使用 MOSFET 進行過流保護 – 電路原理圖

電子電路必須具有過流保護，以防止大電流造成損害。由于開關時間快且導通電阻低，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）可用作過流保護電路中的開關。在本文中，我們將討論基于 MOSFET 的過流預防的簡單原理圖電路圖。

成分：

檢測電阻器 (Rs)：該電阻器用于測量流過電路的電流，與負載串聯。

比較器（運算放大器）：使用運算放大器將檢測電阻器兩端的電壓與參考電壓進行比較。

參考電壓（Vref）：過流檢測的閾值是預設電壓。當檢測電阻兩端的電壓大于參考電壓時，比較器的輸出將改變狀態。

MOSFET（N溝道）：電路中的開關就是這個MOSFET。當比較器的輸出為高電平時，MOSFET 導通，基本上切斷負載與電源的連接。

電路操作：

檢測電阻 (Rs) 產生的電壓與流過它的電流成正比。該電壓通過運算放大器與參考電壓 (Vref) 進行對比。當負載電流在典型范圍內時，Rs 兩端的電壓保持低于 Vref，運算放大器輸出保持低電平。

如果發生過流情況（例如短路或負載電流過大），Rs 兩端的電壓將超過 Vref。因此，運算放大器的輸出增加。 MOSFET 的柵極由該強輸出信號驅動，將其打開并切斷負載電流。

好處：

該電路非常簡單且價格實惠，因此非常適合各種應用。

由于導通電阻較低，MOSFET 可以減少開關上的電壓驟降。

由于MOSFET的快速開關特性，響應時間快。

筆記：

Rs 和 Vref 等變量的值將根據特定應用的需求而變化。根據預期的負載電流和保護電路的靈敏度，設計人員應選擇合適的值。在高功率應用中使用電路時，還應考慮適當的散熱和功率考慮因素。