得益于日益成熟的技術(shù)，MEMS傳感器在各類電子產(chǎn)品上快速普及，我們身邊的智能手機、平板電腦等幾乎所有電子設(shè)備無不包含，然而大部分人對MEMS技術(shù)還是比較陌生的。

MEMS技術(shù)的應(yīng)用主要有傳感器和執(zhí)行器兩部分，本文是一篇比較嚴(yán)肅的MEMS技術(shù)科普文章，作者是MEMS技術(shù)博士，然而文中深入淺出，并沒有深奧到難以看懂，并且配有多圖微觀圖片講解，是小編看過最好的MEMS技術(shù)科普內(nèi)容！

寫在前面

雖然大部分人對于MEMS（Microelectromechanical systems，微機電系統(tǒng)/微機械/微系統(tǒng)）還是感到很陌生，但是其實MEMS在我們生產(chǎn)，甚至生活中早已無處不在了，智能手機，健身手環(huán)、打印機、汽車、無人機以及VR/AR頭戴式設(shè)備，部分早期和幾乎所有近期電子產(chǎn)品都應(yīng)用了MEMS器件。

MEMS是一門綜合學(xué)科，學(xué)科交叉現(xiàn)象及其明顯，主要涉及微加工技術(shù)，機械學(xué)/固體聲波理論，熱流理論，電子學(xué)，生物學(xué)等等。MEMS器件的特征長度從1毫米到1微米，相比之下頭發(fā)的直徑大約是50微米。

MEMS傳感器主要優(yōu)點是體積小、重量輕、功耗低、可靠性高、靈敏度高、易于集成等，是微型傳感器的主力軍，正在逐漸取代傳統(tǒng)機械傳感器，在各個領(lǐng)域幾乎都有研究，不論是消費電子產(chǎn)品、汽車工業(yè)、甚至航空航天、機械、化工及醫(yī)藥等各領(lǐng)域。

常見產(chǎn)品有壓力傳感器，加速度計，陀螺，靜電致動光投影顯示器，DNA擴增微系統(tǒng)，催化傳感器。

MEMS的快速發(fā)展是基于MEMS之前已經(jīng)相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。MEMS往往會采用常見的機械零件和工具所對應(yīng)微觀模擬元件，例如它們可能包含通道、孔、懸臂、膜、腔以及其它結(jié)構(gòu)。然而，MEMS器件加工技術(shù)并非機械式。相反，它們采用類似于集成電路批處理式的微制造技術(shù)。

批量制造能顯著降低大規(guī)模生產(chǎn)的成本。若單個MEMS傳感器芯片面積為5 mm x 5 mm，則一個8英寸(直徑20厘米)硅片(wafer)可切割出約1000個MEMS傳感器芯片（圖1），分?jǐn)偟矫總€芯片的成本則可大幅度降低。

因此MEMS商業(yè)化的工程除了提高產(chǎn)品本身性能、可靠性外，還有很多工作集中于擴大加工硅片半徑（切割出更多芯片），減少工藝步驟總數(shù)，以及盡可能地縮傳感器大小。

圖1. 8英寸硅片上的MEMS芯片（5mm X 5mm）示意圖

圖2. 從硅原料到硅片過程。硅片上的重復(fù)單元可稱為芯片（chip 或die）。

MEMS需要專門的電子電路IC進行采樣或驅(qū)動，一般分別制造好MEMS和IC粘在同一個封裝內(nèi)可以簡化工藝，如圖3。不過具有集成可能性是MEMS技術(shù)的另一個優(yōu)點。

正如之前提到的，MEMS和ASIC (專用集成電路)采用相似的工藝，因此具有極大地潛力將二者集成，MEMS結(jié)構(gòu)可以更容易地與微電子集成。然而，集成二者難度還是非常大，主要考慮因素是如何在制造MEMS保證IC部分的完整性。

例如，部分MEMS器件需要高溫工藝，而高溫工藝將會破壞IC的電學(xué)特性，甚至熔化集成電路中低熔點材料。MEMS常用的壓電材料氮化鋁由于其低溫沉積技術(shù)，因為成為一種廣泛使用post-CMOS compatible（后CMOS兼容）材料。

