GaN是第三代半導(dǎo)體材料,具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性,因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù),具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟, GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。
GaN功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)?功率密度高,開(kāi)關(guān)速度快,損耗低,功耗小;高頻高速,可以有效降低系統(tǒng)成本;可在更高頻率下工作;更高的散熱能力和可靠性。
GaN的優(yōu)勢(shì)
GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了 GaN材料,因此, GaN功率器件在性能和應(yīng)用方面與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。GaN功率器件采用了創(chuàng)新的硅材料結(jié)構(gòu),能夠在較高的溫度下工作,而且能承受更高頻率的開(kāi)關(guān)操作。與傳統(tǒng)硅器件相比, GaN功率器件具有高功率密度、高效率、低損耗和低工作溫度等特點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基器件相比, GaN功率器件具有更寬的頻率范圍、更低的功耗、更好的穩(wěn)定性和可靠性。
GaN技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
GaN作為一種新型半導(dǎo)體材料,其性能和應(yīng)用場(chǎng)景已經(jīng)廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。氮化鎵是目前最適合做開(kāi)關(guān)電源的半導(dǎo)體材料,因?yàn)樗哂懈咝省⒌蛽p耗、寬工作頻帶和低噪聲等特性。未來(lái),隨著技術(shù)的不斷發(fā)展, GaN技術(shù)在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用也將不斷擴(kuò)展,成為不可或缺的一部分。
氮化鎵有很多優(yōu)勢(shì),但是也有一些缺點(diǎn),那就是價(jià)格較貴。而且它也有一些缺點(diǎn):它的耐高溫能力比較差。
RX65T300HS2A器件介紹
RX65T300HS2A是一款采用氮化鎵(GaN)技術(shù)的器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、熱阻低、結(jié)電容小等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于高頻通訊、光伏發(fā)電、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域。RX65T300HS2A具有快速的開(kāi)關(guān)速度,在最大工作頻率下的開(kāi)關(guān)損耗小于20 mW;更高的結(jié)溫,可保證在高溫度環(huán)境下器件的可靠性;低的結(jié)電容,可以減少電源中元件數(shù)量。
根據(jù)電路中所承受的電壓和電流,我們可以將功率 MOSFET分為兩類,分別為高壓 MOSFET和低壓 MOSFET。
主要性能指標(biāo)
1、輸入輸出功率: Ri:600V, Wi:250W, Oi:400W;
2、頻率范圍:0~40 MHz,最高頻率可達(dá)240 MHz;
3、飽和導(dǎo)通電阻: Ri=2Ω, Wi=300mΩ,其中: Ri為結(jié)電容; Wi為結(jié)電感;
4、輸出紋波電壓(Vrms):≤0.14V;
5、最大反向工作電壓(VRMS):300V;
6、最大驅(qū)動(dòng)電流(Io):≥20A;
7、開(kāi)關(guān)時(shí)間(ms):<10 ns;
8、開(kāi)關(guān)頻率(MHz):300 kHz (1 MHz,1 ns),
9、溫度特性:-40~+85℃,超過(guò)此溫度將發(fā)生飽和。飽和后不會(huì)降低功率輸出。
審核編輯黃宇
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