色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN:RX65T300的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

愛(ài)美雅電子 ? 來(lái)源:jf_45550425 ? 作者:jf_45550425 ? 2023-04-21 14:05 ? 次閱讀

GaN是第三代半導(dǎo)體材料,具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性,因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù),具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟, GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。

GaN功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)?功率密度高,開(kāi)關(guān)速度快,損耗低,功耗小;高頻高速,可以有效降低系統(tǒng)成本;可在更高頻率下工作;更高的散熱能力和可靠性。

GaN的優(yōu)勢(shì)

GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了 GaN材料,因此, GaN功率器件在性能和應(yīng)用方面與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)。GaN功率器件采用了創(chuàng)新的硅材料結(jié)構(gòu),能夠在較高的溫度下工作,而且能承受更高頻率的開(kāi)關(guān)操作。與傳統(tǒng)硅器件相比, GaN功率器件具有高功率密度、高效率、低損耗和低工作溫度等特點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基器件相比, GaN功率器件具有更寬的頻率范圍、更低的功耗、更好的穩(wěn)定性和可靠性。

GaN技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

GaN作為一種新型半導(dǎo)體材料,其性能和應(yīng)用場(chǎng)景已經(jīng)廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。氮化鎵是目前最適合做開(kāi)關(guān)電源的半導(dǎo)體材料,因?yàn)樗哂懈咝省⒌蛽p耗、寬工作頻帶和低噪聲等特性。未來(lái),隨著技術(shù)的不斷發(fā)展, GaN技術(shù)在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用也將不斷擴(kuò)展,成為不可或缺的一部分。

氮化鎵有很多優(yōu)勢(shì),但是也有一些缺點(diǎn),那就是價(jià)格較貴。而且它也有一些缺點(diǎn):它的耐高溫能力比較差。

RX65T300HS2A器件介紹

RX65T300HS2A是一款采用氮化鎵(GaN)技術(shù)的器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、熱阻低、結(jié)電容小等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于高頻通訊、光伏發(fā)電、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域。RX65T300HS2A具有快速的開(kāi)關(guān)速度,在最大工作頻率下的開(kāi)關(guān)損耗小于20 mW;更高的結(jié)溫,可保證在高溫度環(huán)境下器件的可靠性;低的結(jié)電容,可以減少電源中元件數(shù)量。

功率 MOSFET的基本工作原理

根據(jù)電路中所承受的電壓和電流,我們可以將功率 MOSFET分為兩類,分別為高壓 MOSFET和低壓 MOSFET。

主要性能指標(biāo)

1、輸入輸出功率: Ri:600V, Wi:250W, Oi:400W;

2、頻率范圍:0~40 MHz,最高頻率可達(dá)240 MHz;

3、飽和導(dǎo)通電阻: Ri=2Ω, Wi=300mΩ,其中: Ri為結(jié)電容; Wi為結(jié)電感;

4、輸出紋波電壓(Vrms):≤0.14V;

5、最大反向工作電壓(VRMS):300V;

6、最大驅(qū)動(dòng)電流(Io):≥20A;

7、開(kāi)關(guān)時(shí)間(ms):<10 ns;

8、開(kāi)關(guān)頻率(MHz):300 kHz (1 MHz,1 ns),

9、溫度特性:-40~+85℃,超過(guò)此溫度將發(fā)生飽和。飽和后不會(huì)降低功率輸出。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28029

    瀏覽量

    225620
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1835

    瀏覽量

    91087
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2086

    瀏覽量

    75075
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量

    介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件
    的頭像 發(fā)表于 03-12 18:47 ?264次閱讀
    氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: <b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量

    探討 GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫(xiě),主要探討了 GaN FET(氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),旨在說(shuō)明其如何解決人形機(jī)器人伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。 *附件
    的頭像 發(fā)表于 02-14 14:33 ?362次閱讀
    探討 <b class='flag-5'>GaN</b> FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>

    使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動(dòng)器

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-03 16:19 ?0次下載
    使用用于<b class='flag-5'>GaN</b>的LMG1210EVM-012 <b class='flag-5'>300</b>V半橋驅(qū)動(dòng)器

    飛虹半導(dǎo)體FHA75T65A IGBT單管在壓焊機(jī)的應(yīng)用

    壓焊機(jī)的電流控制電路可以使用國(guó)產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT單管FHA75T65A來(lái)代換FGH75N65SHDT型號(hào)參數(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 10:50 ?730次閱讀

    在微型逆變器上使用TI GaN優(yōu)勢(shì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在微型逆變器上使用TI GaN優(yōu)勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-04 09:37 ?0次下載
    在微型逆變器上使用TI <b class='flag-5'>GaN</b>的<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>