雖然難度很大，但正在逐步實現(xiàn)。與此同時，許多制造商已經(jīng)采用了混合方法來創(chuàng)造成功商用并具備成本效益的MEMS 產(chǎn)品。一個成功的例子是ADXL203，圖4。

ADXL203是完整的高精度、低功耗、單軸/雙軸加速度計，提供經(jīng)過信號調(diào)理的電壓輸出，所有功能（MEMS & IC）均集成于一個單芯片中。這些器件的滿量程加速度測量范圍為±1.7 g，既可以測量動態(tài)加速度（例如振動），也可以測量靜態(tài)加速度（例如重力）。

圖3. MEMS與IC在不同的硅片上制造好了再粘合在同一個封裝內(nèi)

圖4. ADXL203（單片集成了MEMS與IC）

1、通信/移動設(shè)備

圖7. 智能手機簡化示意圖

在智能手機中，iPhone 5采用了4個 MEMS傳感器，三星Galaxy S4手機采用了八個MEMS傳感器。

iPhone 6 Plus使用了六軸陀螺儀&加速度計（InvenSense MPU-6700）、三軸電子羅盤（AKM AK8963C）、三軸加速度計（Bosch Sensortec BMA280），磁力計，大氣壓力計（Bosch Sensortec BMP280）、指紋傳感器(Authen Tec的TMDR92)、距離傳感器，環(huán)境光傳感器(來自AMS的TSL2581 )和MEMS麥克風(fēng)。

iphone 6s與之類似，稍微多一些MEMS器件，例如采用了4個MEMS麥克風(fēng)。預(yù)計將來高端智能手機將采用數(shù)十個MEMS器件以實現(xiàn)多模通信、智能識別、導(dǎo)航/定位等功能。MEMS硬件也將成為LTE技術(shù)亮點部分，將利用MEMS天線開關(guān)和數(shù)字調(diào)諧電容器實現(xiàn)多頻帶技術(shù)。

以智能手機為主的移動設(shè)備中，應(yīng)用了大量傳感器以增加其智能性，提高用戶體驗。這些傳感器并非手機等移動/通信設(shè)備獨有，在本文以及后續(xù)文章其他地方所介紹的加速度、化學(xué)元素、人體感官傳感器等可以了解相關(guān)信息，在此不贅敘。此處主要介紹通信中較為特別的MEMS器件，主要為與射頻相關(guān)MEMS器件。

通信系統(tǒng)中，大量不同頻率的頻帶（例如不同國家，不同公司間使用不同的頻率，2G，3G，LTE，CDMD以及藍牙，wifi等等不同技術(shù)使用不同的通信頻率）被使用以完成通訊功能，而這些頻帶的使用離不開頻率的產(chǎn)生。

聲表面波器件，作為一種片外(off-chip)器件，與IC集成難度較大。表面聲波（SAW）濾波器曾是手機天線雙工器的中流砥柱。2005年，安捷倫科技推出基于MEMS體聲波（BAW）諧振器的頻率器件（濾波器），該技術(shù)能夠節(jié)省四分之三的空間。

BAW器件不同于其他MEMS的地方在于BAW沒有運動部件，主要通過體積膨脹與收縮實現(xiàn)其功能。（另外一個非位移式MEMS典型例子是依靠材料屬性變化的MEMS器件，例如基于相變材料的開關(guān)，加入不同電壓可以使材料發(fā)生相變，分別為低阻和高阻狀態(tài)）。

在此值得一提的事，安華高Avago（前安捷倫半導(dǎo)體事業(yè)部）賣的如火如荼的薄膜腔聲諧振器（FBAR）。也是此前天津大學(xué)在美國被抓的zhang hao研究的東西。得益于AlN氮化鋁壓電材料的沉積技術(shù)的巨大進步，AlN FBAR已經(jīng)被運用在iphone上作為重要濾波器組件。下圖為FBAR和為SMR (Solidly Mounted Resonator)。其原理主要通過固體聲波在上下表面反射形成諧振腔。

