路，降低成本，使EUV***變得更加經(jīng)濟實惠。這條路線的成功有望成為中國***技術(shù)趕超ASML的關(guān)鍵。

從2020年10月國內(nèi)啟動加大投入加速研發(fā)以來，***研發(fā)取得了令人矚目的進展。第一條技術(shù)路線的EUV***預(yù)計將比最初預(yù)期的時間更快投入量產(chǎn)。第三條技術(shù)路線被認為是未來第2代和第3代EUV***的優(yōu)勢路線，為中國制造3納米芯片奠定了基礎(chǔ)。

中國在EUV***技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)投入和創(chuàng)新正在逐漸實現(xiàn)突破，有望在未來幾年內(nèi)成為全球領(lǐng)先的EUV***制造國。這一成就將有望為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和全球芯片市場的供應(yīng)帶來顯著影響。

歐美等國也將面臨來自中國產(chǎn)業(yè)鏈的競爭挑戰(zhàn)，中國有望在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，繼續(xù)推動技術(shù)進步和創(chuàng)新。

聰明的企業(yè)，例如ASML，前面?zhèn)餮赃B14nm的***都要不賣給中國了，最近，他們趕緊辟謠，稱合同將如約執(zhí)行。

對嘛，能賺錢趕緊先賺了，現(xiàn)在我們對中低端半導(dǎo)體的制造仍然需求大量***，你們愿意賣我們買沒問題。

要等中國突破和量產(chǎn)，就不需要了！你們自己留著吧。