    芯朋微電子新一代20-65W GaN快充方案

    本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待機(jī)功耗、市電保護(hù)、功率密度、轉(zhuǎn)換效率、輸出電壓紋波等關(guān)鍵指標(biāo),實(shí)現(xiàn)技術(shù)降本!
    的頭像 發(fā)表于 08-28 11:33 ?1749次閱讀
    芯朋微電子新一代20-<b class='flag-5'>65</b>W <b class='flag-5'>GaN</b>快充方案

    GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)

    GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),融合了多種材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:01 ?1614次閱讀

    GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案

    GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案YinLianBao1在各式各樣的快充充電器之中,“GaN”這三個(gè)字近日越來(lái)越受到消費(fèi)者的青睞。GaN快充充電器是一種基于
    的頭像 發(fā)表于 06-28 08:10 ?583次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>快充芯片U8607為18~<b class='flag-5'>65</b>W應(yīng)用提供全新解決方案

    愛(ài)普生時(shí)鐘芯片RX8025T UB和RX8025T UC的異同

    愛(ài)首生時(shí)鐘芯片RX8025T是一款高精度實(shí)時(shí)鐘芯片,具有高精度、低功耗、小尺寸、寬電壓范圍、內(nèi)置EEPROM等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電表、水表、燃?xì)獗怼㈦娖睫D(zhuǎn)換、對(duì)EMI靈敏的收發(fā)器應(yīng)用、工業(yè)控制、門禁
    的頭像 發(fā)表于 06-14 10:01 ?1140次閱讀
    愛(ài)普生時(shí)鐘芯片<b class='flag-5'>RX8025T</b> UB和<b class='flag-5'>RX8025T</b> UC的異同

    CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)

    評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流 / 永磁同步電機(jī)控制器 / 驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 ? 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN
    發(fā)表于 06-07 17:22 ?1831次閱讀
    CGD為電機(jī)控制帶來(lái)<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>

    24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM

    24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管,可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:54 ?1026次閱讀

    PMP21639.1-采用 GaN65W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式 PCB layout 設(shè)計(jì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP21639.1-采用 GaN65W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-19 11:05 ?0次下載
    PMP21639.1-采用 <b class='flag-5'>GaN</b> 的 <b class='flag-5'>65</b>W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式 PCB layout 設(shè)計(jì)

    基于RX65N MCU組的云套件數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于RX65N MCU組的云套件數(shù)據(jù)手冊(cè).rar》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 05-17 17:22 ?0次下載
    基于<b class='flag-5'>RX65</b>N MCU組的云套件數(shù)據(jù)手冊(cè)

    DigiKey推薦一款產(chǎn)品—Renesas的32位RX電機(jī)控制MCU RX26T

    Renesas 的32位RX電機(jī)控制MCU RX26T是隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的擴(kuò)展連接客戶應(yīng)用與網(wǎng)絡(luò)和傳感器的理想選擇,支持內(nèi)置功能,有助于減少外部組件。它們的小型封裝適合安裝在節(jié)省空間和小型化的外殼中。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:24 ?945次閱讀

    氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

    氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢(shì)也推動(dòng)了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用,例如
    的頭像 發(fā)表于 04-22 13:51 ?2416次閱讀
    氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)功率集成電路(IC)開(kāi)發(fā)的<b class='flag-5'>優(yōu)勢(shì)</b>與挑戰(zhàn)
    主站蜘蛛池模板: 亚洲欧美日韩精品自拍 | 免费鲁丝片一级在线观看 | 一本色道久久综合一区 | 国产看黄网站又黄又爽又色 | 岳打开双腿开始配合日韩视频 | 二色AV天堂在线 | 先锋影音 av | 囯产免费精品一品二区三区视频 | 在线亚洲中文字幕36页 | 成人午夜精品久久久久久久秋霞 | 公开超碰在线视频 | 亚洲国产日韩欧美在线a乱码 | 韩日午夜在线资源一区二区 | 在线视频 国产精品 中文字幕 | 免费国产黄线在线播放 | 亚洲精品久久区二区三区蜜桃臀 | 国产精品99久久久久久AV下载 | 国产精品涩涩涩视频网站 | 伊人久久大香线蕉观看 | 2021国产精品一卡2卡三卡4卡 | 爽a中文字幕一区 | 大学生第一次破女在线观看 | 正在播放一区二区 | 男人吃奶摸下挵进去啪啪 | 国产在线中文字幕 | 2019午夜福合集不打码 | 久久综合色一综合色88中文 | 强开少妇嫩苞又嫩又紧九色 | 成年人视频在线观看免费 | 日韩精品a在线视频 | 欧美高清视频www夜色资源网 | 妺妺窝人体色777777野大粗 | 中文字幕亚洲乱码熟女在线萌芽 | 久久精品热只有精品 | 中文字幕本庄优花喂奶 | 国产最新进精品视频 | 精品精品国产自在现拍 | 无颜之月全集免费观看 | 色悠悠电影网 | 秋霞电影伦网理最新在线看片 | 自拍 偷拍 亚洲 经典 |