圖8. FBAR示意圖，壓電薄膜懸空在腔體至上

圖9. SMR示意圖(非懸空結(jié)構(gòu)，采用Bragg reflector布拉格反射層)

如果所示，其中的紅色線條表示震動幅度。固體聲波在垂直方向發(fā)生反射，從而將能量集中于中間橙色的壓電層中。頂部是與空氣的交界面，接近于100%反射。底部是其與布拉格反射層的界面，無法達到完美反射，因此部分能量向下泄露。

實物FBAR掃描電鏡圖。故意將其設(shè)計成不平行多邊形是為了避免水平方向水平方向反射導(dǎo)致的諧振，如果水平方向有諧振則會形成雜波。

上圖所示為消除雜波前后等效導(dǎo)納（即阻抗倒數(shù)，或者簡單理解為電阻值倒數(shù)）。消除雜波后其特性曲線更平滑，效率更高，損耗更小，所形成的濾波器在同頻帶內(nèi)的紋波更小。

圖示為若干FBAR連接起來形成濾波器。右圖為封裝好后的FBAR濾波器芯片及米粒對比，該濾波器比米粒還要小上許多。

2、可穿戴/植入式領(lǐng)域

圖10. 用戶與物聯(lián)網(wǎng)

可穿戴/植入式MEMS屬于物聯(lián)網(wǎng)IoT重要一部分，主要功能是通過一種更便攜、快速、友好的方式（目前大部分精度達不到大型外置儀器的水平）直接向用戶提供信息。可穿戴/應(yīng)該說是最受用戶關(guān)注，最感興趣的話題了。

大部分用戶對汽車、打印機內(nèi)的MEMS無感，這些器件與用戶中間經(jīng)過了數(shù)層中介。但是可穿戴/直接與用戶接觸，提升消費者科技感，更受年輕用戶喜愛，例子可見Fitbit等健身手環(huán)。

該領(lǐng)域最重要的主要有三大塊：消費、健康及工業(yè)，我們在此主要討論更受關(guān)注的前兩者。消費領(lǐng)域的產(chǎn)品包含之前提到的健身手環(huán)，還有智能手表等。健康領(lǐng)域，即醫(yī)療領(lǐng)域，主要包括診斷，治療，監(jiān)測和護理。

比如助聽、指標(biāo)檢測（如血壓、血糖水平），體態(tài)監(jiān)測。MEMS幾乎可以實現(xiàn)人體所有感官功能，包括視覺、聽覺、味覺、嗅覺（如Honeywell電子鼻）、觸覺等，各類健康指標(biāo)可通過結(jié)合MEMS與生物化學(xué)進行監(jiān)測。

MEMS的采樣精度，速度，適用性都可以達到較高水平，同時由于其體積優(yōu)勢可直接植入人體，是醫(yī)療輔助設(shè)備中關(guān)鍵的組成部分。

傳統(tǒng)大型醫(yī)療器械優(yōu)勢明顯，精度高，但價格昂貴，普及難度較大，且一般一臺設(shè)備只完成單一功能。相比之下，某些醫(yī)療目標(biāo)可以通過MEMS技術(shù)，利用其體積小的優(yōu)勢，深入接觸測量目標(biāo)，在達到一定的精度下，降低成本，完成多重功能的整合。

以近期所了解的一些MEMS項目為例，通過MEMS傳感器對體內(nèi)某些指標(biāo)進行測量，同時MEMS執(zhí)行器（actuator）可直接作用于器官或病變組織進行更直接的治療，同時系統(tǒng)可以通過MEMS能量收集器進行無線供電，多組單元可以通過MEMS通信器進行信息傳輸。

個人認(rèn)為，MEMS醫(yī)療前景廣闊，不過離成熟運用還有不短的距離，尤其考慮到技術(shù)難度，可靠性，人體安全等。

可穿戴設(shè)備中最著名，流行的便數(shù)蘋果手表了，其實蘋果手表和蘋果手表結(jié)構(gòu)已經(jīng)非常相似了，處理器、存儲單元、通信單元、（MEMS）傳感器單元等，因此對此不在贅敘。

