KUU推出SGT MOSFET新品 KM4110N-568
KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGT MOSFET產品KM4110N-568。產品使用先進的屏蔽柵溝槽（Shield Gate Trench）技術，同時降低了器件導通電阻Ronsp和柵極電荷Qg，得到更小的品質因數FOM（Rdson*Qg）。采用這一先進技術有效提高了器件的開關速度，降低了開關損耗，配合以先進的終端設計和封裝技術，使器件具有更優異的性能和更強的可靠性。
這款KM4110N-568作為N-SGT MOSFET，其產品參數：具有110A電流、40V電壓，RDS(on) =2.3mΩ，最高柵源電壓VGS =±20 V，廣泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、變流器、電動工具等。
產品優勢
1、極低的Rdson
2、極低的Qg和Qgd
3、更快的開關速度
4、更低的開關損耗
典型應用方案
使用這款N-SGT MOSFET，保證其耐壓性能，能抵抗高浪涌電流沖擊，具有更低導通損耗，可節省電能，適合多管并聯。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
開關
+關注
關注
19文章
3144瀏覽量
93815 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7229瀏覽量
213939 -
封裝
+關注
關注
127文章
7988瀏覽量
143256
發布評論請先 登錄
相關推薦
SGT MOSFET的優勢解析
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品。貝嶺150V SGT系列產品采用業界先進工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環終端結
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品是基于傳統溝槽式MOSFET的改進版本，其出色的導通電阻、品質因子和快速硬開關能力，為電源設計人員提供了解決提高系
一文看懂SGT MOSFET的市場前景
uSGT MOSFET的市場前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。
納芯微推出全新CSP封裝MOSFET產品
近日，納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產品。這款新品以其優異的短路過流能力與雪崩過壓能力，以及更強的機械壓力耐受能力，為便攜式鋰電設
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展，在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代
網線t568b和t568a的區別
網線T568B和T568A是兩種常見的網線線序標準，它們之間存在多個方面的區別，主要包括以下幾個方面： 一、排線順序不同 T568B：其排線順序為白橙、橙、白綠、藍、白藍、綠、白棕、棕。這種排線順序
替代Trench MOSFET？國產SGT MOSFET產品井噴
，IGBT、超結MOSFET等中高壓產品也受到了更多關注，不過面對第三代半導體在新能源領域的強勢沖擊，未來增速面臨放緩跡象。 ? 然而在低壓領域的硅基MOSFET市場，SGT MOSFET
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
工商網監
評論