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如何實現(xiàn)多DIE的QFN建模仿真

Xpeedic ? 來源:Xpeedic ? 2023-07-17 16:38 ? 次閱讀

前言

隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展,系統(tǒng)越趨復(fù)雜,同時產(chǎn)品集成度要求也越來越高,系統(tǒng)級封裝(SiP)成為了最具潛力的候選方案之一,其將不同制程工藝節(jié)點的裸芯片Die集成在一個封裝里,在滿足器件高性能需求的同時,也減少了芯片設(shè)計公司的研發(fā)成本和時間。

SiP有多種封裝形式,如引線鍵合、倒裝芯片、芯片堆疊、晶圓級封裝等。其中,QFN封裝由于其底部中央的一大塊裸露焊盤被焊接到PCB的散熱焊盤上,使得芯片具有極佳的電熱性能,使其能廣泛應(yīng)用在射頻領(lǐng)域上。

一般芯片廠家主要從事片上設(shè)計,對于封裝部分交由封裝廠去進行設(shè)計,芯片設(shè)計公司為了保證射頻鏈路的阻抗連續(xù)性,需要對封裝鍵合線進行仿真,從而與片上版圖結(jié)合完成整鏈路的性能評估。

封裝廠一般只會給芯片設(shè)計公司提供DXF格式的設(shè)計文件,DXF是2D文檔,若根據(jù)封裝廠提供的三維參數(shù)進行手動建模,會相當繁瑣。為此,芯和半導(dǎo)體Hermes平臺提供了Lead Frame流程解決方案,可實現(xiàn)QFN/QFP的DXF文件轉(zhuǎn)3D模型的快速建模,最后結(jié)合Hermes 高精度FEM三維全波電磁場求解算法可快速得到求解結(jié)果,指導(dǎo)設(shè)計優(yōu)化。

Hermes的Lead Frame建模仿真流程

1.導(dǎo)入DXF設(shè)計文件

運行Hermes后,在左上角菜單欄中選擇Home的layered流程,再選擇Lead Frame流程。在彈出窗口中,選擇導(dǎo)入所需的DXF文件。

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圖 1

Lead Frame中導(dǎo)入DXF文件

DXF文件導(dǎo)入后,如下圖所示。

紅色框:上方為DXF文件對應(yīng)不同圖層,用戶可選擇打開不同的圖層顯示,下方為上方對應(yīng)圖層的實時2D圖顯示結(jié)果。

藍色框:上方的cross section name為cross section(橙色箭頭)中配置不同圖層的選擇層,每確定選擇一個層后,下方會依據(jù)DXF中對應(yīng)的圖形進行3D建模,用戶可實時查看模型的建模情況。

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圖2

Lead Frame窗口說明

2. Cross Section的配置及說明

Mold:芯片的整體塑封外殼,此處設(shè)置高度為0.8mm。

Lead Frame:Lead層的厚度,這里設(shè)置為0.15mm。

Die:芯片中Die的幾何信息,XY坐標可無需手動輸入,軟件可自動捕捉,用戶可根據(jù)實際需求,按add鍵進行Die的添加,只需要輸入每個Die的裝配高度即可。此案例中,一共有3個Die,Die1和Die2平行靠近lead放置,距離lead的高度為0.15mm,而Die3放置在Die1上,Die3的配置如下橙色框所示,參考Die1的裝配高度為0.1mm。

Wire bond:鍵合線層,用戶可在profile中定義鍵合線的JEDC4/5標準的相關(guān)幾何信息、線材,線寬等。Start和End分別為鍵合線打線時的起始和終止位置。此案例中,由于DXF中的wire bond圖層共有7個,所以需要設(shè)置7種wire bond組合,起始位置分別是Die1->Lead Pad、Die2->Lead Pad、Die1->E Pad、Die2->E Pad、Die3-> E Pad、Die2-> Die1、Die3-> Die1。

NetName:網(wǎng)絡(luò)名層,封裝廠會提供每個die上對應(yīng)pad的坐標及對應(yīng)網(wǎng)絡(luò)名的excel文件,用戶導(dǎo)入后,軟件可自動為對應(yīng)的整個網(wǎng)絡(luò)賦予Excel中對應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)名。如果沒有Excel表格,此處可不填任何信息。

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圖 3

Cross section配置設(shè)置

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圖4

wire bond 的profile配置窗口

3. DXF模型的編輯及其Cross section映射配置

為了方便用戶使用,Hermes Lead frame流程提供了一定的編輯功能,能對導(dǎo)入的DXF進行有限的編輯。由于提供的DXF的Lead層超出了Mold層,需要對多出來的部分進行切割。首先把DXF的Mold層(PKG LINE)定義出來(紅色框),然后使用右鍵對DXF的Lead層(0_0)進行切割——Cut with Mold。