圖12. 蘋果手表示意圖

3、投影儀

投影儀所采用的MEMS微鏡如圖13,14所示。其中掃描電鏡圖則是來自于TI的Electrostatically-driven digital mirrors for projection systems。

每個微鏡都由若干錨anchor或鉸鏈hinge支撐，通過改變外部激勵從而控制同一個微鏡的不同錨/鉸鏈的尺寸從而微鏡傾斜特定角度，將入射光線向特定角度反射。

大量微鏡可以形成一個陣列從而進行大面積的反射。錨/鉸鏈的尺寸控制可以通過許多方式實現(xiàn)，一種簡單的方式便是通過加熱使其熱膨脹，當(dāng)不同想同一個微鏡的不同錨/鉸鏈通入不同電流時，可以使它們產(chǎn)生不同形變，從而向指定角度傾斜。TI采用的是靜電驅(qū)動方式，即通入電來產(chǎn)生靜電力來傾斜微鏡。

圖14 微鏡結(jié)構(gòu)示意圖

德州儀器的數(shù)字微鏡器件(DMD)，廣泛應(yīng)用于商用或教學(xué)用投影機單元以及數(shù)字影院中。每16平方微米微鏡使用其與其下的CMOS存儲單元之間的電勢進行靜電致動。灰度圖像是由脈沖寬度調(diào)制的反射鏡的開啟和關(guān)閉狀態(tài)之間產(chǎn)生的。

顏色通過使用三芯片方案(每一基色對應(yīng)一個芯片)，或通過一個單芯片以及一個色環(huán)或RGB LED光源來加入。采用后者技術(shù)的設(shè)計通過色環(huán)的旋轉(zhuǎn)與DLP芯片同步，以連續(xù)快速的方式顯示每種顏色，讓觀眾看到一個完整光譜的圖像。

TI有一個非常非常具體生動的視頻介紹該產(chǎn)品，你可以在這個視頻中看到整個微鏡陣列如何對光進行不同角度的折射。

圖15 微鏡反射光線示意圖

4、MEMS 加速度計

加速度傳感器是最早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計使一個部件(圖15中橙色部件)相對底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質(zhì)量塊（proof mass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。

綠色部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時，質(zhì)量塊相對底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加速度計還可以通過壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實現(xiàn)。

圖15 MEMS加速度計結(jié)構(gòu)示意圖

圖16 MEMS加速度計中位移與電容變化示意圖

汽車碰撞后，傳感器的proof mass產(chǎn)生相對位移，信號處理單元采集該位移產(chǎn)生的電信號，觸發(fā)氣囊。

圖17. 汽車碰撞后加速度計的輸出變化。

實物圖，比例尺為20微米，即20/1000毫米。

5、打印噴嘴

一種設(shè)計精巧的打印噴如下圖所示。兩個不同大小的加熱元件產(chǎn)生大小不一的氣泡從而將墨水噴出。具體過程為：1，左側(cè)加熱元件小于右側(cè)加熱元件，通入相同電流時，左側(cè)產(chǎn)生更多熱量，形成更大氣泡。左側(cè)氣泡首先擴大，從而隔絕左右側(cè)液體，保持右側(cè)液體高壓力使其噴射。噴射后氣泡破裂，液體重新填充該腔體。

圖18. 采用氣泡膨脹的噴墨式MEMS

另一種類型MEMS打印噴頭，也是通過加熱，氣泡擴大將墨水?dāng)D出：

MEMS噴頭nozzle及加熱器heater實物圖:

還有一種類型是通過壓電薄膜震動來擠壓墨水出來：

6、開關(guān)/繼電器

MEMS繼電器與開關(guān)。其優(yōu)勢是體積小（密度高，采用微工藝批量制造從而降低成本），速度快，有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產(chǎn)品可靠性。

其尺寸微小，接近于固態(tài)開關(guān)，而電路通斷采用與機械接觸（也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式），其優(yōu)勢劣勢基本上介于固態(tài)開關(guān)與傳統(tǒng)機械開關(guān)之間。

