不同材料中的霍爾效應
對于金屬導體而言，載流子濃度n可達 1X1023/cm3。載流子的帶電量為e，如果在1T的磁場，1A的電流情形下，可以估算 0.5 cm 粗的導線產生的霍爾電勢差約為10-8V，可見在金屬導體中霍爾效應并不明顯。
對于半導體而言，其內部載流子濃度較導體而言非常低，大約在1010/cm3到1016/cm3之間，在同等條件下產生的霍爾電勢差可達100V的數量級，因此，霍爾效應主要表現在半導體元器件中。此外，與金屬導體的載流子為單一的電子不同，不同類型半導體內部的載流子電性不一定為負。例如，對于空穴導電的半導體來說，霍爾系數為正；而對于電子導體的半導體霍爾系數為負。
審核編輯黃宇
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發表于 09-10 09:35
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