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3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

jf_BPGiaoE5 ? 來源:光刻人的世界 ? 2023-06-12 11:15 ? 次閱讀

編者按

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。

考慮到這些內(nèi)容也是目前業(yè)界關(guān)注的實(shí)用技術(shù),征得教師和學(xué)生的同意,本公眾號(hào)將陸續(xù)展示一些學(xué)生的調(diào)研結(jié)果。這些報(bào)告還很初步,甚至有少許謬誤之處,請業(yè)界專家批評(píng)指正。

以下為報(bào)告PPT:

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審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:【Study】3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

文章出處:【微信號(hào):光刻人的世界,微信公眾號(hào):光刻人的世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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