深圳市薩科微半導體公司公司，是以研究制造第三代半導體新材料碳化硅功率器件元器件發展起來的公司，薩科微slkoric于2022年獲授“國家級高新技術企業”，原始取得關于MOS管、IGBT管、元器件封測等發明專利幾十項，通過了歐盟標準的ROHS及REACH檢測。薩科微slkormicro不斷研究新技術創新工藝和推出新產品，最近推出了SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運算放大器SLA333系列等產品，促進公司進步的同時也引領電力電子行業的不斷發展。薩科微研發技術骨干由北京清華大學和延世大學專家組成，研發、生產、封測、銷售等關鍵環節已經成功往中國轉移，在集成電路的“國產替代”中取得不俗成績。

薩科微半導體最近推出了IGBT單管SL40T120FL系列,該型號功率(Pd)可達417W、集射極擊穿電壓(Vces)為1.2kV、集電極電流(Ic)為40A，集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Vge)為1.8V，可應用在交流電機、變頻器、開關電源、照明電路和牽引傳動等場景。薩科微技術顧問清華大學李健雄老師介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），也叫絕緣柵雙極型晶體管，是由MOSFET（絕緣柵型場效應晶體管）和BJT(雙極型晶體管)相結合的電壓驅動式功率器件，既有MOSFET管輸入阻抗高、控制功率小、易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點，又結合了雙極晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。IGBT還被稱為電力電子電路的“CPU”，是電力能源變換與傳輸的核心器件，具有一定的放大電壓的功能，導通時可以看做短路線，截止時看做開路。薩科微新開發的SL40T120FL系列高性能、高可靠性與低成本的IGBT芯片，不僅僅需要在設計端不斷優化器件結構，對晶圓制造和封裝及其散熱的要求更高，薩科微slkormicro半導體這兩年也在逐點突破。

審核編輯 黃宇