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圖 5

Lead層編輯

完成切割后,Lead層與Mold平齊,并定義DXF的0_0層為Lead層。

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圖表 6

Lead層切割后

接著在cross section name中,為DXF對應(yīng)圖層配置Die及Die Pad(下圖紅色框)。

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圖 7

Die信息配置

最后完成鍵合線配置(下圖紅色框),此時,可在3D窗口中完整的查看整個QFN模型模型了。點擊OK,模型即可回導(dǎo)到Hermes平臺的工作界面上。

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圖8

wire bond信息配置

4.疊層屬性配置

模型導(dǎo)入到Hermes工作區(qū)后,雙擊Stackup,即可進行疊層及材料屬性等配置。

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圖表 9

疊層設(shè)置

5.鍵合線的修改

如下圖紅色框所示,由于這部分的wire bond在DXF中都是同一個圖層,所以出線高度難免是一致的,造成短路問題。所以需要對Die內(nèi)側(cè)的wire bond走線的起始高度進行抬高——新建一個wire bond模型,對高度及材質(zhì)類型進行設(shè)置。

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圖表 10

新建wire bond模型

選中需要加高的wire bond模型,右鍵編輯屬性,將其定義為上述新建的wire bond模型,至此,完成了wire bond的修改。

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圖表11

對異常的wire bond進行重新定義修改

6.模型裁切

對QFN模型所需的仿真的部分進行切割。

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圖表 12

矩形切割

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圖表 13

切割后的模型

7.Port添加

選中要仿真的網(wǎng)絡(luò),右鍵對Die部分網(wǎng)絡(luò)進行環(huán)形端口的添加。

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圖表 14

Die上環(huán)形端口添加

對于Lead層上pad的端口添加,可以選中pad與E pad的邊沿,然后右鍵添加水平lumped port。

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圖表 15

Lead pad上lumped port添加

8.仿真配置

在Analysis選項中右鍵添加一個FEM3D_Analysis配置,通過solver option配置求解頻率、收斂條件、MPI以及求解Core數(shù)量等,完成后右鍵點擊Analysis開始仿真。

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圖表 16

仿真配置

9.仿真結(jié)果查看

仿真求解完畢后,可方便地使用芯和半導(dǎo)體的SnpExpert工具進行S參數(shù)的批量查看及對比,下圖紅色曲線為Hermes求解結(jié)果,綠色曲線為業(yè)界知名的某FEM求解軟件結(jié)果。從左到右依次為回波損耗、插損及隔離度,其中插損相差不超過0.08dB。

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--Hermes

--REF

圖表 17

仿真結(jié)果對比

(點擊各圖可查看原圖)

總結(jié)

本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體的Hermes平臺實現(xiàn)了多DIE下的QFN模型創(chuàng)建。Hermes內(nèi)置了便捷易用的Lead Frame流程,實現(xiàn)了DXF 二維版圖到3D QFN模型的轉(zhuǎn)換,最后通過靈活的切割、端口創(chuàng)建功能快速完成模型的建模和仿真,可滿足芯片、封裝用戶對DXF設(shè)計文件進行快速建模仿真的應(yīng)用場景需求。

關(guān)于芯和半導(dǎo)體EDA

芯和半導(dǎo)體提供“半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案”,是新一代智能電子產(chǎn)品中設(shè)計高頻/高速電子組件的重要工具,擁有領(lǐng)先的2.5D/3D Chiplet先進封裝設(shè)計分析全流程的EDA平臺。產(chǎn)品涵蓋三大領(lǐng)域::

芯片設(shè)計:匹配主流晶圓廠工藝節(jié)點,支持定制化PDK構(gòu)建需求,內(nèi)嵌豐富的片上器件模型,幫助用戶快速精準地實現(xiàn)建模與寄生參數(shù)提取。

封裝設(shè)計:集成多類封裝庫,提供通孔、走線和疊層的全棧電磁場仿真工具,為2.5D/3DIC先進封裝打造領(lǐng)先的統(tǒng)一仿真平臺,提高產(chǎn)品開發(fā)和優(yōu)化效率。

系統(tǒng)設(shè)計:基于完全自主產(chǎn)權(quán)的EDA仿真平臺,打通整機系統(tǒng)建模-設(shè)計-仿真-驗證-測試的全流程,助力用戶一站式解決高速高頻系統(tǒng)中的信號完整性、電源完整性、熱和應(yīng)力等設(shè)計問題。

關(guān)于芯和半導(dǎo)體

芯和半導(dǎo)體是一家從事電子設(shè)計自動化(EDA)軟件工具研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè),以仿真驅(qū)動設(shè)計,提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)的全產(chǎn)業(yè)鏈 EDA 解決方案,支持先進工藝與先進封裝,致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計,已在5G智能手機物聯(lián)網(wǎng)人工智能和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

芯和半導(dǎo)體自主創(chuàng)新的下一代集成無源器件IPD平臺,以高集成、高性能、小型化為特色,為移動終端、IoT、HPC、汽車電子等客戶提供系列集成無源芯片,累計出貨量超20億顆,并被 Yole 評選為全球IPD 濾波器的主要供應(yīng)商之一。

芯和半導(dǎo)體創(chuàng)建于2010年,運營及研發(fā)總部位于上海張江,在蘇州、武漢、西安設(shè)有研發(fā)分中心,在美國硅谷、北京、深圳、成都、西安設(shè)有銷售和技術(shù)支持部門。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:【應(yīng)用案例】如何實現(xiàn)“多DIE的QFN建模仿真”

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