MEMS繼電器與開關(guān)一般含有一個可移動懸臂梁，主要采用靜電致動原理，當(dāng)提高觸點兩端電壓時，吸引力增加，引起懸臂梁向另一個觸電移動，當(dāng)移動至總行程的1/3時，開關(guān)將自動吸合（稱之為pull in現(xiàn)象）。pull in現(xiàn)象在宏觀世界同樣存在，但是通過計算可以得知所需的閾值電壓高得離譜，所以我們?nèi)粘Ｖ袔缀醪粫吹健?/p>

圖20. MEMS開關(guān)斷合示意圖

再貼上幾張實物圖片，與示意圖并非完全一致，但是原理類似，都是控制著一個間隙gap接觸與否：

生物類實驗

MEMS器件由于其尺寸接近生物細(xì)胞，因此可以直接對其進行操作。

圖21. MEMS操作細(xì)胞示意圖

7、NEMS（納機電系統(tǒng)）

NEMS（Nanoelectromechanical systems, 納機電系統(tǒng)）與MEMS類似，主要區(qū)別在于NEMS尺度/重量更小，諧振頻率高，可以達到極高測量精度(小尺寸效應(yīng))，比MEMS更高的表面體積比可以提高表面?zhèn)鞲衅鞯拿舾谐潭?(表面效應(yīng))，且具有利用量子效應(yīng)探索新型測量手段的潛力。

首個NEMS器件由IBM在2000年展示, 如圖22所示。器件為一個 32X32的二維懸臂梁（2D cantilever array）。該器件采用表面微加工技術(shù)加工而成（MEMS中采用應(yīng)用較多的有體加工技術(shù)，當(dāng)然MEMS也采用了不少表面微加工技術(shù)，關(guān)于微加工技術(shù)將會在之后的專題進行介紹）。

該器件設(shè)計用來進行超高密度，快速數(shù)據(jù)存儲，基于熱機械讀寫技術(shù)（thermomechanical writing and readout），高聚物薄膜作為存儲介質(zhì)。該數(shù)據(jù)存儲技術(shù)來源于AFM(原子力顯微鏡)技術(shù)，相比磁存儲技術(shù)，基于AFM的存儲技術(shù)具有更大潛力。

快速熱機械寫入技術(shù)（Fast thermomechanical writing）基于以下概念（圖23），‘寫入’時通過加熱的針尖局部軟化/融化下方的聚合物polymer，同時施加微小壓力，形成納米級別的刻痕，用來代表一個bit。加熱時通過一個位于針尖下方的阻性平臺實現(xiàn)。

對于‘讀’，施加一個固定小電流，溫度將會被加熱平臺和存儲介質(zhì)的距離調(diào)制，然后通過溫度變化讀取bit。而溫度變化可通過熱阻效應(yīng)（溫度變化導(dǎo)致材料電阻變化）或者壓阻效應(yīng)（材料收到壓力導(dǎo)致形變，從而導(dǎo)致導(dǎo)致材料電阻變化）讀取。

圖22. IBM 二維懸臂梁NEMS掃描電鏡圖（SEM）其針尖小于20nm

圖23.快速熱機械寫入技術(shù)示意圖

參考文獻：

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2. M. Despont, J. Brugger, U. Drechsler, U. Dürig, W. H?berle, M. Lutwyche, H. Rothuizen, R. Stutz, R. Widmer, G. Binnig, H. Rohrer, P. Vettiger, VLSI-NEMS chip for AFM data storage, Technical Digest 12th IEEE Int. Micro Electro Mechanical Systems Conf. MEMS '99, Orlando, FL, January 1999, IEEE, Piscataway, 1999, pp. 564–569.

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（ADXL203 精密±1.7g 雙軸iMEMS 加速度計數(shù)據(jù)手冊及應(yīng)用電路，http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADXL103_203.pdf）

（Andreas C. Fischer ; Fredrik Forsberg ; Martin Lapisa ; Simon J. Bleiker ; G?ran Stemme ; Niclas Roxhed ; Frank Niklaus，Integrating MEMS and ICs，Microsystems & Nanoengineering, 2015, Vol.1. Integrating MEMS and ICs : Microsystems & Nanoengineering）

審核編輯 黃宇